第一章 半导体基础知识自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根据PCM200mW可得：UCE40V时IC5mA，UCE30V时IC6.67mA，UCE20V时IC10mA，UCE10V时IC20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 UOUCE2V。2、临界饱和时UCESUBE0.7V，所以 七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 ui和uo的波形如图所示。 1.4 ui和uo的波形如图所示。 1.5 uo的波形如图所示。 1.6 ID（VUD）/R2.6mA，rDUT/ID10，IdUi/rD1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZMPZM/UZ25mA，RUZ/IDZ0.241.2k。 1.9 （1）当UI10V时，若UOUZ6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当UI15V时，由于上述同样的原因，UO5V。 当UI35V时，UOUZ5V。 （2）29mAIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。 （2） 1.11 波形如图所示。 1.12 60时ICBO32A。 1.13 选用100、ICBO10A的管子，其温度稳定性好。 1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 当VBB0时，T截止，uO12V。当VBB1V时，T处于放大状态。因为当VBB3V时，T处于饱和状态。因为1.17 取UCESUBE，若管子饱和，则 1.18 当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。 当uI5V时，晶体管饱和，uO0.1V。因为 1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能1.20 根据方程 逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGDUGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21 1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iDf（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。 1.23 uI4V时T夹断，uI8V时T工作在恒流区，uI12V时T工作在可变电阻区。1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能第二章 基本放大电路自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7） 二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。（e）不能。因为输入信号被C2短路。 （f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。 （g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。 三、（1） （2） 四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、习题 2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大 2.2（a）将VCC改为VCC 。 （b）在VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC与集电极之间加Rc。 2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。 2.4空载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。 带载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.5（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7） （8） （9） （10） （11） （12）2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V2.7 2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真2.10 （1） （2） 2.11 空载时，2.12 2.13（1）静态及动态分析： (2) Ri增大，Ri4.1k；减小，1.92。 2.14 2.15 Q点： 动态： 2.16 2.17 图略。2.18 （1）求解Q点： （2）求解电压放大倍数和输入电阻： （3） 求解输出电阻： 2.19 (1) (2) 2.20（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加VGG，VDD改为VDD 2.21 （1）在转移特性中作直线uGSiDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。 在输出特性中作直流负载线uDSVDDiD（RDRS），与UGSQ2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ3V。 （2） 2.22 （1）求Q点：UGSQVGG3V 从转移特性查得，当UGSQ3V时，IDQ1mA，UDSQVDDIDQRD5V （2）求电压放大倍数： 2.23 2.24 （a） （b） （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。 （d） （e） （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。 （g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。第三章 多级放大电路自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3（UZUBEQ3）/ Re30.3mA IE1IE20.15mA（2）减小RC2。当uI0时uO0，ICQ4VEE / RC40.6mA。 习题3.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基（e）共源，共集 （f）共基，共集 3.2 图（a） 图（b） 图（c） 图（d） 3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e） 3.4 图（a） 图（b） 3.5 图（c） 图（e） 3.6 3.7 3.8 3.9 （1） （2） uOuOUCQ11.23V 3.10 3.11 AdgmRD40 Ri3.12 Ri 3.13 3.14 （1） （2） 若Ui10mV，则Uo1V（有效值）。若R3开路，则uo0V。若R3短路，则uo11.3V（直流）。第四章 集成运算放大电路自测题 一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1） （2） （3） （4） （5） 三、 四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。 （2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。 第二级共射放大电