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资源描述
脉冲与数字电路第三章（1）,（张珣） 杭州电子工业学院电子信息学院 2002,第三章 门 电 路,1、二极管开关特性：,特性 正向导通 反向截止 反向击穿,VTH 硅管:0.7-0.8V 锗管：0.3V,IS Si 1A Ge 10 A VBR,2、理想二极管开关特性应用,1串联二极管限幅器,思考1:若Vi=7Sin(wt) V,则Vo=?,思考1:若D反接,则Vo=?,3二极管钳位电路,3、非理想二极管开关特性,导通转向截止，由于结电容影响存在反向恢复时间Toff,3、非理想二极管开关特性（续）,*改进电路,*肖特基二极管 特点： 开关速度快 正向域值小，0.3v,4、三极管开关特性(工作状态),截止：Ib=0，Ic=0, Uce=Vcc; 放大： IbS Ib 0, Ic=Ib； Uce=Vcc-IcRc 饱和: Ib IbS， Ic = Vcc/Rc, Uce=0,4、三极管开关特性（分布电容）,5、三极管开关参数,接通时间 Ton 断开时间 Toff,5、场效应管开关（续）,5、场效应管开关（总结）,6、二极管门电路,
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