门电路,第三章,本章总的要求： 熟练掌握TTL和CMOS集成门电路输出与输入间的逻辑关系、外部电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性等；掌握各类集成电子器件正确的使用方法。 重点： TTL电路与CMOS电路的结构与特点.,3.1 概述,门电路是用以实现逻辑运算的电子电路，与已经讲过的逻辑运算相对应。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。,正逻辑：高电平表示逻辑1、低电平表示逻辑0。,负逻辑：高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1。,获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的 导通、截止（即开、关）两种工作状态。,3.2 半导体二极管门电路,3.2.1 半导体二极管的开关特性,Ui0.5V时，二极管导通。,Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。,ui0V时，二极管截止，如同开关断开， uo0V。,ui5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源， uo4.3V。,当外加电压突然由正向变为反向时，存储电荷反向电场的作用下，形成较大的反向电流。经过ts后，存储电荷显著减少，反向电流迅速衰减并趋于稳态时的反向饱和电流。,当外加电压由反向突然变为正向时，要等到PN结内部建立起足够的电荷梯度后才开始有扩散电流形成，因而正向电流的建立稍微滞后一点。,反向恢复时间 （几纳秒内）,反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间，它远大于正向导通所需要的时间。这就是说，二极管的开通时间是很短的，它对开关速度的影响很小，以致可以忽略不计。,因此，影响二极管的开关时间主要是 反向恢复时间，而不是开通时间。,3.2.2 二极管与门,Y=AB,3.2.3 二极管或门,Y=A+B,3.3 CMOS门电路,3.3.1 MOS管的开关特性,在CMOS集成电路中，以金属氧化物半导体场效应管（MOS管)作为开关器件。,一、MOS管的结构和工作原理,金属铝,两个N区,SiO2绝缘层,P型衬底,导电沟道,N沟道增强型,源极,栅极,漏极,vGS=0时,D、S间相当于两个背靠背的PN结,不论D、S间有无电压，均无法导通，不能导电。,vGS0时,vGS足够大时（vGSVGS(th)），形成电场GB,把衬底中的电子吸引到上表面，除复合外，剩余的电子在上表面形成了N型层（反型层）为D、S间的导通提供了通道。,VGS(th)称为阈值电压(开启电压）,源极与衬底接在一起,N沟道,可以通过改变vGS的大小来控制iD的大小。,二、MOS管的输入、输出特性,对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为零。,输出特性曲线 （漏极特性曲线）,夹断区（截止区）,用途：做无触点的、断开状态的电子开关。,条件：整个沟道都夹断,特点：,可变电阻区,特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 vGS 控制。,（2）管压降vDS 很小。,用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。,条件：源端与漏端沟道都不夹断,恒流区： (又称饱和区或放大区）,特点:(1)受控性： 输入电压vGS控制输出电流,(2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出电压vDS的影响。,条件:(1)源端沟道未夹断 (2)漏端沟道予夹断,用途:可做放大器和恒流源。,三、MOS管的基本开关电路,当vI=vGSVGS(th)时，MOS管工作在截止区。D-S间相当于断开的开关，vOvDD.,当vIVGS(th)且vI继续升高时，MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小，D-S间相当于闭合的开关,vO0。,四、MOS管的四种基本类型,在数字电路中，多采用增强型。,3.3.2 CMOS反相器工作原理,一、电路结构,当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。,vI=0,vo=“”,vI=1,vo=“”,静态下，无论vI是高电平还是低电平，T1、T2总有 一个截止，因此CMOS反相器的静态功耗极小。,二、电压传输特性和电流传输特性,电 压 传 输 特 性,阈值电压VTH,T1导通T2截止,T2导通T1截止,T1T2同时导通,电 流 传 输 特 性,T2截止,T1截止,CMOS反相器 在使用时应尽 量避免长期工 作在BC段。,输入低电平时噪声容限：,在保证输出高、低电平基本不变的条件下,输入电平的允许波动范围称为输入端噪声容限。,输入高电平时噪声容限：,三、输入端噪声容限,噪声容限衡量门电路的抗干扰能力。 噪声容限越大，表明电路抗干扰能力越强。,测试表明：CMOS电路噪声容限VNH=VNL30VDD，且随VDD的增加而加大。,因为MOS管的栅极和衬底之间存在着以SiO2为介质的输入电容，而绝缘介质非常薄，极易被击穿，所以应采取保护措施。,3.3.3 CMOS反相器的静态输入输出特性,一、输入特性,在正常的输入信号范围内，即0.7V vI (VDD+0.7)V时输入电流iI 0。(因为CMOS门电路的GS间有一层绝缘的SiO2薄层。),在0.7V (VDD+0.7)V以外的区域， iI从零开始增大，并随vI增加急剧上升，原因是保护电路中的二极管已进入导通状态。,注意：由于门电路输入端的绝缘层使输入的阻抗极高，若有静电感应会在悬空的输入端产生不定的电位，故CMOS门电路的输入端不允许悬空。,二、输出特性,低电平输出特性,高电平输出特性,VOL0,VOHVDD,3.3.4 CMOS反相器的动态特性,一、传输延迟时间,tpdHL,tpdLH,平均传输时间,二、交流噪声容限,噪声电压作用时间越短、电源电压越高，交流噪声容限越大。,三、动态功耗,反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过程中，将产生附加的功耗，即为动态功耗。,动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率PC和PMOS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗PT。,在工作频率较高的情况下，CMOS反相器的动态功耗 要比静态功耗大得多，静态功耗可忽略不计。,3.3.5 其他类型CMOS门电路,1.与非门,一、其他逻辑功能的CMOS门电路,任一输入端为低，设vA=0,vA=0,vO=1,输入全为高电平,vO=0,2.或非门,任一输入端为高，设vA=1,vA=1,vO=0,输入端全为低,vO=1,3. 带缓冲级的CMOS门电路,带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及 电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的 转折区也变得更陡。,二、漏极开路输出门电路（OD门）,为什么需要OD门？ 普通与非门输出不能 直接连在一起实现“线与”！,产生一个很大的电流,需将一个MOS管的漏极开路构成OD门。,OD输出与非门的逻辑符号及函数式,OD门输出端可直接连接实现线与。,RL的选择：,IOH,IIH,n个,m个,VOH,n是并联OD门的数目，m是负载门电路高电平输入电流的数目。,VOL,m个,IOL,IIL,例3.3.2,m是负载门电路低电平输入电流的数目。在负载门为CMOS门电路的情况下，m和m相等。,C0、 ，即C 端为低电平（0V）、 端为高电平 （VDD）时， T1和T2都不具备开启条件而截止，输 入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。,三、CMOS传输门,C1、 ，即C 端为高电平（VDD）、 端为低电平（0V）时，T1和T2至少有一个导通，输入和输出之间相当于开关接通一样，呈低阻态，vovi 。,A=0、B=1时，TG2截止，TG1导通，Y=B =1;,A=0、B=0时，TG2截止，TG1导通，Y=B =0;,双向模拟开关, G4输出高电平，G5输出低电平，T1、T2 同时截止，输出呈高阻态；,四、三态门,1,0,1,1,0,0,1,0,若A=1，则G4、G5输出均为高电平，T1截止、T2导通，Y=0；,若A=0，则G4、G5输出均为低电平，T1导通、T2截止，Y=1；,三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。,3.3.6 CMOS电路的特点,CMOS电路的优点,1. 静态功耗小。,2. 允许电源电压范围宽(318V）。,3. 扇出系数大，噪声容限大。,1输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电压，从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点：,CMOS电路的正确使用,（1）所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。 （2）存储和运输CMOS电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。,2多余的输入端不能悬空。 输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联使用。,3输入电路需过流保护,3.5 TTL门电路,3.5.1 双极型三极管的开关特性,一、双极型三极管的结构,二、双极型三极管的输入特性和输出特性,输出特性曲线,开启电压,饱和区,截止区,放大区,三、双极型三极管的基本开关电路,在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。,三极管临界饱和 时的基极电流：,ui=1V时，三极管导通，基极电流：,uo=uCE=VCC-iCRc=5-0.03501=3.5V,ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在 截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：,uo=VCC=5V,截止状态,ui=UIL0.5V,uo=+VCC,ui3V时，三极管导通，基极电流：,uoUCES0.3V,三极管饱和,饱和状态,iBIBS,ui=UIH,uo=0.3V,四、双极型三极管的开关等效电路,开关等效电路,(1) 截止状态,条件：发射结反偏 特点：电流约为0,(2)饱和状态,条件：发射结正偏，集电结正偏 特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅,三极管开关等效电路 (a) 截止时 (b) 饱和时,+Vcc,0.3V,五、双极型三极管的动态开关特性,BJT的开关时间：是指BJT管由截止到饱和导通 或者由饱和导通到截止所需要的时间。,延迟时间td从+VB2加到集电极电流ic上升到0.1ICS所需要的时间；,上升时间tric从0.1ICS到0.9ICS所需要的时间；,开通时间ton=td+tr 就是建立基区电荷时间,存储时间ts从输入信号降到-VB1到ic降到0.9ICS 所需要的时间；,下降时间tfic从0.9ICS降到0.1ICS所需要的时间。,关闭时间toff=ts+tf就是存储电荷消散的时间,加入VEE的目的是确保即使输入低电平信号稍大于零时，也能使三极管基极为负电位，从而使三极管 可靠截止，输出为高电平。,六、三极管反相器,TTL 晶体管-晶体管逻辑集成电路,MOS 金属氧化物半导体场效应管集成电路,3.5.2 TTL反相器,输入级,倒相级,输出级,称为推拉式电路或图腾柱输出电路,一、TTL反相器的电路结构和工作原理,1.输入为低电平（0.2V）时,0.9V,不足以让 T2、T5导通,T2、T5截止,1.输入为低电平（0.2V）时,vo=5vR2vbe4vD23.4V 输出高电平,2.输入为高电平（3.4V）时,电位被嵌 在2.1V,vB1=VIH+VON=4.1V,发射结反偏,1V,T2、T5饱和导通,2.输入为高电平（3.4V）时,vo =VCE50.3V 输出低电平,可见，无论输入如何，T4和T5总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，带负载能力很强。,二、电压传输特性,二、电压传输特性,二、电压传输特性,二、电压传输特性,输出高电平VOH、输出低电平VOL,VOH2.4V VOL 0.4V 便认