简单NMOS和CMOS器件平面工艺,复习：工艺流程图,晶片准备,平面工艺,封装测试,硅片的类型标志,微电子制造工艺的主要内容,衬底制备单晶生长；晶片的切、磨、抛； 薄膜技术氧化、外延、蒸发； 掺杂技术扩散、离子注入； 图形加工制版、光刻（曝光、腐蚀） 热处理退火、烧结、去除光刻胶,简单NMOS和CMOS器件平面工艺,Simple NMOS Technology,N channel 4-mask 1 metal layer,单晶硅,掩膜版,Note!,0.55:0.45,note self alignment,?,Simple CMOS Technology,4 - Metal 1 2 - Polysilicon 3 - Diffusions 1 - Tub (N-well),CMOS Inverter,cut line,N-well Mask,Active Mask,Poly Mask,N+ Select Mask,P+ Select Mask,Contact Mask,Metal Mask,Other Cutaway Views,SiO2,剖面图,ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CMOS集成电路的一部分,标准埋层双极集成电路工艺制造的集成电路的一部分,外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺,总结一下：,现代工艺概要,双阱工艺,氮化物,隔离槽技术STI（shallow trench isolation）,USG：外层二氧化硅，防止吸潮 ，抗氧化,氧化物平坦化,槽刻蚀,氧化物填充,SOI工艺,埋层SiO2,多层技术化及焊球制备,SOD：旋凃绝缘介质,多芯片模组技术MCM,当前热点,SoC-System on a Chip 系统芯片技术 MEMS-MicroElectroMechanical System 微电子机械系统技术 NoCNetwork on a Chip 网络芯片技术,