1 薄膜电阻薄膜电阻(方块电阻方块电阻) （Sheet Resistance） ALRtWL WL tUnit：（：（ ） 定义：定义： tRshUnit：（：（ / , or ohms /squre） WLRRsh薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的乘积。薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的乘积。 tLWItLWIL W I 2 WLRRsh薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的乘积。薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的乘积。 3 WRWIV I/WV JVrll单位宽度的电阻单位宽度的电阻：量纲：电阻量纲：电阻 长度长度 单位：单位：mm 由由 可推导出：可推导出： WLRRsh线电流密度线电流密度 量纲：电流量纲：电流/长度长度 tLWItLWI I/WJlLRrshlL W I Rsh 4 薄膜载流子面密度薄膜载流子面密度 （Sheet carrier density） 单位：（单位：（cm-2） tnWLWLtn SVn SNns以以n型半导体为例，电子浓度为型半导体为例，电子浓度为n tLWItLWI则上图中的薄膜载流子面密度为：则上图中的薄膜载流子面密度为： S L W I ns 5 薄膜电阻与载流子面密度薄膜电阻与载流子面密度 由：由： 以以n型半导体为例，电子浓度为型半导体为例，电子浓度为n tLWItLWInen1得：得： tnetentRnnsh11nsshenR1所以：所以： L W I Rsh ns 6 线电流密度与载流子面密度线电流密度与载流子面密度 以以n型半导体为例，电子浓度为型半导体为例，电子浓度为n tLWItLWI线电流密度：线电流密度： venentvtJWt/wJI/WJsl面电流密度：面电流密度： envJ venJsl在低场情况下：在低场情况下： EenvenJsslshlREJ 7 方块电阻、薄膜载流子密度方块电阻、薄膜载流子密度 电学参数 体材料 (bulk) 薄膜材料 (film) 关系 载流子浓度 n(cm-3) ns(cm-2) 电流密度 (mA/cm2) (mA/cm) 电阻 (mm) (/) nen1 nsshenR1envJ venJslsnntsJJtshRt对于n型半导体 shR