平面顯示器的種類區分依 光 源 的 機 制 區 分直視型反射型需背光源無需背光源發光型非發光型自行發光要輔助光源 液晶平面顯示器電漿面板平面顯示器Plasma Display Panel,PDP電激發光平面顯示器Electro Luminescence DisplayELD陰極射線映像管Cathode Ray Tube,CRT發光二極體LED交流電式直流電式Alternating Current-PDPDirect Current-PDP放電發生時 所加的電壓發 光 螢 光 體無機電激發光平面顯示器Inorganic ELD有機電激發光平面顯示器主動式被動式驅 動 方 式主動式被動式類 型薄膜二極體元件Thin Film Diode,TFD金屬-絕緣體-金屬元件Metal-Insulator-Metal,MIN薄膜電晶極體元件Thin Film Transistor,TFT非晶矽TFT元件Amorphous-Si,A-Si TFT多晶矽TFT元件Poly-Si,P-Si TFT 扭轉向列型液晶超扭轉向列型液晶FILM+超扭轉向列型液晶OLEDPLED小分子高分子Organic LEDOrganic ELDPolymer LEDTwist Nematic,TN Super Twist Nematic,STN Film Super Twist Nematic,FSTN 數位微型顯示器液晶平面顯示器一.液晶的骨幹構造.LCD PANEL我們簡易的說法可以說成:將非常薄的兩片玻璃的四週以封閉(SEAL)材料 加以密封而貼合.其間隔約為5um.然後在兩片玻璃間灌入所謂液晶的物質.如果直接將兩 片玻璃直接貼合會有問題,因此將其間再加入填充劑(spacer)來做支撐用,這種spacer是一種 極為小的珠狀構造.二.偏光板與偏光的作用.我們平常所看見的光是往各方向振動的波之混合,如果將往360度振動方向的波只取出 往某一方向振動的波的裝置,則稱之為偏光板.圖2:來自四面八方的光,經過所謂只允許水平方向的光通過的偏光板, 圖4:如果兩片偏光板分別放置可讓光的方向通過角度剛好90度,則會有透光/不透光得結果.三.決定液晶排列方向的配向膜與研磨配向模是在玻璃基板的表面上作成Polyimide薄膜,並在此薄膜上作研磨(Rubbing), 研磨是用尼龍(nylon)所作成的轉輪(roll),也就是刷毛,在配向磨上面磨擦而使得配向膜 產生細微的細溝,使得液晶分子可以躺入細溝中.決定了液晶排列的方向. 配向膜是應用印刷技術塗抹上去的,均勻的膜厚及與基板的密合性是重要因素.塗抹上去的配向膜之要求均勻的膜厚與基板的密著性印刷法尼龍(nylon)材質在 polyimind上磨擦.產生靜電吸附塵埃產生裂傷或帶電不良的配向膜Polyimind系的樹酯 於基板上印刷厚度0.1um暫時硬化70度C80度C正式硬化180度C190度C0.1um的配向膜四.顯示器的基本原理五.不是單純的玻璃板LCD的玻璃要求表面光滑不可彎曲起伏平面性要很高無鹼性玻璃二氧化矽玻璃(高溫多晶矽)家中門窗上的玻璃納元素玻璃加工麻煩LCD的玻璃厚度種類1.1mm0.7mm0.55mm0.3mmLCD的玻璃製作方法漂浮法溶解法REDRAW法氣相化學反應法二氧化矽玻璃六.透明的電極(Indium Tin Oxid)一般的金屬電極光線是無法通過的,液晶所用的是特殊透明電極,光線是可以通過的. ITO一般使用銦,與一些可以使電阻降低少量錫,作成氧化物之薄膜. 如果只要讓電極透明那麼氧化錫就可以了,但是因為有時我們要做成特殊形狀(icon), 所以加了銦,以方便施工.ITO的組成金屬的銦(indium)少量的錫(tin)可以使電阻下降氧化銦錫薄膜為了使加工性增加 (因為要做pattern)噴灑法(sputtering)ITO 的 成 膜 方 法離子電鍍法(ion plating)真空蒸著法(electron beam)氧化銦(indium)氧化錫(tin)電解法10%七.偏光板的配置八.液晶要具備的性質.液 晶 必 備 的 性 質溫度範圍要廣在某一溫度範圍內能夠維持液晶狀態耐久性稍微加熱液晶就分解變質,則不可當作顯示之用.具有高的比電阻比電阻不夠大時,已經分子排列無保持某一狀態,會影響信賴性.低的黏性液晶時常要從某一狀態變化到某一狀態,變化的速度我們希望愈快愈好, 低的黏性可以得到快的速度(反應時間).大的誘電率異方性驅動液晶時,驅動的電壓我們希望越低越好,大的誘電率異方性則液晶驅動 電壓會降低,來達到省電的作用.配向膜與液晶的相性 要良好配向膜上附著的液晶太粘合而無法分離,會有問題. 反之,配向膜上附著的液晶相互排斥,也無法做成液晶顯示器.分子排列方向必須對齊 分子排列方向必須盡量對齊,排列越整齊做出來的對比度越好 .九.玻璃基板要求的特性.表面的平坦度0.04um的凹凸不能使用,主動矩陣式的所要求的更加嚴格,約為0.005um.彎曲度STN:每30cm容許0.05um以下,TN:每30cm容許0.2um以下,主動矩陣式則容許0.1um以下.耐溫度一般TN/STN/主動式TFT中的非晶矽(Amorphous-si)約400到500度.C 低溫多晶矽(Low Temp.Poly-si)為高溫多晶矽的場合,處理需高達600度C.耐藥品性TN/STN需耐酸,耐鹼,若主動式TFT則須再耐氟酸.不同世代玻璃基板之切割率十.保持cell gap的填充劑(spacer).上下兩片玻璃基板要貼合時,為了保持兩片玻璃基板間的間隔(cell gap)必須在兩片玻璃 間加入所謂的填充劑(spacer)的小球.填 充 劑 的 要 求顆粒大小要嚴格控制.不能吸太多的光TFT的cell gap精密度約為+/-0.1um,STN為+/-0.03um,所以太硬 或太柔軟都不行.會使通過液晶的光變弱,畫面變暗.良好的接著性Spacer在兩片玻璃間轉來轉去,可能會傷到配向膜.5um 填 充 劑 的 材 料塑膠.二氧化矽1gm=2000圓日幣1gm=2500圓日幣填 充 劑 放 入 Lcd 方 式濕式.乾式與酒精混合而散佈.(有環保問題.)氣流散佈十一.兩片玻璃的基板貼合-封閉材質(Seal).玻璃基板的周邊利用網板印刷而塗膜上封閉材質,目前為使用熱硬化型之環氧樹酯 (expoxy).塗膜的寬度約為1mm,160度C的3小時壓合,有的是使用UV硬化型的封閉材, 利用紫外線作固化.困難的貼合作業上玻璃基板與下玻璃基板之間的位置要對的很準,約0,005um大片的液晶面板一起貼合各個的液晶面板切離劃線器切離原理在各面板上加電壓,使其有裂傷而後切割出來.產生裂傷的裝置 .切斷器背部敲擊而可以分割的裝置.十二.液晶注入與偏光片注入裝置為密封式,將其中的空氣抽呈真空狀態,尚未加入液晶的兩片面板也成為真空 狀態.將液晶注入口浸在液晶材料中,再將注入器的壓力回覆常壓,如此液晶會慢慢的注 入面板內.將充滿液晶的面板,於液晶注入口塗上紫外線硬化樹酯,利用紫外線照射密封 之.偏光片不是片狀物所組成,實際上是薄薄的偏光軟片(80um)所組成,將這偏光軟片附上 黏著劑.十三.扭曲向列型液晶(TN)動作原理.扭曲向列型液晶平面顯示器乃是將兩片LCD間封入有正值鐵電率異方性的P型向列型 液晶(Np),液晶分子的長軸方向與電極面是呈線平行配列的狀態,從上玻璃的一邊到下 玻璃的一邊,分子的長軸方向是呈現90度的扭曲狀態排列著.十四.超扭曲向列型液晶(STN)直線偏光射入.直線偏光射出.TN直線偏光射入.橢圓偏光射出.STN90度的旋光性210-240度的旋光性複折射效應/波長分散印加電壓與透過率的曲線陡峭 (VS與VNS距離近),400DUTY印加電壓與透過率的曲線較平坦 (VS與VNS距離遠),100DUTY光干涉效應.不夠黑白.位相差板.光學補償FSTN十五.薄膜電晶體TFT主動矩陣驅動方式視覺暫留1/60秒(固定).掃描電極越多,每一條分配到的時間越少.掃描電極越多,每一條分配到的時間越少,液晶來不及配向排列增加驅動電壓來解決時間的不足增加驅動電壓有限,因為會產生串擾問題,波型尖銳TN約可以做到1/64 DUTYSTN約可以做到1/240 DUTY動畫困難如果每一條掃描電極在電壓到來時,可以儲存電荷,當掃描結束後,電荷還一直存在到下一次掃描到來, 如此一來,掃描電極就可以比較沒有限制,也沒有波型尖銳和串擾問題.這必須在每個PIXEL上追加開關元件, 此一動作的機制稱為薄膜電晶體主動矩陣驅動方式.十六.主動式的簡述一個pixel開關元件 輔助電容 (儲存顯示信號用)主動式三端元件薄膜電晶體(TFT)的 薄膜電晶體液晶顯示器(TFT LCD)兩端元件薄膜二極體(TFD)的 薄膜電晶體液晶顯示器(TFD LCD)金屬-氧化物-金屬MIM最具代表性十七.TFT薄膜電晶體+ + + + +- - - - - 吸極電壓源極電壓閘極電極絕緣膜活性半導體吸極電極源極電極玻璃基板在活性半導體層的兩側附有源極(SOURCE)與吸極(DRAIN)兩電極,源極有供給源的意 義,代表電流由此流入.吸極有排出的意義,代表電流由此流出.控制源極流入電流到吸極 排出電流或不流通電流,主要是靠閘極,閘極有閥門的意義. 工作原理: 在閘極上加入正電壓時,隨著此電壓的大小,由源極流入吸極的電流也會有大小的變化, 當加入附電壓時,電流則不流通.源極與吸極所夾著的活性半導體的部分稱為通道.通道薄膜電晶體的原理十八.活性半導體物質作成A-Si Poly-Si L.T.P.S用氫氣化非晶質矽(Amorphous Si)作為活性半導體物質,要做出TFT時,其Doping只需將磷 元素打入.用多結晶(Poly Si)矽TFT的場合,必須將硼元素與磷元素打入.非晶質矽Amorphous Si(A-si)製程溫度=300度C載體移動度:0.51.0cm2/V.sec製程溫度=1000度C載體移動度:500cm2/V.sec多晶矽(高溫)Poly-Si(P-Si)製程溫度=400500度C載體移動度:100200cm2/V.sec低溫多晶矽(L.T.P.S)載體移動速度快*載體意指:電子與電洞信號配線與TFT的線寬可以細微化開口率高高畫質低耗電量可以COG製程