第5章 内存的认识与选购 名称：compute3190sina.com密码：123319第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 5.1 内存的认识5.2 如何选择理想的内存5.3 DDR内存选购实战5.4 RDRAM内存5.5 内存防伪技巧第5章 内存的认识与选购 宇瞻512MB DDR400 （停产） 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 金士顿DDR2 800 120第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 金士顿2GB DDR3 1333 130第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 威刚2GB DDR3 1333（万紫千红） 85第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 海盗船TW3X4G2000C9DF (7500)第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 5.1 内存的认识5.1.1 内存的分类1ROMROM的特点是断电后不丢失其中所储存的程序或数据，主要用来保存一般无需修改就可以长期使用的 信息，如主板上的BIOS、部分打印机中的汉字库、网卡上的启动程序等。ROM中的信息能在特定的条件下擦除并重写。 第5章 内存的认识与选购 目前电脑等设备中常用的ROM芯片擦写方式可分为紫外光擦写的EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦写编程ROM)和电擦除的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM，电擦写编程ROM)两种，其中电擦写ROM即常说的快闪ROM或快擦写ROM(Flash ROM)。紫外光擦写的ROM芯片最突出的特征是芯片上有一个透明的小孔，这个孔就是为了能让紫外光照进去擦除信息才开的。这种芯片在写入数据后一般都用黑色或铝箔不 干胶纸贴上，过去的486以下档次的电脑中常用它来保存主板的BIOS程序。第5章 内存的认识与选购 随着电脑技术的发展，主板BIOS程序也经常因为添加新型CPU或其他器件的支持而需要升级，所以现在电脑主板上已经改用快闪ROM保存BIOS。由于快闪ROM使用方便，所以目前已经完全在电脑主板、高速图形显示卡等器件中取代了紫外光擦写ROM，用来保存这些设备所必须具备的BIOS程序。2RAMRAM是电脑中使用最多的存储器，它最重要的特点在于存取速度比ROM快，但在断电后就会丢失所有已经保存的数据。RAM根据其保存数据时的工作原理可分为SRAM(Static RAM，静态存储器)和DRAM(Dynamic RAM，动态存储器)两大类。 第5章 内存的认识与选购 SRAM的工作原理是利用数字电路中触发器的导通和截止 来表示数据，数据的改变速度取决于晶体管的完全导通和截 止时间。一般来说，SRAM通常只作为CPU上的高速缓存使 用。另外，主板上的BIOS芯片中也有一片SRAM用于保存用 户设置的数据，所以主板上都有一块电池用于在电脑关机后 继续为BIOS芯片供电。DRAM是利用半导体MOS电容充电成高电平后表示数据 “1”，放电后表示“0”。但由于电容存在着不能避免的漏电现象 ，所以在要求某内存单元由“1”变为“0”之前必须设计让电容继 续保持高电位。由于电容充、放电需要一定的时间，而且还 必须经常刷新，所以DRAM的存取速度比SRAM慢，故被称 为动态存储器。DRAM可根据工作方式分为FPM DRAM(快页 式DRAM)、EDO DRAM(扩展数据输出DRAM)、SDRAM(同 步DRAM)以及目前的DDR(双倍速度的SDRAM)和 RDRAM(Rambus DRAM)。 第5章 内存的认识与选购 缓存又分L1缓存和L2缓存。L1缓存是最重要的，它是最接近CPU的，因此访问速度也最快。但由于制造技术和成本的问题，它的容量很有限。L2缓存也非常重要，尤其是当它在高速状态下更是如此。第5章 内存的认识与选购 5.1.2 常用的内存条类型1SDRAM图5-1所示的是SDRAM内存条。 SDRAM(Synchronous Burst RAM)的中文意思是同步突 发内存，具有168线，工作电压为3.3 V，带宽为64 bit ，速度可达6ns(pc133)。SDRAM是双存储体结构，也 就是说有两个储存阵列，一个被CPU读取数据的时候，另一个已经做好被读取数据的准备，两者相互自动 切换，使得存取效率成倍提高。同时，它将RAM与 CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步， 取消等待时间.。第5章 内存的认识与选购 图5-1 SDRAM内存条图5-1 SDRAM内存条 第5章 内存的认识与选购 2DDR SDRAM图5-2所示的是DDR内存条。DDR(Double Data Rate RAM)的中文意思是双倍数据传速率的SDRAM内存，它的速度比SDRAM提高一倍，其核心建立在SDRAM的基础上，但在速度和容量上有了提高。DDR的工作电压是2.5 V，这使得DDR内存减少了耗能。DDR接口与SDRAM不兼容，它使用184线取代了SDRAM的168线。第5章 内存的认识与选购 图5-2 DDR内存条 第5章 内存的认识与选购 3RDRAM图5-3所示的是RDRAM内存条。RDRAM(Rambus DRAM)的中文意思是动态随机存储器，这是Intel所推 崇的内存发展方向，它将RISC(精简指令集)引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它 具有相对SDRAM较高的工作频率(不低于300 MHz)， 但其数据通道接口带宽较低，只有16 bit。当工作时钟 为300 MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到 300162/8=1.2 GB/s，若是两个通道，就是2.4 GB/s。第5章 内存的认识与选购 RDRAM与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线，也可 以被定义成控制线，其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不 需要增加芯片引脚。DRDRAM要求RIMM中必须都插满，空余的插槽中必须插上传接板(也叫终结器)。针脚数184. 第5章 内存的认识与选购 图5-3 RDRAM内存条第5章 内存的认识与选购 3DDR2 SDRAM内存条DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。第5章 内存的认识与选购 在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用 DDR2内存的频率了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频 率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。第5章 内存的认识与选购 在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用 DDR2内存的频率了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频 率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。第5章 内存的认识与选购 封装和发热量DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认 为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量 、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升 ，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形 式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响 它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心 频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用 FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，第5章 内存的认识与选购 FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 3DDR3 SDRAM内存条DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。 第5章 内存的认识与选购 18bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有等效数据频率的1/8，DDR13-800的核心工作频率（内核频率）只有100MHz。 2采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至 1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 第5章 内存的认识与选购 5.1.3 内存的性能指标1存储容量存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。Z早期内存条的存储容量一般为128 MB、256 MB和512 MB。目前内存条的存储容量一般为1GB、2GB和4GB MB。第5章 内存的认识与选购 2存取周期存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读/写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存取周期一般为3ns10