1第八章第八章干刻工艺干刻工艺8.1 Dry Etch 工序的目的工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity） 。然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切（Undercut）现象，导致图案线宽失真，如下图所示。图 8.1 底切现象 自 1970 年以来，元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术（也叫等离子体刻蚀技术） ，人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。在现今的半导体集成电路或 LCD 制造过程中，要求精确地控制各种材料尺寸至次微米大小，而且还必须具有极高的再现性，电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地将此工作在高良率下完成的技术，因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及 TFT LCD Array 制造中的主要技术之一。干式刻蚀通常指利用辉光放电（glow discharge）方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印（pattern transfer）的刻蚀技术。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，广泛应用于半导体或 LCD 前段制程。在本章节中，将针对干刻蚀技术加以说明。8.2 Dry Etch 的分类及工艺的基本原理的分类及工艺的基本原理 8.2.1 蚀刻技术中的术语蚀刻技术中的术语1.各向同性与各向异性蚀刻各向同性与各向异性蚀刻( Isotropic and Anisotropic Etching)不同的蚀刻机制将对蚀刻后的轮廓(Profile)产生直接的影响。如图 8.2 所示，纯粹的化2学蚀刻通常没有方向选择性，上下左右刻蚀速度相同，蚀刻后将形成圆弧的轮廓，并在遮罩(Mask)下形成底切(Undercut)，这种刻蚀被称为各向同性蚀刻。各向同性蚀刻通常对下层物质具有很好的选择比，但线宽定义不易控制。而各向异性蚀刻则是借助具有方向性的离子撞击，进行特定方向的蚀刻，形成垂直的轮廓。采用非等向性蚀刻，可定义出较细微的线宽。图 8.2 各向同性与各向异性刻蚀2.选择比选择比 ( Selectivity )在刻蚀过程中，被刻蚀物质上层的遮罩物质（如光刻胶）或下层的物质这些本来不需要被刻蚀的膜层也会同时遭到刻蚀，如图 8.3 所示。图 8.3 刻蚀前和刻蚀后比较选择比即为不同物质之间蚀刻速率的比值。其中又可分为对遮罩物质的选择比及对待蚀刻物质下层物质的选择比。选择比要求越高越好，高选择比意味着只刻除想要刻去的那一部分材料。选择比可以表示为选择比被刻蚀材料的速率/不需要被刻蚀材料的速率。3.负载效应负载效应( Loading Effect )负载效应就是当被蚀刻材质裸露在反应电浆或溶液时，面积较大者蚀刻速率比面积较3小者慢的情形。这是由于反应物质在面积较大的区域中被消耗掉的程度较为严重，导致反应物质浓度变低，而蚀刻速率却又与反应物质浓度成正比关系，大部份的等向性蚀刻都有这种现象。4.RF 自偏压（自偏压（self bias）电浆是等离子体，其内部正负离子相等，而如果解离腔体电极接上 RF power，由于其电极表面所带电荷的变换，会吸引正负离子及电子的接近，但因电子与带正电的原子核质量相差甚多，使得在经过高频的变换过程后，电子与正离子逐渐分离，质量较小的电子受吸引加速较快到达电极表面，使电极附近形成带负电的鞘层电压，这就是自偏压产生的原理。这个鞘层