资源预览内容
第1页 / 共9页
第2页 / 共9页
第3页 / 共9页
第4页 / 共9页
第5页 / 共9页
第6页 / 共9页
第7页 / 共9页
第8页 / 共9页
第9页 / 共9页
亲,该文档总共9页全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述
Comment z1: 小二号宋体、加黑 间 空两格Comment z2: 小四 加粗I(正文之前的页码实用希腊字母)摘摘 要要随着便携式电子设备的不断普及,人们对于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非挥发存储器的需求也在与日俱增。目前,Flash 仍是非挥发存储技术的主流,占据了非挥发存储器市场约 90%的份额,但随着半导体工艺技术代的不断推进,Flash 遇到了越来越多的瓶颈问题,比如浮栅厚度不能随着器件尺寸的缩小而无限制地减薄。 关键词关键词:非挥发存储器; 阻变存储器; 灵敏放大器; Comment z3: Times New Roman 小 二 加粗Comment z4: Times New Roman 小 四 加粗II(正文之前的页码实用希腊字母)AbstractWith the growing popularity of portable electronic devices, peoples requirement for high-density, high-speed, low-power and low-cost nonvolatile memory is also increasing. Keywords: Nonvolatile Memory; Resistive Random Access MemoryComment z5: 小二号宋体、加黑、 居中Comment z6: 目录中一级标题 四号 黑体 加粗目录中 二级标题 小四 宋体III(正文之前的页码实用希腊字母)目目 录录摘摘 要要.IAbstract .II目目 录录.III第第 1 章章 绪绪 论论 .11.1 研究意义.1 1.2 新兴非挥发存储器.1第第 6 章章 总结和展望总结和展望 .36.1 总结.3 6.2 展望.3参考文献参考文献 .4附录附录 1 1 英文原文英文原文附录附录 2 2 中文译文中文译文附录附录 3 3 电路原理图电路原理图附录附录 4 4 关键程序关键程序正文之前的页码用希腊字母,从绪论开始使用数字表示页码Comment z7: 中文小三黑体 +数字 小二Comment z8: 中文四号黑体 加粗 + 数字四号 Time New Roman 加粗Comment z9: 中文小四黑体 +数字 小四 Time New Roman 加粗Comment z10: 参考文献必须在正文 中应该引用的地方出现,并使用商标, 字体为小四 宋体Comment z11: 引用图的时候,不能 出现如上图所示字样,应该改为如图 X.X 所示。山东科技大学本科毕业设计(论文)1第第 1 章章 绪绪 论论1.1 研究意义研究意义二十一世纪的社会是信息化的社会,而信息化社会的重要标志就是电子化,虚拟化的生活逐渐在社会中其主导作用,以0和1为表征。1.2 新兴非挥发存储器新兴非挥发存储器随着制作工艺的限制,传统 flash 的研究遇到很大的瓶颈,下面介绍四种新兴非挥发存储器。1.2.1 磁阻式随机存取存储器磁阻式随机存取存储器MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory,磁阻式随机存取存储器)的设计十分具有吸引力,作为一种非易失性存储器,它拥有低压操作的潜能,耐循环擦写能力强,同 DRAM 比较同样能进行高速操作,集成度高。MRAM 使用一个磁性隧道结存储器单元结构,放大隧道式磁阻(Tunneling Magneto Resistance,TMR)效应1。这个结构利用根据磁通量方向增加电阻的原理在写操作过程中,通过磁通量的存在和缺省对电阻级别进行控制,然后,在读操作过程中,电流以磁通量阻值为依据,存储为 0 或 1,如图 1.1 所示。Comment z12: 图的标题在图的下面, 5 号字体 中文宋体+英文 数字 Time New RomanComment z13: 表的标题在表的上面, 5 号字体 中文宋体+英文 数字 Time New Roman山东科技大学本科毕业设计(论文)2图 1.1 隧穿结的基本结构和原理表 1.1 对各种上文介绍的不挥发存储器的比较,可以得出如下结论:RRAM 的存储材料相比其他不挥发存储器具有更好的 CMOS 工艺兼容性,因此,比较容易实现高密度、低成本生产制造。它同时具有低功耗的优点,另外在疲劳特性、速度、按比例缩小等方面都具有相当的潜力。表 1.1 各种不同不挥发存储器性能比较存储器类型FlashFeRAMMRAM挥发性非挥发非挥发非挥发单元尺寸()25-102020写/擦/读时间(ns)1us/1-100m80/80/8030/30/30多值存储能力有无无功耗低中等中等与 CMOS 兼容性不兼容一般一般寿命10e510e10不限Comment z14: 表中的字体使用五号山东科技大学本科毕业设计(论文)3相对成本中等高高山东科技大学本科毕业设计(论文)1注意事项注意事项1正文之前的页码使用 I, II, III 等希腊字母,从第一章开始使用数字作为页码2正文中的括号使用() ,不能使用()3子标题的级别:1. 当前级别() 下一级别 更低一级4参考文献前面使用1, 2, 3 等作为序号5表的标题是五号字体,放在表的上面,标题与正文的行距比正文的行距多 0.5 行,例如,正文的行距为 1.5 倍行距,则标题与正文的行距为 2 倍行距。6图的标题是五号字体,放在图的下面,标题与正文的行距比正文的行距多 0.5 行,例如,正文的行距为 1.5 倍行距,则标题与正文的行距为 2 倍行距。7图和表的标题,每章单独排序,如第二章的第三张表为 表 2.3 数据比较如第三章的第四张图为 图 3.4 硬件架构8论文中的式子 居中,式号在最右边,式子使用 mathtype 插入,如:svt(4.1)山东科技大学本科毕业设计(论文)2引用的时候,如下规范:是速度可采用式(4.1)进行计算。9 编辑 word 文档的时候要打开“显示/隐藏文档标记” ,如图 3.1 所示。图 3.1 打开文档标记10整片文档中,英文数字使用 Time New Roman11整篇文档中药注意中文逗号(, , , , , , , )和英文逗号“,”的区别。12论文中不能出现“我” 、 “我们” 、 “本人”等人称代词,应使用“本文”13 对于英文缩写的解释整个论文中只能出现一次,以后不需要重复解释。对英文缩写的解释既要有英文全称,也要有中文名称,如:MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory,磁阻式随机存取存储器)14参考文献的格式学校规定篇数不能少于 8 篇,英文不少于 2 篇。期刊要有年份,期、卷和页码,标记为J. 书刊的标志为M,具体可参照学校的标准。期刊后面的页码是指文章在所在当前期刊的页码,不是指在毕业论文中的页码山东科技大学本科毕业设计(论文)3山东科技大学本科毕业设计(论文)1第第 6 章章 总结和展望总结和展望6.1 总结总结自己做的东东。6.2 展望展望存在的不足和下一步要做的东西。山东科技大学本科毕业设计(论文)2参考文献参考文献1 Yang J. J., Pickett M. D., Li X. M., et al. Memristive switching mechanism for metal oxide metal nano devices J. Nature Nano technology, 2008, 160(3) : 429-433.2 Wei Z., Kanzawa Y., Arita K, et al. Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox reaction mechanismC. IEDM Tech Dig, 2008: 293-296.3 李萌, 陈刚, 林殷茵,一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案J,半导体检测与测试技术, 2012, 2(4): 1003-3536.4 万海军. 电阻存储器RR脚的可靠性研究D, 上海:复旦大学,2010.
网站客服QQ:2055934822
金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号