课时作业课时作业 41 晶体结构与性质晶体结构与性质时间时间： ：45 分分钟钟 分分值值： ：100 分分一、选择题一、选择题(共共 48 分，每小题分，每小题 4 分分)1(双选双选)共价键、金属键、离子键和分子间作用力都是构成物共价键、金属键、离子键和分子间作用力都是构成物质微粒间的不同相互作用力，含有上述中两种相互作用力的晶体是质微粒间的不同相互作用力，含有上述中两种相互作用力的晶体是( )ASiO2晶体晶体 BCCl4晶体晶体CCaCl2晶体晶体 DNa2O2晶体晶体答案答案BD解析解析A.SiO2晶体中只含共价晶体中只含共价键键； ；B.CCl4晶体中含共价晶体中含共价键键和分子和分子间间作用力；作用力；C.CaCl2晶体中只含离子晶体中只含离子键键； ；D.Na2O2晶体中含离子晶体中含离子键键和共和共价价键键。 。2下列叙述正确的是下列叙述正确的是( )A固态物质一定是晶体固态物质一定是晶体B冰和固体碘晶体中的相互作用力相同冰和固体碘晶体中的相互作用力相同C晶体内部的粒子按一定规律周期性的排列晶体内部的粒子按一定规律周期性的排列D凡有规则外形的固体一定是晶体凡有规则外形的固体一定是晶体答案答案C解析解析固固态态物物质质分分为为晶体和非晶体，二者的根本区晶体和非晶体，二者的根本区别别是晶体有三是晶体有三大特性，有大特性，有规则规则的几何外形，有各向异性，有固定的熔点，的几何外形，有各向异性，有固定的熔点，B 中冰中除中冰中除分子分子间间作用力外，作用力外，还还含有含有氢键氢键，而碘中只有分子，而碘中只有分子间间作用力，所以作用力，所以A、 、B、 、D 都是都是错误错误的，只有的，只有 C 正确。正确。3按下列四种有关性质的叙述，可能属于金属晶体的是按下列四种有关性质的叙述，可能属于金属晶体的是( )A由分子间作用力结合而成，熔点低由分子间作用力结合而成，熔点低B固体或熔融后易导电，熔点在固体或熔融后易导电，熔点在 1 000 左右左右C由共价键结合成网状结构，熔点高由共价键结合成网状结构，熔点高D固体不导电，但溶于水或熔融后能导电固体不导电，但溶于水或熔融后能导电答案答案B解析解析A 为为分子晶体；分子晶体；B 中固体能中固体能导电导电，熔点在，熔点在 1 000 左右，不左右，不是很高是很高应为应为金属晶体；金属晶体；C 为为原子晶体；原子晶体；D 为为离子晶体。离子晶体。4金属能导电的原因是金属能导电的原因是( )A金属晶体中金属阳离子与自由电子间的相互作用较弱金属晶体中金属阳离子与自由电子间的相互作用较弱B金属晶体中的自由电子在外加电场作用下发生定向移动金属晶体中的自由电子在外加电场作用下发生定向移动C金属晶体中的金属阳离子在外加电场作用下可发生定向移金属晶体中的金属阳离子在外加电场作用下可发生定向移动动D金属晶体在外加电场作用下可失去电子金属晶体在外加电场作用下可失去电子答案答案B解析解析金属原子失去金属原子失去电电子后子后变为变为金属离子，失去的金属离子，失去的电电子称子称为为自由自由电电子，自由子，自由电电子可以在金属晶体中自由移子可以在金属晶体中自由移动动，在外加，在外加电场电场的作用下，的作用下，自由自由电电子就会定向移子就会定向移动动而形成而形成电电流。金属的流。金属的导热导热性、延展性、性、延展性、颜颜色等色等均与自由均与自由电电子有关。子有关。5NaF、NaI、MgO 均为均为 NaCl 型离子化合物，由下表判断这型离子化合物，由下表判断这三种化合物的熔点高低顺序是三种化合物的熔点高低顺序是( )物质物质NaFNaIMgO离子所带电荷数离子所带电荷数112核间距核间距(1010m)2.313.182.10A. BC D答案答案B解析解析离子晶体中阴、阳离子的核离子晶体中阴、阳离子的核间间距越小，离子的距越小，离子的电电荷越高，其荷越高，其晶格能越大，熔点就越高。晶格能越大，熔点就越高。6.右图是金属晶体的右图是金属晶体的 A1型密堆积形成的立方面心的晶胞示意图，型密堆积形成的立方面心的晶胞示意图，在密堆积中处于同一密置层上的原子组合是在密堆积中处于同一密置层上的原子组合是( )A4 5 6 10 11 12B2 3 4 5 6 7C1 4 5 6 8D1 2 14 8 11 5答案答案B解析解析要熟悉金属晶体的四种堆要熟悉金属晶体的四种堆积积方式：方式：包括：包括：简单简单立方型立方型(只有只有 Po)、体心立方型、体心立方型(钾钾型型)、六方、六方紧紧密堆密堆积积(镁镁型型)、面心立方堆、面心立方堆积积(铜铜型型)，根据，根据题给题给晶胞可看出晶胞可看出 A1属于面心立方属于面心立方型。型。面心立方最密堆面心立方最密堆积积(A1)：将第一密置：将第一密置层记层记作作 A，第二，第二层记层记作作 B， ，B层层的球的球对对准准 A 层层中中顶顶点向上点向上(或向下或向下)的三角形空隙位置；第三的三角形空隙位置；第三层记层记作作C， ，C 层层的球的球对对准准 B 层层的空隙，同的空隙，同时应对时应对准准 A 层层中中顶顶点向下点向下(或向上或向上)的三角形空隙的三角形空隙(即即 C 层层球不球不对对准准 A 层层球球)。以后各。以后各层层分分别别重复重复A、 、B、 、C 等，等，这这种排列方式三种排列方式三层为层为一周期，一周期，记记作作ABCABC，如下，如下图图。由于在。由于在这这种排列中可以划出面心立方晶胞，故称种排列中可以划出面心立方晶胞，故称这这种堆种堆积积方式方式为为面心立方最密堆面心立方最密堆积积。 。故故题题中中对应对应的六个的六个 B 是是 2,3,4,5,6,7。当然也可以是。当然也可以是8,9,10,11,12,13，或者是，或者是 4,5,6,9,13,14，或者是，或者是 1,5,7,8,9,10 等等7下列叙述正确的是下列叙述正确的是( )A分子晶体中的每个分子内一定含有共价键分子晶体中的每个分子内一定含有共价键B原子晶体中的相邻原子间只存在非极性共价键原子晶体中的相邻原子间只存在非极性共价键C离子晶体中可能含有共价键离子晶体中可能含有共价键D金属晶体的熔点和沸点都很高金属晶体的熔点和沸点都很高答案答案C解析解析选项选项 A，分子晶体中不是每个分子内都有共价，分子晶体中不是每个分子内都有共价键键，如稀有，如稀有气体形成的分子晶体，故不正确；气体形成的分子晶体，故不正确；选项选项 B，原子晶体中的相，原子晶体中的相邻邻原子原子间间可以存在极性共价可以存在极性共价键键，如二氧化硅晶体中的，如二氧化硅晶体中的 SiO 键键是极性共价是极性共价键键， ，故不正确；故不正确；选项选项 C，离子晶体中可能含有共价，离子晶体中可能含有共价键键，如，如氢氢氧化氧化钠钠等；等；选项选项D，金属晶体的熔点有的很低，如汞，故不正确。，金属晶体的熔点有的很低，如汞，故不正确。8下面关于下面关于 SiO2晶体网状结构的叙述正确的是晶体网状结构的叙述正确的是( )A最小的环上，有最小的环上，有 3 个个 Si 原子和原子和 3 个个 O 原子原子B最小的环上，最小的环上，Si 和和 O 原子数之比为原子数之比为 12C最小的环上，有最小的环上，有 6 个个 Si 原子和原子和 6 个个 O 原子原子D存在四面体结构单元，存在四面体结构单元，O 处于中心，处于中心，Si 处于处于 4 个顶角个顶角答案答案C解析解析该题该题通通过过 SiO2的晶体的晶体结结构考构考查查原子晶体的空原子晶体的空间结间结构和晶构和晶体中各原子体中各原子间间的相互的相互结结合方式。合方式。联联想教材中想教材中 SiO2的晶体空的晶体空间结间结构模构模型，每个硅原子与四个氧原子型，每个硅原子与四个氧原子结结合形成四个共价合形成四个共价键键，每个氧原子与两，每个氧原子与两个硅原子个硅原子结结合形成两个共价合形成两个共价键键，其空，其空间间网状网状结结构中存在四面体构中存在四面体结结构构单单元，硅原子位于四面体的中心，氧原子位于四面体的四个元，硅原子位于四面体的中心，氧原子位于四面体的四个顶顶角，故角，故 D项错误项错误；金；金刚刚石的最小石的最小环环上有六个碳原子，上有六个碳原子，SiO2的晶体的晶体结结构可将金构可将金刚刚石晶体石晶体结结构中的碳原子用硅原子代替，每个构中的碳原子用硅原子代替，每个 SiSi 键键中中“插入插入”一一个氧原子，所以其最小个氧原子，所以其最小环环上有上有 6 个硅原子和个硅原子和 6 个氧原子，个氧原子，Si、 、O 原子原子个数比个数比为为 11，故，故 A、 、B 两两项错误项错误， ，C 项项正确。正确。9金属晶体中金属原子有三种常见的堆积方式：六方堆积、面金属晶体中金属原子有三种常见的堆积方式：六方堆积、面心立方堆积和体心立方堆积。心立方堆积和体心立方堆积。a、b、c 分别代表这三种晶胞的结构，分别代表这三种晶胞的结构，a、b、c 三种晶胞内金属原子个数比为三种晶胞内金属原子个数比为( )A321 B1184C984 D21149答案答案A解析解析a 晶胞中原子数：晶胞中原子数：12 2 36 个个1612b 晶胞中原子数：晶胞中原子数：8 6 4 个个1812c 晶胞中原子数：晶胞中原子数：8 12 个个18a、 、b、 、c 晶胞中原子个数比晶胞中原子个数比为为 6 4 23 2 1。 。10有有 X、Y、Z、W、M 五种短周期元素，其中五种短周期元素，其中X、Y、Z、W 同周期，同周期，Z、M 同主族；同主族；X与与 M2具有相同的电子具有相同的电子层结构；离子半径：层结构；离子半径：Z2W；Y 的单质晶体熔点高，硬度大，是的单质晶体熔点高，硬度大，是一种重要的半导体材料。一种重要的半导体材料。下列说法中，正确的是下列说法中，正确的是( )AX、M 两种元素只能形成两种元素只能形成 X2M 型化合物型化合物B由于由于 W、Z、M 元素的氢化物相对分子质量依次减小，所元素的氢化物相对分子质量依次减小，所以其沸点依次降低以其沸点依次降低C元素元素 Y、Z、W 的单质晶体属于同种类型的晶体的单质晶体属于同种类型的晶体D元素元素 W 和和 M 的某些单质可作为水处理中的消毒剂的某些单质可作为水处理中的消毒剂答案答案D解析解析本本题题考考查查元素的推断、元素化合物知元素的推断、元素化合物知识识，意在考，意在考查查考生的考生的推理能力和知推理能力和知识识面。本面。本题题的突破口在的突破口在 Y 上，短周期高熔点、硬度大的上，短周期高熔点、硬度大的半半导导体材料是硅，由此可推知体材料是硅，由此可推知 X、 、Z、 、W、 、M 分分别别是是 Na、 、S、 、Cl 和和 O 元元素。素。钠钠和氧可形成和氧可形成 Na2O 和和 Na2O2两种化合物，两种化合物，A 项错误项错误。 。B 项项因因H2O 分子分子间间存在存在氢键氢键，其相，其相对对分子分子质质量最小，沸点却最高，量最小，沸点却最高，错误错误。硅。硅单质单质是原子晶体，硫是原子晶体，硫单质单质和和氯氯气是分子晶体，气是分子晶体，C 项错误项错误。 。氯氯气和臭氧气和臭氧都可以用于水都可以用于水处处理中的消