设计方案1. 单片机采用：C8051F410。 12 位 AD，200KSPS ，多达 24 路外部输入（内部选择器） 。输入范围为 0-VREF。VREF 可以被配置成内部 1.5V，2.2V ，或外部输入。若配置成 2.2V，则分辨率为 2.2/4096=0.54mV。理论精度为 1/4096=0.03%。若采用 8 位则是 0.4%。 12 位电流输出 DA，电流最大输出范围为 0-0.25/0.5/1/2mA。 （XTR115 的输入电流范围 0.04-0.2mA） JTAG 在片调试，速度可达 50MIPS（时钟频率为 50MHz 时） 存储器，2304 字节内部数据 RAM（256+2048） ，32KB FLASH；可在系统编程，扇区大小为 512 字节 。64 字节电池后备 RAM（smaRTClock ） 24 个端口 I/O；推挽或漏极开路，耐 5.25 V 电压。可同时使用的硬件 SMBus（I2C兼容） 、SPI 和 UART 串口，4 个通用 16 位计数器/ 定时器，16 位可编程计数器/定时器阵列（PCA） ，有 6 个捕捉/比较模块和 WDT。硬件实时时钟（smaRTClock） ，工作电压可低至 1V，64 字节电池后备 RAM 和后备稳压器 供电电压范围 2.00-5.25V。50M 频率下 10mA 电流， 1M 频率下 0.3mA。 芯片内部用于温度传感器。 32 脚 LQFP2. （C8051F350=8K FLASH；768RAM；2.7-3.6V，24 位AD，8 位 DA，待选）3. 4-20 mA 电流输出采用： XTR115。 2 线制，24V 供电。 提供外部电路+5V 电源，+2.5V 参考电源。 输入电流控制，输出电流=100 倍输入电流。4. 温度传感器采用：TMP36（实验后决定是否使用） 。 供电电压范围 2.70-5.50V。 输出 10mV/，测温范围 -40-+125，输出电压 0-1.8V。 50uA 电流5. 霍尔位移传感器采用：SS495 模拟霍尔位置传感器。 体积小巧（0.16x0.118） 低功耗典型 7mA 在 5VDC，最大 8.7 mA 电源沉或源线性输出 内含激光修正的薄膜电阻提供精确的灵敏 度和温暖度补偿 工作温度范围-40+150 可反应于正的或负的磁场 方块霍尔传感元件提供稳定的输出 Rail-to-Rail 性能可提供更有效的信号以达到6. FLASH 存储器采用：M24C04。 4KBit，2mA ，2.5V-5.5V。7. 3.3V 电源采用：TPS76933DBVR 2.7-5.5V 输入， 3.3V 输出，最大输出电流 100mA。8. Hart 协议采用：HT2012 3.0-5.5V 电压， 5mA。9. 手抄机接口10. 电流闭环控制11. 问题 C8051 的 DA 电流输出能否直接接入,控制 XTR115 芯片（资料上可以，不行的话，用 PWM 信号控制） 。 XTR115 芯片是否自动协调了整个系统的电流消耗，只要输入控制电流正确，输出能自动减除系统本身的电流消耗。整个系统的电流消耗是否要小于 24V 下的4mA。24V 输入、4-20mA 输出C8051F410霍尔传感器温度传感器电流变送器电源 3.3V通信接口液晶12. 设计 管脚分配：液晶需要 12 个 I/O，霍尔传感器需要 1 个 I/O，温度传感器需要 1 个I/O，电流变送器需要 1 个 I/O，通信接口需要 3 个 I/O， FLASH 存储器需要 6 个I/O。一共需要 24 个 I/O。 功率分配：24*4=96mW。单片机33 mW，HT2012 17 mW，模拟霍尔位置传感器45mW，温度传感器1 mW ，FLASH7 Mw。一共小于 88 mW。1. C8051F430+XTR115+TMP36+HMC1501：输入和输出精度不保证2. C8051F430+XTR115+AD7705+TMP36+HMC1501：输入精度高，输出精度不保证3. C8051F430+AD472+AD7705+TMP36+HMC1501：输入精度高，输出精度高4. C8051F350+XTR115+TMP36+HMC1501：输入精度高，输出精度低5. C8051F350+ AD472+TMP36+HMC1501：输入输出精度高，资源不保证6.7. C8051F350+ AD472+XTR115+TMP36+HMC1501：输入输出精度高，资源不保证8. C8051F430+ AD472+AD7705+XTR115+TMP36+HMC1501：输入输出精度高，资源不保证1. F430+AD472+AD7705+XTR115+TMP36+HMC15012. F350+AD472+XTR115+TMP36+HMC1501