电容参数： X5R，X7R，Y5V，NPO（COG）详解在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R ，X7R ，Y5V，COG 等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了 电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是：X7R 常用于容量为3300pF0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从 0 C 变化为 70 C 时，电容容量的变化为 15% ；Y5P 与 Y5V 常用于容量为150pF2nF的电容，温度范围比较宽， 随着温度变化， 电容容量变化范围为 10%或者 +22%/-82% 。对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1 。例如， X5R 的意思就是该电容的正常工作温度为-55 C+85 C，对应的电容容量变化为 15% 。表 4-1 电容的温度与容量误差编码电容参数： X5R，X7R，Y5V，NPO（COG）详解在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R ，X7R ，Y5V，COG 等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。这类参数描述了 电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是：X7R 常用于容量为3300pF0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从 0 C 变化为 70 C 时，电容容量的变化为 15% ；Y5P 与 Y5V 常用于容量为150pF2nF的电容，温度范围比较宽， 随着温度变化， 电容容量变化范围为 10%或者 +22%/-82% 。对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1 。例如， X5R 的意思就是该电容的正常工作温度为-55 C+85 C，对应的电容容量变化为 15% 。表 4-1 电容的温度与容量误差编码Z5U 电容器称为 ” 通用 ” 陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10 年下降 5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL ）和等效串联电阻（ESR ）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U 电容器的取值范围。Z5U 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10 - +85 温度特性+22% - -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V 电容器Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30到 85范围内其容量变化可达+22% 到-82% 。Y5V 的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7 F电容器。Y5V 电容器的取值范围如下表所示Y5V 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30 - +85 温度特性+22% - -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX 网站上找到。NPO,X7R 及 Y5V 电容的特性及主要用途NPO 的特性及主要用途属 1 类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性：电容范围1pF0.1uF (1 0.2V rms 1MHz) 环境温度：-55 +125 组别： CG 温度特性：030ppm/ 损耗角正切值：15x10-4 绝缘电阻：10G 抗电强度：2.5 倍额定电压5 秒 浪涌电流： 50毫安X7R 的特性及主要用途属 2 类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10 兆周以下的频率场合。特性：电容范围300pF 3.3uF (1.0 0.2V rms 1KHz) 环境温度：-55 +125 组别： 2X1 Z5U 电容器称为 ” 通用 ” 陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10 年下降 5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL ）和等效串联电阻（ESR ）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U 电容器的取值范围。Z5U 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10 - +85 温度特性+22% - -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V 电容器Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30到 85范围内其容量变化可达+22% 到-82% 。Y5V 的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7 F电容器。Y5V 电容器的取值范围如下表所示Y5V 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30 - +85 温度特性+22% - -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX 网站上找到。NPO,X7R 及 Y5V 电容的特性及主要用途NPO 的特性及主要用途属 1 类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性：电容范围1pF0.1uF (1 0.2V rms 1MHz) 环境温度：-55 +125 组别： CG 温度特性：030ppm/ 损耗角正切值：15x10-4 绝缘电阻：10G 抗电强度：2.5 倍额定电压5 秒 浪涌电流： 50毫安X7R 的特性及主要用途属 2 类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10 兆周以下的频率场合。特性：电容范围300pF 3.3uF (1.0 0.2V rms 1KHz) 环境温度：-55 +125 组别： 2X1 Z5U 电容器称为 ” 通用 ” 陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10 年下降 5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL ）和等效串联电阻（ESR ）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U 电容器的取值范围。Z5U 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10 - +85 温度特性+22% - -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V 电容器Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30到 85范围内其容量变化可达+22% 到-82% 。Y5V 的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7 F电容器。Y5V 电容器的取值范围如下表所示Y5V 电容器的其他技术指标如下:工作温度范围-30 - +85 温度特性+22% - -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX 网站上找到。NPO,X7R 及 Y5V 电容的特性及主要用途NPO 的特性及主要用途属 1 类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性：电容范围1pF0.1uF (1 0.2V rms 1MHz) 环境温度：-55 +125 组别： CG 温度特性：030ppm/ 损耗角正切值：15x10-4 绝缘电阻：10G 抗电强度：2.5 倍额定电压5 秒 浪涌电流： 50毫安X7R 的特性及主要用途属 2 类陶瓷介质，电气性能较稳定，随时间、温度、电压的变化，其特性变化不明显，适用于要求较高的耦合、旁路、源波电路以及10 兆周以下的频率场合。特性：电容范围300pF 3.3uF (1.0 0.2V rms 1KHz) 环境温度：-55 +125 组别： 2X1