二极管串联不需均压电阻许维伯一般为适应耐压 要求,将两个或更多个二极管串联运用时,在各二极管上并联着所谓均压电阻,用以平衡各管所承受的反向电压。笔者根据对两个二极管串联运用时反向电压的分配所作的分析,并参照有关文 献关于二极 管尸一万结击穿损坏的原理,得出结论?二极? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?、?,双电 ! ! !一茸茸一一六六以“一十一一一 日卜一一一# # # 管串联运用时毋须并接均压电阻。硅二极管通常有如图?所示的反向伏安特性。在%&舒,蛋侨飞卜二二丁叫() )?一丁了%外“,扩口,以(兰匕习图&状态,甚至由于功耗大增而 毁坏。即二极管的反向击穿电压。+,段,随着反向电压的增加,反向电流几乎不增加而呈饱和状态。当外加电压超过,点,二极管即处于击穿,点所对应的电压 ?串联,外加电图图.至 图/所示各图为两个二极管串联联接承受反向电压为嘛时,各管电压分配的若干特例。在图.、图0、图1三种特例中,两只二极管反向电流相差较丸以致两管所承受的电压很不均匀,反向饱和电流较小的一管所承受的电压较 大。在图.、图1两例中,一管已处于击穿状态。图0所示的特例为?两管反向饱和电流相差很大,其中反向饱和电流比较小的一管,其反向击穿电压大于外加电压、两管电压分配很不均匀,外加反向电压几乎全部降落在反向饱和电流较小的一管上。图2的特例为?两管反向饱和电流和反向击穿电压差不多,因而两管电压分配接近均匀,外加电压略小于两管击穿 电压之和。图3所示的特例为?两管反向伏安特性相近,外加电压已大于两管击团团团(4 龟、如图&5 6 ! 所示,二个二极管 ,、压为入时,两个二极管上的电压将如何分配呢7兹用 图解法分析之。将图&5 6 !的 电路,改画成图&5 8 !所示的等效电路,并用虚线将它分成左右两部分。在同一坐标中分别作出图&58 !虚线左右两部分电路的伏安特性5假定两管 的反 向电流不相 同,马的较低。若刀,刚用 到击穿点附近,而 未用足,此时若增大%外,则%?仍不变而仅% 增大,一定要到% 也达击穿点 附近才不能再增大,如图所示。 卜 ?两管分别所受的反向电压即图中所示的矶和巩!。图一般地表明了两只二极管串联联接承受反 向电压时的电压分配。下面按二极管伏安特性类型,分若干特例加以讨论。图0几和串展电路一一肠电路图1图253 !一 0一穿电压之和、两管将击穿毁坏。图/所示的特例为?两管皆系软击穿,外加电压已使管子工作点处于危险状态或将使两管毁坏。这种管子实际上是废品,不为正常设计所采用。9压和串双幅:刀?唱件图3; ; ;, ,(9, ,;外加反向电压增减时,两管的 电压 分配将如何变化呢7如图? 相应地向着电压增加的方向移动,如图中虚线箭头所示。反之,工作点 向左移动。 ?和牢联电肠二%外认电 路一口一一%外图? 图?表明?两个二极管串联联接,在外加反 向电压小于两个二极管反向击穿电压之和的情况下,外加反向电压的增减完全体现在反向饱和电流较大的一管止,即外加反向电压增减的量等于反向饱和电流较大的一管上所分配到的电压增减的 髦。按照上述的分析,还可推出温度变化对两个串联运用的二极管承受反向电压时电压分配的影响。温度变化将引起二极管伏安特性的改变,就反向伏安特性而屯温度升高,反向饱和电流增加,即反向伏安特性向上移动。如果两个二极管受温度影响引起的反向饱和电流的变化相同,即受温度影响引起的反向伏安特性曲线移动相同的高度,则两管反向电压的分配不变如果受温度影响引起两管反向饱和电流大小上的关系倒过来,则两管反向 电压的分配也将倒过来。这种变化,相当于图.、图1所示的情况。两个二极管串联运用,如果它们在正向电压作用期间的功耗小得实际上不影响它们的伏安特性,而在反向电压作用期间的功耗相当大地影响它们的伏安特性,则该两个二极管在历时相当长的反向电压作用下,两管反向电压的分配将发生变化或振荡,也就是反映在图.、图1中的两伏安特性曲线的交点发生移动或来回振荡。这是因为功耗大的一管5如图.中的马! 的反向伏安特性曲线将向上移动,从而使 、马两者伏安特性曲线的交点移动,或在图.图1两种情况之间转变而形成振荡。毋庸多述,上述两个二极管串联运用承受反向电压时电压 分配的分析及其结论可以推广到更多个二极管串联运用时的情况。几结的击穿毁场发生在击穿点上通过较大电流的情况下。当消耗在一结 上的电功率大到使一结过渡到热击穿时,才烧毁一结。为适应反向耐压要求而将两个或更多个二极管串联运用时,实际上所使用的二极管的反向电流是相近的或者是在同一 数量级的,在这种情况毛按照各组成二极管的反向耐压 之和等于或大于外加最大反向电压来确定所 用二极管的型号和数量,则在二极管电路运行时,反向电压的分配无论怎样不平衡,都不至于烧坏二极管的几结,因为按照上述分析,即使在反向电压分配极不平衡的图0所示的情况下,承受较大反向电压的一管所通过的反向电流也只是另一管正常运行时的反向电流,故其功耗是不至于使之发 生 热击穿的。?3千兆赫低噪声高增益场效应管国外研制成一种 用砷化稼材料的超高频 场效应管。这种管子 5型号为 & & !的截止频率达?3千兆赫,典型噪声系数在频率为? .千兆赫时仅(?分贝,而增益为3分贝。据称,这是一种低噪声、高增益的超高频管,适用于雷达、电子对抗设备等一切需要用优良超高频管的地方。该管安装在一个密封的微带结构的管壳里,构造新颖、安装容易、对环境变化的适应性强。在这种管子中,同类管子的性能参数的一致性也很好,其? 千兆赫时的典型和最大噪声系数各管偏差不大于(.分贝。5王德源编幻一1一又3 .!