这里要专门说明一下存储器，因为很多手机毛病都和存储有关，而且很多问题都和存储相 关，计算机的存储是关键，而手机更始关键，因为计算机有硬盘作为存储，而手机所有的 都在存储器里 存储器分为几类，RAM 随即存储器，ROM 随即只读存储器还有现在出现一些的闪存，以及 电子可编程存储和非易失存储起。一个一个到来 RAM 随机存储器，其中又有 SRAM（静态 RAM）DRAM（动态 RAM）， SRAM，只要只要电源开着，就会保存，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在 SRAM 中的，不会立刻写入通话记录。只有正常关机，才会写入，如果取电池的话，是不 会写入手机的通话记录的，如果在通话记录中出现了已经拨打电话，但是没有记录的情况， 那么有可能和这个存储器有关， 可能是你的软件上错误，也可能是硬件。 DRAM 在手机上用的不多，因为保留数据时间很短，从价格上看，SRAM 是非常昂贵的，而 DRAM 相比很便宜。 ROM 也有几种，PROM 可编程 ROM 和 EPROM 可擦除可编程 ROM 两者区别是，PROM 是一次性 的，也就是软件灌入后，这个就完蛋了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而 E PROM 则是通用的存储器，这些存储器不符和手机软件产品，一般使用 ROM 少 其他 FLASH 这是近来手机采用最多的存储器，这种存储起结合了 ROM 和 RAM 的长处，但是不属于 RAM 也不属于 ROM 手机大量采用的 NVRAM 非易失存储器 和 SRAM 属性差不多，EEPROM 电子可擦出可编程存 储器 ，闪存，ROM 的后代。手机软件一般放在 EEPROM 中，EPROM 是通过紫外光的照射， 擦出原先的程序，而 EEPROM 是通过电子擦出，当然价格也是很高的，而且写入时间很长， 写入很慢，所以前面提到的电话号码，一般先放在 S RAM 中，不是马上写入 EEPROM，因 为当时有很重要工作要做通话，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 NVRAM 是一个很特别的存储器，它和 SRAM 相类似，但是价格却高很多，由于一些数据实 在重要，断电后必须保持这些数据，所以只能存放在这里，一般和个人信息有关的数据会 放在这里，比如和 S IM 卡相关数据。容量大小也只有几百字节。 闪寸存储器是所有手机的首选，综合了前面的所有优点，不会断电丢失数据（NVRAM）快 速读取，电气可擦出可编程（EEPROM）所以现在手机大量采用， 说了这么多存储器，可能比较糊涂了，这么多存储器，究竟采用哪中呢，在手机发展中， 各种存储器都用过，至于现在，各种手机采用的存储器是不同的，这个和成本相关，各种 存储器价格不一样，本着性价比最优组合，由设计者决定，有些是可选的，有些是必须的， 是手机方案决定的，我们了解只是各种存储性能，特点，在测试中判断错误原因。手机存储器(Memory)非易失性存储器：用于存放手机程序、校准数据和用户数据。手机上的存储器有：NOR Flash Memory芯片；NAND Flash Memory芯片；各种存储器卡: mini-SD/T-Flash/RS-MMC等；微硬盘；RAM: Random Access Memory，静态随机存储器。 NVRAM: Not Volatile RAM，非易失性随机存储器 NOR Flash Memory(1) NOR Flash 是一种非易失性闪存，一般所说的 Flash 就是指NOR Flash。 一般把Flash与SRAM(或者pSRAM)一起封装在 一个芯片内，MCP(Multi-Chip Package)封装。 手机中使用的Flash芯片： 64Mb+64Mb+32Mb (R06、P100等项目)； SRAM: Static Random Access Memory，静态随机存储器; pSRAM: pseudo SRAM，外部使用SRAM接口，但内部是动态RAM技术 FLASH: 128Mbit=16MByte SRAM: 32Mbit=4MByte NOR Flash Memory(3) Flash的最小操作单位是Sector,一般为4Kword 和32Kword两种。 Flash可以分为几个BANK，一个BANK由若干 个Sector组成。 对Flash的写入数据之前，必须进行擦除。 可以一个擦除一个Sector，也可以连续擦除若 干个Sector或整个Flash。 为防止误操作擦写，对Flash的擦除和写入需要有一个完整的过程。各种记忆卡的对比：相同：一般采用NAND Flash技术。因NOR Flash 的读速度很快，但擦写速度 很慢，这也就是我们下载程序要花很长时间的缘故。