王晓艳一基本概念1.什么是硅晶体 一 2.什么是芯片 二二制造芯片的原理和过过程方法 三 1.原理 四 2.过过程和方法 五三芯片的发发展一基本概念1.什么是硅晶体硅在元素周期表中是第主族元素，它的原子最外层有四个电子，所以硅在化合物中呈四价。半导体硅主要有多晶硅和单晶硅，在单晶硅中所有的硅原子按一定规律整齐排列，结构完全是金刚石型的。每个原子和邻近的四个原子以共价键结合。组成一个正四面体，每个硅原子可以看成是四面体的中心。常压下，金刚石构型的硅在低于1414时是稳定的。 所以通常用的硅都是单晶硅用扫描隧道显向镜观察到的硅晶体表面的原子排列(Si(m)7结构)硅的价电子分布是3S3P。一个3S轨道上的电子激发到 3P轨道上形成新的SP杂化轨道。硅原子的杂化轨道决定 了硅晶体必为金刚石结构。四个最邻近的原子构成四面体 ，硅晶体中所有的价电子束缚在共价键上没有自由移动的 电子，不能导电。只有当电子激发脱离共价键，成了自由 移动的电子才能导电激发脱离共共价键的电子越多导电性 越强，这也就是半导体性。2 什么是芯片芯片，准确地说就是硅片，也叫集成电路。是微电子技术的主要产品。所谓微电子是相对强电弱电等概念而言的。指他处理的电子信号极其微小。它是现代信息技术的基础。计算机芯片是一种用硅材料制成的薄片，大小仅有手指甲的一半。一个芯片是有几百个微电路连在一起的，体积很小，在芯片上布满了产生脉冲电流的微电路。计算机内的电路很小，使用的电流也很小所以也称芯片为微电子器件。微型计算机中的主要芯片有微处理芯片、接口芯片、存储 器芯片等。二 制造芯片的硅晶体的原理和过程方法1 原理硅片的平整度、表面颗粒度、委屈电阻率均匀性控制等方面对芯片的功能和成品 率都有很大影响。如果硅片的平整度不够， 由于光的衍射作用，线条的 精确度无法保证而且硅 片中央与边沿的光刻精度一 致性会变差。硅片表面硅片表面吸附的微小杂质颗粒，我们无法用肉 眼发现，必须借助电子显微镜在暗场下观察。暗场下的亮 点象天上的星星一样，它是芯片的天敌，可以导致器件失 效，严重影响器件的可靠性。微小杂质颗粒的来源主要是 化学试剂、气体及环境。硅晶体的提纯正是由于低纯度的硅对芯片的功能和成品率有如此重大的影响，所以工业生产就要求高纯硅，以满足器件质量 的需求。在半导体材料的提纯工艺流程中，一般说来，化 学提纯在先， 物理提纯在后。原因是：一方面化学提纯 可以从低纯度的原料开始，而物理提纯必须使用具有较高 纯度的原料；另一方面是化学提纯难免引入化学试剂的污 染，而物理提纯则没有这些污染。工业硅，一般指95% 99%纯度的硅 ，又称粗硅，或称结晶硅。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而 成的，其反应式为：工业硅中所含杂质主要有Fe、Al、C、B、P、Cu 等， 其中Fe 含量最多。工业硅的纯化最常用的方法是酸浸（酸洗） 。由石英砂（SiO2）制备多晶硅的流程：在粗四氯化硅中含有杂质如硼、磷、钛、铁、铜等的氯物 ， 提纯的目的就是最大限度的出去这些杂质。常用精馏提纯 。 在粗四氯化硅中含有杂质如硼、磷、钛、铁、铜等的氯物 ， 提纯的目的就是最大限度的出去这些杂质。常用精馏提纯 。在11001200 C 下还原 SiHCl3 沉积多晶硅，也是目 前多晶硅材料生产的主要方法。因为氢气易于净化，而 且在硅中的溶解度极低。反应方程式为： 2 芯片的制造要在大约5 平方毫米的薄硅片上制作数百个电路，需要非 常精密的生产技术。芯片上的元件是用微米测量的，定位时 的精密度为1-2 毫米。芯片是在超净化的工厂内，使用由具有专门技术的计算机控制的机器制 造的。在制造过程中需要用高倍 显微镜对芯片进行观察。 制造芯 片时，将元件和电路连线置于硅 片的表面和内部，形成9-10 个不 同的层次。在真空中生成圆柱形 的纯硅晶体，然后将其切成0.5 毫米厚的圆片，将圆片的表面磨 得极其光滑。利用存储在电子计 算机存储器里的电路设计程序，为芯片的各层制造一组“光 掩模”，这种掩模是正方形的玻璃。用照相处理的办法或电 子流平板印刷技术将每一层的电路图形印在每一块玻璃掩模 式上，因而玻璃仅有部分透光。当上述圆片被彻底清洗干净 后，再放入灼热的氧化炉内，使其表面生成二氧化硅薄绝缘 层。然后再涂上一层软的易感光的塑料（称为光刻胶或光致抗蚀剂）。将掩模放在圆片的上方，使紫外线照射在圆片上 ，使没有掩模保护的光刻胶变硬。用酸腐蚀掉没有曝光部分 的光刻胶及其下面的二氧化硅薄层，裸露的硅区部分再做进 一步处理。 用离子植入法将掺杂物掺入硅中构成元件的n 型 和p型部分，在硅片上形成元件。此时硅片上部是铝连接层，两层连接层之间被二氧化硅绝缘 层隔开。铝连接层由蒸发工艺生成， 有掩模确定它的走线。 当整个制造过程完成以后，使用电探针对每一个芯片进行检 验。将不合格的产品淘汰， 其它产品进行封装后在不同温度 及环境条件下的检验，最终成为出厂的芯片。三 芯片的发展19501960 年的空中竞争非常激烈。美国为了在飞船有 限的空间内做更多的事要求设备的体积小而再小，以便在很 小的空间内能装更多的电子设备，从而发展芯片。许多生产 者很快利用芯片体积小，消耗电流少的优点，进一步生产了 微型计算器和微型计算机。自从第一台电子管计算机发明后 ，1974 年，三个美国科学家巴丁、肖克莱和布拉坦发明了 晶体管。最早的晶体管是用锗半导体制成的，后来才使用硅半导体晶体管。大约1953 年晶体管才开始用于计算机。 1958 年在美国得克萨斯仪器 公司工作的美国人杰克吉尔 比提出将两个晶体管放在一 片芯片上的设想，从而发明 了第一个集成电路。随着技 术进步，集成电路规模越来 越大，功能越来越强。现在的计算机要靠硅芯片。 硅芯片所记录的信息是被描述上去的。硅芯片愈小，精确 地记录信息就愈难。但是，晶体芯片能够以容纳电荷的形 式容纳信息，并且能够更加有效地编排信息。基克斯说，利用这种分子技术所生产的芯片体积小得像尘粒一样。他还说：“你一走进房间，它就可以把电视调到你最喜欢的频道上。也就是说，免得你来来回回操纵鼠标而 患腕关节不适之综合症状，把你的手指变成了鼠标。” 在半导体制造业发展的几十年中，硅原料本身的自然属 性一直没有对芯片运行速度的等方面对行骗的功能和成品率都有很大影 响。提高产生任何阻碍作用。但是，随着芯片制造技术的不断改 进，硅原料自身的一些不足之处逐渐成为了芯片运行速度进 一步提高的绊脚石。为此涌现出一系列的制程技术用来改进 这种状况，包括铜互连（copper interconnects）技术，低介 电薄膜（low-k dielectrics）技术和硅晶绝缘体（silicon on insulator，SOI）技术等等。其中铜互连技术用于提高速度，而另外两项技术主要用于控制电能泄漏和减少电能需求（由于更有效的利用了电能，从而降低了芯片的发热量，这也同样有助于运行速度的提升）。尽管有了这些技术，但是许多年来，制作芯片的硅衬底本身在本质特性上并未发生任何变化。目前在一些实验中采用 了单一同位素硅（100 的硅28，没有 掺杂任何硅29 和硅30 的成分， 该材料号称“最纯洁的硅元”）做原料，大大改善了芯片的发热和能耗问题。尽管这种纯同位素材料与 现在的混和同位素材料相比能够带来高达60%的性能提升，但是其高昂的制造成本也使得该材料被大规模使用的可能性变得微乎其微。几十年来，全球电电子业业制造半导导体芯片都是采用传统传统的硅晶体材料，硅芯片的概念在人们头脑们头脑中已经经根深蒂固。但实际实际上，采用硅晶体制造芯片工艺艺十分复杂杂，制造成本也非常昂贵贵。因此，半导导体芯片的售价多年来一直居高不下。为为了解决这这一问题问题，科学家们们千方百计计另辟蹊径，寻寻找硅晶体的替代物来制造电电子芯片。塑料芯片的出现现令电电子业业界为为之一振。最近，科学家已经经成功地利用成本低廉的塑料来取代用于制造集成电电路芯片的硅晶体。这这是一项历项历史性的突破。而目前在大规规模量产产中真正可行的改进进方案就是应变应变硅技术术。 其基本原理是:如果能够够迫使硅原子的间间距加大，就可以减小电子通行所受到的阻碍，也就相当于减小了电阻，这样一来发热量和能耗都会降低，而运行速度则得以提升。而实现该技术的关键是能否找到一种成本相对较低， 可大规模应用的方法来加大硅原子距。 右图是硅与硅锗两种材料的晶格对比。可以看到，通过向硅原料中掺入锗的方式可以扩大 原子距，这就是IBM 开发的锗原料.这种材料又称作“应变硅”（“strained” silicon）。 右图即是纯硅在发生原子间力应变后晶体结构线性扩张的示意图而作为晶状硅雏形的非晶硅，虽然价格也比较低廉，但由于晶状硅芯片与非晶状硅芯片都很硬脆、易碎、比重大，都不是可供消费电子产品选择的佳品。因此取代非晶硅是塑料芯片短期内的目标。.手机芯片利用硅藻研制的 大脑细胞和三维计算机. 计算机芯片融合