大工19秋模拟电子技术在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)1.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。A.饱和失真B.线性失真C.截止失真D.交越失真答案:A2.温度升高,晶体管的管压降Ube()。A.增大B.减小C.不确定D.不变答案:B3.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。A.越差B.越好C.无变化D.不确定答案:B4.在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。A.无法确定B.共集组态C.共射组态D.共基组态答案:D5.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A.集电区面积大于发射区面积B.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区很薄且掺杂浓度很低D.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度答案:B6.当温度升高时,三极管的电流放大系数将()。A.增大B.减小C.不确定D.不变答案:A7.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。A.温度B.杂质浓度C.晶体缺陷D.掺杂工艺答案:B8.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。A.相差90B.同相C.反相D.不确定答案:B9.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。A.静态工作点偏高B.静态工作点偏低C.输出电阻太小D.输入电阻太小答案:A10.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。A.集电极B.无法确定C.基极D.发射极答案:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)11.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。答案:正确注意：答案的顺序有可能和你的题不一样 注意核对答案与选项售后或需要更多联系QQ1192235545 微信同步 12.对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。答案:正确13.一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。答案:正确14.当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。答案:错误15.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。答案:错误16.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。答案:正确17.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。答案:正确18.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。答案:正确19.二极管是非线性器件。答案:正确20.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。答案:错误