浙江省 2013 年 7 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340本试卷分 A、B 卷，使用 1999 年版本教材的考生请做 A 卷，并将答题纸上卷别“A”涂黑；使用 2010 年版本教材的考生请做 B 卷，并将答题纸上卷别“B”涂黑。A 卷一、单项选择题(本大题共 15 小题，每小题 2 分，共 30 分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。1利用二极管的单向导电特性可实现_功能。A.电压放大 B.电流放大C.稳压 D.整流2在题 2 图所示的各种元器件中，_是无源器件。题 2 图3晶体三极管中的 是描述_控制作用的参数。A.发射极电流 ie 对集电极电流 ic B.基极电流 ib 对发射极电流 ieC.发射极电流 ie 对基极电流 ib D.基极电流 ib 对集电极电流 ic4晶体三极管的频率参数 是 （）下降到_时所对应的角频率。A.0.1 B.0.5C.0.707 D.0.95晶体三极管组成的共发放大电路，当输入信号 Vi 增加到足够大时，可能引起的非线性失真为A.频率失真 B.幅度失真C.相位失真 D.截止和饱和双向失真6某硅晶体三极管的直流电位如题 6 图所示，则三极管的工作状态为A.放大状态 B.截止状态C.击穿状态 D.饱和状态 题 6 图7集成运放偏置电路主要为各组成级提供稳定的工作点，一般采用_电路。A.差分 B.恒流源C.共集电极 D.共发射极8差动放大电路，已知输入信号 Vi1=30mV，V i2=10mV，则共模信号 Vic 和差模信号 Vid分别为A.Vic=20mV Vid=20mV B.Vic=40mV Vid=20mVC.Vic=20mV Vid=40mV D.Vic=40mV Vid=40mV9N 沟道和 P 沟道 MOS 场效应管的区别在于A.衬底材料前者为硅，后者为锗B.衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型C.导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴D.导电沟道中载流子前者为空穴，后者为电子10晶体三极管工作在放大状态时，i c 与 vbe 之间近似为_ 关系。A.对数律 B.指数律C.线性 D.平方律11电路如题 11 图所示，其中_是基本 MOS 管镜像电流源电路。题 11 图12负反馈放大器中，在满足深度负反馈条件下，存在虚短路和虚开路，即A.xi0 B.xi0C.x00 D.xf013设计一负反馈放大器，实现电流电压的变换，应引入A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈14当输入信号为阶跃电压时，设计一运算电路实现延时，可选用_实现。A.同相放大电路 B.反相放大电路C.积分电路 D.微分电路15在题 15 图所示电路中，两个二极管的工作状态是A.D1 导通，D 2 截止B.D1 截止，D 2 导通C.D1 和 D2 都截止D.D1 和 D2 都导通 题 15 图二、填空题(本大题共 10 小题，每空 1 分，共 10 分)16半导体中的载流子由于浓度差而产生的定向运动称为_运动。17当外电源正极接 N 区，负极接 P 区时，称反偏，此时 PN 结的结电阻通常非常_。18集成运放组成的比例运算电路中，_比例放大电路的放大倍数大于 1。19直接耦合放大电路的通频带为 100kHz，说明其上限截止频率为 _。20场效应管常用跨导 gm 表示栅源电压 vGS 对_的控制能力。21随着温度升高，晶体管的穿透电流 ICEO 将_，使共发射极输出特性曲线上移。22负反馈放大电路的开环放大倍数为 1000，而闭环放大倍数为 50，则该电路的反馈深度为_。23差分放大电路中常用 KCMR 来表示抑制共模信号的能力，希望它越 _越好。24根据 vGS=0 时，导电沟道是否已存在，将场效应管分为增强型和_型。25晶体三极管的三种基本组态放大器中，有电流增益，但无电压增益的是_电路。三、简答题（本大题共 3 小题，每小题 5 分，共 15 分）26电路如题 26(a)图所示，设二极管 D 为理想的，当输入电压为题 26（b）所示的波形时，试用二极管的理想模型画出电压传输特性（V OVi）和输出电压波形(V Ot)。题 26 图27题 27 图所示电流源电路，已知各晶体管特性相同，V BE（on） =0.7V，试求 IR、I c2 和Ic3。题 27 图 题 28 图28题 28 图所示电路，设 A 为理想运算放大器，最大输出电压为12V。画出电压传输特性（V OVi） ，并标出各电压值。四、分析计算题（本大题共 5 小题，每小题 9 分，共 45 分）29.如题 29 图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，=80，V BE(on)=0.7V，r ce 可忽略不计。（1）要求 IEQ=1.5mA，V CEQ=6V，R b1+Rb2=120k，确定电阻 Rb1、R b2、R c；（2）求电压放大倍数 Av，输入电阻 Ri，源电压放大倍数 Avs。题 29 图 题 30 图30题 30 图所示差分放大电路，设场效应管的低频跨导为 gm=1mS，r ds 可忽略不计，电流源 I0 的交流内阻 r0=100k。（1）求差模放大倍数 Avd2、共模放大倍数 Avc2、共模抑制比 KCMR2、输出电阻 Ro；（2）单端输入时，当 vi=10mV，求输出电压 vo。31题 31 图所示放大电路，所有电容对交流均视为短路。（1）指出级间反馈元件，判断反馈的类型，并说明对输入、输出电阻的影响；（2）满足深度负反馈条件下，求反馈系数 kf，源电压增益 Avfs。题 31 图32题 32 图所示电路，设集成运放均为理想的。（1）说明 A1、A 2 组成何种基本运算电路；（2）写出 Vo1、V o 的表达式；（3）设 t=0 时，电容的初始电压为 0，若要求 t=10ms 时输出电压 Vo=5V，求 R5。题 32 图33题 33 图所示电路，已知稳压管的 VZ=5.3V，V D（on） =0.7V，运放的最大输出电压为12V。（1）要求上门限电压 VIH=5V，试确定参考电压 VREF 的值，并求出下门限电压 VIL；（2）画出电压比较特性（v ovi） ；题 33 图B 卷一、单项选择题(本大题共 15 小题，每小题 2 分，共 30 分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。1晶体三极管的发射极电流是另外两个电极电流（基极和集电极）的A.差 B.和C.积 D.积分2晶体三极管的 是描述_ 控制作用的参数。A.基极电流 ib 对集电极电流 ic B.基极电流 ib 对发射极电流 ieC.发射极电流 ie 对基极电流 ib D.发射极电流 ie 对集电极电流 ic3放大电路进行信号放大时，其基本前提是A.不失真 B.电压放大C.电流放大 D.接入直流电源4集成运放的输出级一般采用互补推挽的共集电路，是为了A.提高电压增益 B.减小输出电流C.提高带载能力 D.增大输出电阻5测得晶体三极管三个极的直流电位为-9V，-6V ，-6.3V，则该三极管是A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管C.NPN 型锗管 D.PNP 型锗管6电流并联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是A.输入电阻减小、输出电阻增大 B.输入电阻减小、输出电阻减小C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大7当高内阻的信号源与低负载相连接时，为降低负载的影响，可在信号源和负载间接入_电路。A.共射 B.共基C.共集电极 D.共射-共基8NPN 管组成的共射放大电路的输出电压波形出现下半周失真时为A.频率失真 B.饱和失真C.截止失真 D.交越失真9如题 9 图所示，其中_是光敏二极管的电路符号。题 9 图10与迟滞电压比较器相比，单门限电压比较器A.灵敏度高，抗干扰能力差 B.灵敏度低，抗干扰能力差C.灵敏度高，抗干扰能力强 D.灵敏度低，抗干扰能力强11放大电路交流输出功率是由_提供的。A.偏置电阻 B.交流输入信号 viC.直流电压源 VCC D.晶体三极管 BJT12差分放大电路的差模放大倍数的大小取决于A.差模输入信号的大小 B.信号的输入方式是单端或双端C.共模输入信号的大小 D.信号的输出方式是单端或双端13场效应管工作在饱和区时，可等效为A.电阻 B.电压源C.电流源 D.受控电流原14如题 14 图所示，增强型场效应管的转移特性曲线是题 14 图15负反馈放大电路中，反馈信号仅与_有关。A.输入信号 B.输出信号C.电压增益 D.电流增益二、填空题(本大题共 10 小题，每空 1 分，共 10 分)16当集成运放线性工作时，i +=i 0，称_。17晶体管工作在截止状态时，集电极和发射极间的阻抗，可等效为_路。18场效应管仅利用_数载流子导电，故可将其视为单极性器件。19当差分放大电路空载时，单端输出差模电压增益为双端输出时的_。20晶体管放大电路进行交流小信号分析时，电路中的大电容可等效为_路。21输入信号不变时，若反馈使净输入信号比无反馈时减小了，称为_反馈。22某电压放大器，当 V1=0.1V 时，V O=10V,则该放大器的 AV=_dB。23晶体三极管的三个极对地电位分别为 VA=2V，V B=2.7V，V C=6V，则该管工作状态是_状态。24低频时场效应管的 ig=0，所以共源和共漏放大器的输入电阻和电流增益均趋于_。25放大器级联时的总分贝增益，是各级电路分贝增益的_。三、简答题（本大题共 3 小题，每小题 5 分，共 15 分）26题 26 图所示为二极管电路的电压传输特性，设二极管为理想的。试画出该电路，并求出电路中的各参数。题 26 图 题 27 图 27题 27 图所示为 MOS 场效应管放大电路，已知场效应管的低频跨导为 gm=1.0mS，r ds很大，可忽略不计。试求电压放大倍数 Av、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。28电路如题 28(a)图所示，其幅频特性如题 28(b)图所示，试求电压增益 Av1，带宽BW0.7；当带宽变为 150kHz 时，电压增益 Av2 变为多少，当其它参数不变时，求电阻 Rf 的值。题 28（a）图 题 28（b）图四、分析计算题（本大题共 5 小题，每小题 9 分，共 45 分）29.如题 29 图所示放大电路，设所有电容对交流均视为短路，=100，V BE(on)=0.7V，r ce 可忽略不计。（1）估算静态工作点 Q（I CQ、V CEQ） ；（2）求源电压放大倍数 Avs；（3）若旁路电容 Ce 不小心开路，则工作点 Q、电压放大倍数 Av 和输入电阻 Ri 如何变化？题 29 图 题 30 图30如题 30