三极管的参数解释 -光谱半宽度VF-正向压降差Vz-稳压范围电压增量av-电压温度系数a-温度系数BV cer-基极与发射极串接一电阻，CE 结击穿电压BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE 结击穿电压BVces-基极与发射极短路 CE 结击穿电压BVebo- 集电极开路 EB 结击穿电压Cib-共基极输入电容Cic-集电结势垒电容Cieo-共发射极开路输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cie-共发射极输入电容Cjo/Cjn-结电容变化Cjo-零偏压结电容Cjv-偏压结电容Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL-负载电容（外电路参数）Cn-中和电容（外电路参数）Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Coe-共发射极输出电容Co-零偏压电容Co-输出电容Cp-并联电容（外电路参数）Cre-共发射极反馈电容Cs-管壳电容或封装电容CTC-电容温度系数CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct-总电容Cvn-标称电容di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率D-占空比ESB-二次击穿能量fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于 1 时的工作频率fT-特征频率f-频率h RE-共发射极静态电压反馈系数hFE-共发射极静态电流放大系数hfe-共发射极小信号短路电压放大系数hIE-共发射极静态输入阻抗hie-共发射极小信号短路输入阻抗hOE-共发射极静态输出电导hoe-共发射极小信号开路输出导纳hre-共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC-正向自动控制电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值IB-基极直流电流或交流电流的平均值Icbo-基极接地，发射极对地开路，在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer-基极与发射极间串联电阻 R，集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压 VCE 下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP-集电极最大允许脉冲电流ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。ICM-最大输出平均电流Ic-集电极直流电流或交流电流的平均值IDR-晶闸管断态平均重复电流ID-暗电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压 VEB 条件下，发射极与基极之间的反向截止电流IEM-发射极峰值电流IE-发射极直流电流或交流电流的平均值IF（AV）-正向平均电流IF(ov)-正向过载电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IFMP-正向脉冲电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流iF-正向总瞬时电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IGT-晶闸管控制极触发电流IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IL-光电流或稳流二极管极限电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流Iop-工作电流Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IP-峰点电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流Irp-反向恢复电流IRRM-反向重复峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）ir-反向恢复电流iR-反向总瞬时电流ISB-二次击穿电流Is-稳流二极管稳定电流IV-谷点电流Izk-稳压管膝点电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM-稳压二极管浪涌电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流n-电容变化指数；电容比PB-承受脉冲烧毁功率PCM-集电极最大允许耗散功率Pc-集电极耗散功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pd-耗散功率PFT（AV）-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率PGM-门极峰值功率PG-门极平均功率Pi-输入功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率Pn-噪声功率Pomax-最大输出功率Posc-振荡功率Po-输出功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率Ptot-总耗散功率Ptot-总耗散功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率Q-优值（品质因素）r -衰减电阻R(th)ja-结到环境的热阻R(th)jc-结到壳的热阻r(th)-瞬态电阻rbb 分钟 Cc-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb 分钟-基区扩展电阻（基区本征电阻）RBB-双基极晶体管的基极间电阻RBE-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RB-外接基极电阻（外电路参数）Rc -外接集电极电阻（外电路参数）RE-射频电阻RE-外接发射极电阻（外电路参数）RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I 称微分电阻RG-信号源内阻rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻RL-负载电阻RL-负载电阻（外电路参数）roe-发射极接地，在规定 VCE、Ic 或 IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻Rs(rs)-串联电阻Rth-热阻Rth-热阻Rz(ru)-动态电阻Ta-环境温度Ta-环境温度Tc-管壳温度Tc-壳温td-延迟时间td-延迟时间tfr-正向恢复时间tf-下降时间tf-下降时间tgt-门极控制极开通时间tg-电路换向关断时间Tjm-最大允许结温Tjm-最高结温Tj-结温toff-关断时间toff-关断时间ton-开通时间ton-开通时间trr-反向恢复时间tr-上升时间tr-上升时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度Tstg-贮存温度ts-存储时间ts-存贮时间Ts-结温V n-噪声电压V v-谷点电压V（BR）-击穿电压VAGC-正向自动增益控制电压VB2B1-基极间电压VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数）VBE(sat)-发射极接地，规定 Ic、IB 条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VBE10-发射极与第一基极反向电压VBE-基极发射极（直流）电压VB-反向峰值击穿电压VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCB-集电极-基极（直流）电压Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)-发射极接地，规定 Ic、IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻 R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压VCE-集电极-发射极（直流）电压Vc-整流输入电压VDRM-断态重复峰值电压VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB-饱和压降VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数）VF（AV）-正向平均电压VFM-最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VGT-门极触发电压Vk-膝点电压（稳流二极管）VL -极限电压Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值Vn-中心电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vo-交流输入电压Vp-穿通电压。Vp-峰点电压VRM-反向峰值电压（最高测试电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压VR-反向工作电压（反向直流电压）VSB-二次击穿电压Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压Vth-阀电压（门限电压）Vz-稳定电压vz-稳压管电压漂移-单结晶体管分压比或效率 p-发光峰值波长