电子科学与技术、微电子学与固体电子学专业毕业论文电子科学与技术、微电子学与固体电子学专业毕业论文 精品论文精品论文 叠层结构有机场效应晶体管的制备与研究叠层结构有机场效应晶体管的制备与研究关键词：叠层结构关键词：叠层结构 有机场效应有机场效应 场效应晶体管场效应晶体管 薄膜晶体管薄膜晶体管 制备工艺制备工艺摘要：有机场效应晶体管(OFET)也称有机薄膜场效应晶体管(OTFT)，是有机电 子学的重要研究课题之一。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬 底兼容的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电 路提供了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。本文从器件结构 入手，制备了叠层结构有机薄膜场效应晶体管，使器件的沟道长度降到纳米量 级。 1.为了研究薄膜的结构与制备工艺之间的关系，选择酞菁铜(CuPc)作为 有机材料，采用真空蒸镀的方法，在衬底 Si/SiO2 和 Si/SiO2/Al 上分别制备了 结构为 Si/SiO2/CuPc 和 Si/SiO2/Al/CuPc 的样品。通过 X 射线衍射和扫描电子 显微镜对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析。XRD 结果显示，两种衬底 上蒸镀的 CuPc 薄膜均出现较宽的单一的衍射峰 2=6.9#176;，说明 CuPc 薄膜均呈多晶结构；两种衬底上蒸镀的 CuPc 薄膜晶粒尺度大致相等，均为 15.822nm。SEM 结果显示，两种衬底上的 CuPe 薄膜均形貌较好，均匀度较高， 晶粒较大，表面平整。这表明我们制备的酞菁铜薄膜具有良好的性能。紧接着 还介绍了一种利用紫外可见吸收法来确定薄膜厚度的方法。 2.以热氧化后的 硅片为衬底，以酞菁铜作为有源层，用真空蒸镀的方法成功制备了叠层结构场 效应晶体管。测量并获得其-特性曲线，从曲线中可看见该器件有较明显的 场效应特性，栅极偏压 VG 对器件的源漏电流 IDS 有明显的控制作用。同时研究 了温度对该器件特性的影响，从实验结果可得：在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越 大。原因为：随着 T 增大，有机层内空穴增加，载流子浓度增大，同时载流子 迁移率增大，所以在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越大。可见温度对该 OFET 有较 明显的影响。 3.介绍了自制的有机半导体器件特性自动测量系统。其电压的 精度是 0.6mV，工作电压较大，各方面基本能满足测试需要，对科研工作有极 大的促进作用。正文内容正文内容有机场效应晶体管(OFET)也称有机薄膜场效应晶体管(OTFT)，是有机电子 学的重要研究课题之一。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底 兼容的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路 提供了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。本文从器件结构入 手，制备了叠层结构有机薄膜场效应晶体管，使器件的沟道长度降到纳米量级。1.为了研究薄膜的结构与制备工艺之间的关系，选择酞菁铜(CuPc)作为有机 材料，采用真空蒸镀的方法，在衬底 Si/SiO2 和 Si/SiO2/Al 上分别制备了结构 为 Si/SiO2/CuPc 和 Si/SiO2/Al/CuPc 的样品。通过 X 射线衍射和扫描电子显微 镜对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析。XRD 结果显示，两种衬底上蒸 镀的 CuPc 薄膜均出现较宽的单一的衍射峰 2=6.9#176;，说明 CuPc 薄 膜均呈多晶结构；两种衬底上蒸镀的 CuPc 薄膜晶粒尺度大致相等，均为 15.822nm。SEM 结果显示，两种衬底上的 CuPe 薄膜均形貌较好，均匀度较高， 晶粒较大，表面平整。这表明我们制备的酞菁铜薄膜具有良好的性能。紧接着 还介绍了一种利用紫外可见吸收法来确定薄膜厚度的方法。 2.以热氧化后的 硅片为衬底，以酞菁铜作为有源层，用真空蒸镀的方法成功制备了叠层结构场 效应晶体管。测量并获得其-特性曲线，从曲线中可看见该器件有较明显的 场效应特性，栅极偏压 VG 对器件的源漏电流 IDS 有明显的控制作用。同时研究 了温度对该器件特性的影响，从实验结果可得：在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越 大。原因为：随着 T 增大，有机层内空穴增加，载流子浓度增大，同时载流子 迁移率增大，所以在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越大。可见温度对该 OFET 有较 明显的影响。 3.介绍了自制的有机半导体器件特性自动测量系统。其电压的 精度是 0.6mV，工作电压较大，各方面基本能满足测试需要，对科研工作有极 大的促进作用。 有机场效应晶体管(OFET)也称有机薄膜场效应晶体管(OTFT)，是有机电子学的 重要研究课题之一。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底兼容 的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路提供 了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。本文从器件结构入手， 制备了叠层结构有机薄膜场效应晶体管，使器件的沟道长度降到纳米量级。 1.为了研究薄膜的结构与制备工艺之间的关系，选择酞菁铜(CuPc)作为有机材 料，采用真空蒸镀的方法，在衬底 Si/SiO2 和 Si/SiO2/Al 上分别制备了结构为 Si/SiO2/CuPc 和 Si/SiO2/Al/CuPc 的样品。通过 X 射线衍射和扫描电子显微镜 对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析。XRD 结果显示，两种衬底上蒸镀 的 CuPc 薄膜均出现较宽的单一的衍射峰 2=6.9#176;，说明 CuPc 薄膜 均呈多晶结构；两种衬底上蒸镀的 CuPc 薄膜晶粒尺度大致相等，均为 15.822nm。SEM 结果显示，两种衬底上的 CuPe 薄膜均形貌较好，均匀度较高， 晶粒较大，表面平整。这表明我们制备的酞菁铜薄膜具有良好的性能。紧接着 还介绍了一种利用紫外可见吸收法来确定薄膜厚度的方法。 2.以热氧化后的 硅片为衬底，以酞菁铜作为有源层，用真空蒸镀的方法成功制备了叠层结构场 效应晶体管。测量并获得其-特性曲线，从曲线中可看见该器件有较明显的 场效应特性，栅极偏压 VG 对器件的源漏电流 IDS 有明显的控制作用。同时研究 了温度对该器件特性的影响，从实验结果可得：在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越 大。原因为：随着 T 增大，有机层内空穴增加，载流子浓度增大，同时载流子迁移率增大，所以在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越大。可见温度对该 OFET 有较 明显的影响。 3.介绍了自制的有机半导体器件特性自动测量系统。其电压的 精度是 0.6mV，工作电压较大，各方面基本能满足测试需要，对科研工作有极 大的促进作用。 有机场效应晶体管(OFET)也称有机薄膜场效应晶体管(OTFT)，是有机电子学的 重要研究课题之一。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底兼容 的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路提供 了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。本文从器件结构入手， 制备了叠层结构有机薄膜场效应晶体管，使器件的沟道长度降到纳米量级。 1.为了研究薄膜的结构与制备工艺之间的关系，选择酞菁铜(CuPc)作为有机材 料，采用真空蒸镀的方法，在衬底 Si/SiO2 和 Si/SiO2/Al 上分别制备了结构为 Si/SiO2/CuPc 和 Si/SiO2/Al/CuPc 的样品。通过 X 射线衍射和扫描电子显微镜 对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析。XRD 结果显示，两种衬底上蒸镀 的 CuPc 薄膜均出现较宽的单一的衍射峰 2=6.9#176;，说明 CuPc 薄膜 均呈多晶结构；两种衬底上蒸镀的 CuPc 薄膜晶粒尺度大致相等，均为 15.822nm。SEM 结果显示，两种衬底上的 CuPe 薄膜均形貌较好，均匀度较高， 晶粒较大，表面平整。这表明我们制备的酞菁铜薄膜具有良好的性能。紧接着 还介绍了一种利用紫外可见吸收法来确定薄膜厚度的方法。 2.以热氧化后的 硅片为衬底，以酞菁铜作为有源层，用真空蒸镀的方法成功制备了叠层结构场 效应晶体管。测量并获得其-特性曲线，从曲线中可看见该器件有较明显的 场效应特性，栅极偏压 VG 对器件的源漏电流 IDS 有明显的控制作用。同时研究 了温度对该器件特性的影响，从实验结果可得：在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越 大。原因为：随着 T 增大，有机层内空穴增加，载流子浓度增大，同时载流子 迁移率增大，所以在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越大。可见温度对该 OFET 有较 明显的影响。 3.介绍了自制的有机半导体器件特性自动测量系统。其电压的 精度是 0.6mV，工作电压较大，各方面基本能满足测试需要，对科研工作有极 大的促进作用。 有机场效应晶体管(OFET)也称有机薄膜场效应晶体管(OTFT)，是有机电子学的 重要研究课题之一。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底兼容 的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路提供 了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。本文从器件结构入手， 制备了叠层结构有机薄膜场效应晶体管，使器件的沟道长度降到纳米量级。 1.为了研究薄膜的结构与制备工艺之间的关系，选择酞菁铜(CuPc)作为有机材 料，采用真空蒸镀的方法，在衬底 Si/SiO2 和 Si/SiO2/Al 上分别制备了结构为 Si/SiO2/CuPc 和 Si/SiO2/Al/CuPc 的样品。通过 X 射线衍射和扫描电子显微镜 对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析。XRD 结果显示，两种衬底上蒸镀 的 CuPc 薄膜均出现较宽的单一的衍射峰 2=6.9#176;，说明 CuPc 薄膜 均呈多晶结构；两种衬底上蒸镀的 CuPc 薄膜晶粒尺度大致相等，均为 15.822nm。SEM 结果显示，两种衬底上的 CuPe 薄膜均形貌较好，均匀度较高， 晶粒较大，表面平整。这表明我们制备的酞菁铜薄膜具有良好的性能。紧接着 还介绍了一种利用紫外可见吸收法来确定薄膜厚度的方法。 2.以热氧化后的 硅片为衬底，以酞菁铜作为有源层，用真空蒸镀的方法成功制备了叠层结构场 效应晶体管。测量并获得其-特性曲线，从曲线中可看见该器件有较明显的 场效应特性，栅极偏压 VG 对器件的源漏电流 IDS 有明显的控制作用。同时研究了温度对该器件特性的影响，从实验结果可得：在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越 大。原因为：随着 T 增大，有机层内空穴增加，载流子浓度增大，同时载流子 迁移率增大，所以在相同 VDS 下，T 越高，IDS 越大。可见温度对该 OFET 有较 明显的影响。 3.介绍了自制的有机半导体器件特性自动测量系统。其电压的 精度是 0.6mV，工作电压较大，各方面基本能满足测试需要，对科研工作有极 大的促进作用。 有机场效应晶体管(OFET)也称有机薄膜场效应晶体管(OTFT)，是有机电子学的 重要研究课题之一。有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底兼容 的独特优势迅速发展起来，为低成本大面积柔性平板显示阵列和集成电路提供 了新的解决方案，成为有机电子学中重要的前沿课题。本文从器件结构入手， 制备了叠层结构有机薄膜场效应晶体管，使器件的沟道长度降到纳米量级。 1.为了研究薄膜的结构与制备工艺之间的关系，选择酞菁铜(CuPc)作为有机材 料，采用真空蒸镀的方法，在衬底 Si/SiO2 和 Si/SiO2/Al 上分别制备了结构为 Si/SiO2/CuPc 和 Si/SiO2/Al/CuPc 的样品。通过 X 射线衍射和扫描电子显微镜 对薄膜的生长晶体结构及形貌等进行了分析。XRD 结果显示，两种衬底上蒸镀 的 CuPc 薄膜均出现较宽的单一的衍射峰 2=6.9#176;，说明 CuPc 薄膜 均呈多晶结构；两种衬底上蒸镀的 CuPc 薄膜晶粒尺度大致相等，均为 1