1碩士論文撰寫方式碩士論文撰寫方式交通大學電子研究所吳重雨教授 撰稿柯明道教授 補注 1. 論文第 1 section 是 introduction，其內容應包括： 內容：內容：(1) 此論文研究所做的事物，其相關背景之介紹（廣泛性）。如做 ADC，可介紹 ADC 之重要性。(2) 介紹以往相關之研究方法、結果及文獻（不相關不必提），每一種研究結果或方法均加以簡要 review，review 資料一定要 search 完整。(3) 指出(2)中各種方法之優點，更重要的是缺點。(4) 指出上述問題或缺點，是否有人企圖要去解決？如有，結果又如何？是否有遺留的問題或缺點？(5) 由(4)引出本研究之動機，如無(4)，則也要講出動機。(6) 簡要介紹自己的研究方式及研究內容。(7) 簡要提出重大成果及如何解決問題或改善缺點的成果，以與(4)(3)互相呼應。(8) 說明此論文第 2 段，第 3 段，.，每段要介紹描述的內容大要。Introduction 結構：內內內內內內內內內內內內review內內 內內內內內內內內內內內內內內內內內注意：注意：(1)Introduction 內，儘量避免圖和 equation。(2)不可太過冗長。(3)相關之研究資料一定要 search 清楚，以確實掌握情況，免得你(妳)的新研究已有人做過你(妳)不知情。2. 論文第 2 section 常為理論模式、理論分析、設計理論、線路工作原理 說明、或是 SPICE 模擬結果。 注意：注意：2(1)如果份量很重，可酌分數個 subsection 或拆成 2 個以上的 section。(2)工作原理一定要詳加說明，不可附上線路圖了事。(3)理論模擬或其他相關圖表，常需在文內用文字加以解釋，不可附上了事，不知其意義。(4)如果 equation 需推導，或 equation 太長太多，可用 Appendix 方式附在論文之後，以免別人閱讀文章時，遇到太多 equation，而中斷思維。(5)為讓後人看詳細，各 equation 儘可能推導清楚。(6)理論或 equation 推導所作的假設，要敘述清楚。3. 論文第 3 section（如 2 內有數個 section，則類推），為實驗介紹、理論 印證、circuit layout 說明、製造技術說明等等。 內容：內容：(1) 說明實驗或製造之條件、參數、內容、方法及量測方法。尤其實驗條件一定要說清楚，sample 的參數也須說明白。(2) Layout各線路圖可視情況分開說明。Pad 及 pin assignment 一定要附上。Layout全圖一定要有。Chip 照相局部或全部一定要有。(3) Chip fabrication 技術須加以說明清楚。(4) 如有實驗 sample matrix，亦須說明，並介紹其實驗設計目的。 注意：注意：(1)Layout圖之處理最好用彩色圖。圖例說明清楚，以免別人看不懂。(2)測量 set-up 及測量方法一定要交代得清清楚楚，如 threshold 如何量的、delay 如何量的、Gain 如何量的。4. 論文下一 section 為量測結果與討論（如果有的話）。 內容：內容：(1) 測量數據儘可能以圖表示，少用 table。(2) 其他實驗數據。(3) 數據之說明及印證。每一種數據均要加上文字說明，不可附上就罷。(4) 與前面理論之印證要詳加說明，凸顯其一致性。實驗結果要與 post simulation/spec 作比較，所有實驗中調整的 bias 狀況都要詳列。(5) 如實驗結果要與 post simulation/spec 有不一致（有誤差或未達到所設計之function 或 spec），要詳加討說明，指出可能原因。(6) 量測環境、設定要詳列，若有使用電路板，最好放上電路版的照相圖。5. 如果做很多不同的東西，不適合合起來，可分別將 2/3/4 合成一部份，3再列成不同部份。如同時作 ADC，DAC，則 ADC 可將 2/3/4 合成 12 section；DAC 另合成 12 section，如此亦可。如果如果 2/3/4 有一有一 section 份量太少，可酌予併入其他份量太少，可酌予併入其他 section。6. 論文最後為 Discussion 及 Conclusion。 內容：內容：(1) 簡要複述你所作之研究內容。(2) 提出你的重大成果（與 introduction 不同，更深入些），最好提出具體數目字。(3) 略述所遺留問題。(4) 指出未來研究方向及建議。7. 論文 Abstract：注意不要與 Discussion 及 Conclusion 雷同。8. 其他注意事項：(1) 所有圖的大小不可以比還 A4 大（Layout除外，大圖可折疊），也不能像A4 一樣大，要小些，預留裝訂位置，否則會被切到或訂到，閱讀不便。(2) 圖上文字要大一些，不要直接打字上去。(3) 座標圖要四個框框，不可只有兩個座標軸。OKOK(4) 圖內要將重要條件說明上去，以利辨認及觀看，否則一些類似的圖放在一起，雖有 Figure caption，但看起來仍不方便，容易混淆。(5) 電路圖要畫清楚接點一律畫，跨接一律為，其餘符號儘可能按 IEEE標準，（三上三下），(6) 表之設計要用心，表內除數據外各欄文字的格式要一致，不要有全小寫的，有全大寫的，有第一個字第一個字母大寫的，每一個字第一個字母大寫等五花八門的情況發生。在此僅要求：不可全部都是小寫。各人之格式論文前後要一致。4(7) 數據儘可能以圖表示，不要以表表示，除非圖不能表示才用表。(8) (6)之結論對(3)之座標圖及(4)圖內文字也一樣，座標圖上的文字一律向內， 如：T i m eC u r r e n tV o l t a g e字的大小如(6)所訂，文字後可加符號，如 V, I, (9) 圖上所用的記號或線條一定要用圖例在圖內註明。line1line3line2(10)用虛線畫圖時，點不能太小，否則以後縮小刊印時會看不到。(11)文章內之格式請大家協調一致。如空行、開頭空格、Section 題目大小寫、Section 用、或 1、2、3 ，Subsection 表示法 A)、B)或 1)、2)或A、B 或 I-1、I-2 等等，儘可能按 IEEE 的形式。(12)Reference 用 IEEE form。期刊論文與研討會論文，在頁碼與年代排列順序不同，要留意。請詳細參考下列例子或參考 IEEE 最近幾年的期刊論文格式。例如 :1 C. Duvvury, R. Rountree, and O. Adams, “Internal chip ESD phenomena beyond the protection circuit,” IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 35, pp. 2133-2139, 1988.2 C. Cook and S. Daniel, “Characterization of new failure mechanisms arising from power-pin ESD stressing,” in Proc. of EOS/ESD Symp., 1993, pp 149-156.3 S. Voldman and G. Gerosa, “Mixed-voltage interface ESD protection circuits for advanced microprocessors in shallow trench and LOCOS isolation CMOS technologies,” in IEDM Tech. Dig., 1994, pp. 227-280.4 M.-D. Ker, H.-H. Chang, and C.-Y. Wu, “A Gate-coupled PTLSCR/ NTLSCR ESD protection circuit for deep-submicron low-voltage CMOS ICs,” IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.32, no.1, pp.38-51, 1997.55 Electromagnetic compatibility for industrial - process measurement and control equipment, International Standard, IEC 801-2, 1991.6 M.-D. Ker, H.-H. Chang, and T.-Y. Chen, “ESD buses for whole-chip ESD protection,” in Proc. of IEEE International Symp. on Circuits and Systems, vol. 1 of 6, 1999, pp. 545-548.7 K. Yoshitake, “Integrated circuit having two circuit blocks therein independently energized through different power supply terminals,” US patent # 4,855,863, Aug. 1989.(13)文章內，表內和圖內所用符號一定要一致，如文章內用 VDS1到了表內 變成 vDS1，如此會造成混亂，切記不可！尤其大小寫、上下標最易混亂，如V1、V1、v1 等。(14)電性物理量符號大小寫方式請按電子學規定。ID：DC、id：AC、iD：total 等等。(15)Equation 編號用(1)、(2)、(3)（不是(1-1), (2-3)）如： I=V/R (1)(16)文章內引用 equation 時，用(1)，(2)即可，不必加 Eq.(1)。 Figure 時，用 Fig. 1, Fig. 2 Fig. 3(a) Figs. 1 and 2。Table 時，用 Table , Table , Table (a)Tables and 。(17)Table 編號用羅馬數字，Figure 編號用 1，2，3 可加(a)，(b) 1(a)，1(b)，1(c)(18)Figure 及 Table captions 各集中在一起，放在 Figure 及 Table 之前面，即 Table captions Figure captions Tables Figures。(19)所有在文內、圖內及 Table 內所提到的符號均需加以解釋。出現第一次時即加以解釋，以後免。解釋方式： 就便在文內註解。 如無 a.之方便，則加 list 或 symbol。(20)如有 SPICE 模擬結果，則一律要附 device parameters 另放於 Table 內。(21)layout chip 照片上一定要用文字說明此區是什麼，文字要在照片上或旁邊。(22)波形照相時，後面刻度要清楚，scope 上之文字數目顯示也要清楚。波形高低點要標上電壓，並說明其訊號名字，如：6line1line3line25V1V5V0V3V0V(23)文內提到 reference 方式，以 IEEE form 為準。(24)電路 show 出時，如知道 MOS dimension，要用表或直接在圖上寫出。(25)圖、表上之內容要在文章內加以適當的說明、闡釋或顯明意義等，切忌附上就作罷。(26)文章內切忌有矛盾現象，一定要自圓其說。文章內切忌有矛盾現象，一定要自圓其說。如：理論預測值大，但實驗值小。如：理論預測值大，但實驗值小。如：解釋現象原理與以前說的