分享：LED 外延片介绍及辨别质量方法外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试， 符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就 要开始做电极(P 极，N 极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压， 波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成 led 晶片(方片)。然后还要进行目测，把有一点 缺陷或者电极有磨损的，分捡出来，这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要 求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些参数不符合要求)， 就不用来做方片，就直接做电极(P 极，N 极)，也不做分检了，也就是目前市场上的 LED 大 圆片(这里面也有好东西，如方片等)。 半导体制造商主要用抛光 Si 片(PW)和外延 Si 片作为 IC 的原材料。20 世纪 80 年代早期开 始使用外延片，它具有标准 PW 所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶 片加工中所引入的表面/近表面缺陷。 历史上，外延片是由 Si 片制造商生产并自用，在 IC 中用量不大，它需要在单晶 Si 片表面上 沉积一薄的单晶 Si 层。一般外延层的厚度为 220m，而衬底 Si 厚度为 610m(150mm 直径片和 725m(200mm 片)。 外延沉积既可(同时)一次加工多片，也可加工单片。单片反应器可生产出质量最好的外延层 (厚度、电阻率均匀性好、缺陷少);这种外延片用于 150mm前沿产品和所 有重要 200 mm 产品的生产。 外延产品 外延产品应用于 4 个方面，CMOS 互补金属氧化物半导体支持了要求小器件尺寸的前沿工艺。 CMOS 产品是外延片的最大应用领域，并被 IC 制造商用于不可恢复器件工艺，包括微处理器 和逻辑芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和 DRAM(动态随机存取存储器)。分立半导体用 于制造要求具有精密 Si 特性的元件。奇异(exotic)半导体类包含一些特 种产品,它们要用非 Si 材料，其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体 利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离，这也是在外延加工中沉积的。 外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试， 符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就 要开始做电极(P 极，N 极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压， 波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成 led 晶片(方片)。然后还要进行目测，把有一点 缺陷或者电极有磨损的，分捡出来，这些就是后面的散晶。此时在蓝膜上有不符合正常出货要 求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。不良品的外延片(主要是有一些参数不符合要求)， 就不用来做方片，就直接做电极(P 极，N 极)，也不做分检了，也就是目前市场上的 LED 大 圆片(这里面也有好东西，如方片等)。 半导体制造商主要用抛光 Si 片(PW)和外延 Si 片作为 IC 的原材料。20 世纪 80 年代早期开 始使用外延片，它具有标准 PW 所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶 片加工中所引入的表面/近表面缺陷。 历史上，外延片是由 Si 片制造商生产并自用，在 IC 中用量不大，它需要在单晶 Si 片表面上 沉积一薄的单晶 Si 层。一般外延层的厚度为 220m，而衬底 Si 厚度为 610m(150mm 直径片和 725m(200mm 片)。 外延沉积既可(同时)一次加工多片，也可加工单片。单片反应器可生产出质量最好的外延层 (厚度、电阻率均匀性好、缺陷少);这种外延片用于 150mm前沿产品和所 有重要 200 mm 产品的生产。 外延产品外延产品应用于 4 个方面，CMOS 互补金属氧化物半导体支持了要求小器件尺寸的前沿工艺。 CMOS 产品是外延片的最大应用领域，并被 IC 制造商用于不可恢复器件工艺，包括微处理器 和逻辑芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和 DRAM(动态随机存取存储器)。分立半导体用 于制造要求具有精密 Si 特性的元件。奇异(exotic)半导体类包含一些特 种产品,它们要用非 Si 材料，其中许多要用化合物半导体材料并入外延层中。掩埋层半导体 利用双极晶体管元件内重掺杂区进行物理隔离，这也是在外延加工中沉积的。 目前，200 mm 晶片中，外延片占 1/3。2000 年，包括掩埋层在内，用于逻辑器件的 CMOS 占所有外延片的 69%，DRAM 占 11%，分立器件占 20%。到 2005 年，CMOS 逻辑将占 55%，DRAM 占 30%，分立器件占 15%。 LED 外延片-衬底材料 衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯 片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。衬底材料的选择主 要取决于以下九个方面： 1结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、 缺陷密度小; 2界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强; 3化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀; 4热学性能好，包括导热性好和热失配度小; 5导电性好，能制成上下结构; 6光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小; 7机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等; 8价格低廉; 9大尺寸，一般要求直径不小于 2 英吋。 衬底的选择要同时满足以上九个方面是非常困难的。所以，目前只能通过外延生长技术的变更 和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的 衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有三种，即蓝宝石 Al2O3 和碳化硅 SiC 衬底 以及 Si 衬底。 评价衬底材料必须综合考虑下列因素： 1.衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料 的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低; 2.衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨 胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件 的损坏; 3.衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气 氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降; 4.材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁， 成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于 2 英寸。 当前用于 GaN 基 LED 的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底目前只有三种，即蓝宝石 和碳化硅以及硅衬底。其它诸如 GaN、ZnO 衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离。 氮化镓： 用于 GaN 生长的最理想衬底是 GaN 单晶材料，可大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度， 提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。但是制备 GaN 体单晶非常困难， 到目前为止还未有行之有效的办法。 氧化锌： ZnO 之所以能成为 GaN 外延的候选衬底，是因为两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结 构相同、晶格识别度非常小，禁带宽度接近(能带不连续值小，接触势垒小)。但是，ZnO 作为 GaN 外延衬底的致命弱点是在 GaN 外延生长的温度和气氛中易分解和腐蚀。目前，ZnO 半 导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件，主要是材料质量达不到器件水平和 P 型 掺杂问题没有得到真正解决，适合 ZnO 基半导体材料生长的设备尚未研制成功。 蓝宝石： 用于 GaN 生长最普遍的衬底是 Al2O3。其优点是化学稳定性好，不吸收可见光、价格适中、 制造技术相对成熟。导热性差虽然在器件小电流工作中没有暴露明显不足，却在功率型器件大 电流工作下问题十分突出。 碳化硅： SiC 作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石，目前中国的晶能光电的江风益教授在 Si 衬 底上生长出了可以用来商业化的 LED 外延片。Si 衬底在导热性、稳定性方面要优于蓝宝石， 价格也远远低于蓝宝石，是一种非常有前途的衬底。SiC 衬底有化学稳定性好、导电性能好、 导热性能好、不吸收可见光等，但不足方面也很突出，如价格太高，晶体质量难以达到 Al2O3 和 Si 那么好、机械加工性能比较差，另外，SiC 衬底吸收 380 纳米以下的紫外光， 不适合用来研发 380 纳米以下的紫外 LED。由于 SiC 衬底有益的导电性能和导热性能，可以 较好地解决功率型 GaN LED 器件的散热问题，故在半导体照明技术领域占重要地位。 同蓝宝石相比，SiC 与 GaN 外延膜的晶格匹配得到改善。此外，SiC 具有蓝色发光特性，而 且为低阻材料，可以制作电极，使器件在包装前对外延膜进行完全测试成为可能，增强了 SiC 作为衬底材料的竞争力。由于 SiC 的层状结构易于解理，衬底与外延膜之间可以获得高质量 的解理面，这将大大简化器件的结构;但是同时由于其层状结构，在衬底的表面常有给外延膜 引入大量的缺陷的台阶出现。 实现发光效率的目标要寄希望于 GaN 衬底的 LED，实现低成本，也要通过 GaN 衬底导致高效、 大面积、单灯大功率的实现，以及带动的工艺技术的简化和成品率的大大提高。半导体照明一 旦成为现实，其意义不亚于爱迪生发明白炽灯。一旦在衬底等关键技术领域取得突破，其产业 化进程将会取得长足发展。