福州瑞芯微电子有限公司 1 RK31XX 硬件设计指南硬件设计指南 福州瑞芯微电子有限公司 Fuzhou Rockchips Semiconductor Co . , Ltd (版权所有,翻版必究) 版本： V1.0 作者： 瑞芯硬件组 完成日期： 2013-02-23 福州瑞芯微电子有限公司 2 目录目录 一硬件设计指南说明.4 二指南内容.4 三核心部分介绍.4 1 时钟电路部分.4 24M 晶体设计.4 32.768K 输入设计.6 2USB 接口电路设计.7 3 温感电路设计说明.8 4DDR 设计说明.9 5 存储卡电路设计说明.9 6FLASH 电路设计说明.9 NAND 电路设计.9 INAND 电路设计.10 升级 LORADER 电路设计.11 7DEBUG 接口电路设计说明.12 8MASKROM 及 RECOVER 模式说明.12 MASKROM 模式。.13 RECOVER 模式.13 四核心部分 PCB 设计指南.13 1 堆叠结构.14 2 屏蔽处理.15 3 晶体部分 PCB 设计指南.16 4USB 走线.17 5DDR3PCB 设计指南.17 走线宽度及安全间距；.18 信号分组.18 两片 16bitsDDR3 同面贴片.19 4 片 8bitsDDR3 同面贴片.19 4 片 8bitsDDR3 双面贴片.20 布线长度控制（建议） ：.20 其它走线注意点.21 VREF 的处理.22 阻抗要求.