LOGO电子信息工程学术讲座光电检测技术概述白 华2013.10.31讲座内容 什么是光电检测 光电检测的基本原理及特点 典型的光电转换器件 光敏器件的基本特性参数 光电检测技术的应用及发展趋势什么是光电检测什么是光电检测光不仅传输能量，也是信息的载体光通信光纤传感光谱生物发光什么是光电检测什么是光电检测光电转换电信号处理信息获取利用光电传感器实现各类检测。将被测量转换成光通量 ,再转换成电信号，并综合利用信息传送和处理技术， 完成信息获取。信号光 电信号被测物探测光光调制 （波长、幅度、相位）采集、放大、滤波、 解调、A/D、接口等光敏器件 光电效应信号分析光电检测的基本原理及特点光电检测的基本原理及特点光电效应光照射到物体表面上使物体发射电子、或导电率发生变化、或产生光生电动势等。这种因光照而引起物体电学特性发生改变的现象统称为光电效应。光电效应外光电效应内光电效应光电导效应光伏效应外光电效应：物体受光照后向外发射电子多发生于金属和金属 氧化物。光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体 中载流子数显著增加而电阻减少的现象。光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属半导体接触上时，会在 PN结或金属半导体接触的两侧产生光生电动势。光电检测的基本原理及特点光电检测的基本原理及特点v 高精度：从地球到月球激光测距的精度达到1米。v 高速度：以光速传播。v 远距离、大量程：遥控、遥测和遥感。v 非接触式检测：不改变被测物体性质的条件下进行测量。v 寿命长：光电检测中通常无机械运动部分，故测量装置寿命长，工作可靠、准确度高，对被测物无形状和大小要求。光电检测的基本原理及特点光电检测的基本原理及特点光电检测技术的特点典型的光电转换器件典型的光电转换器件v 光敏电阻v 光电二极管v 光电倍增管v 电荷耦合器件典型的光电转换器件典型的光电转换器件一、光敏电阻光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电 阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电 阻减小，入射光弱，电阻增大。 黑暗条件下，阻值1M100M欧强光条件下，阻值几百到数千欧光敏电阻实物图入 射 光典型的光电转换器件典型的光电转换器件光敏电阻的结构在一块均匀光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频 瓷或其他绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口 的金属或塑料外壳内。工作原理黑暗环境里，电阻值很高。 当受到光照时，价带中的电子吸收光子 能量跃迁到导带，并在价带中产生一个 带正电的空穴，形成电子空穴对。 半导体材料中载流子的数目增加，使其 电阻率变小，从而造成阻值下降。 入射光消失后，由光子激发产生的电子 空穴对将复合，阻值也恢复原值。 典型的光电转换器件典型的光电转换器件光敏电阻的特点 光谱响应范围宽（特别是对于红光和红外辐射）； 偏置电压低，工作电流大； 动态范围宽，既可测强光，也可测弱光； 光电导增益大，灵敏度高； 无极性，既可加直流电压，也可加交流电压； 在强光照射下，光电响应线性度较差 光电驰豫时间较长，频率响应较差。光敏电阻可广泛应用于照相机，验钞机，石英钟，音乐杯 ，礼品盒，迷你小夜灯，光控开关，路灯自动开关以及各 种光控玩具，光控灯饰，灯具等光自动开关控制领域。 照明灯自动控制电路K220V灯常闭CdS典型的光电转换器件典型的光电转换器件光敏电阻的应用光暗时，光敏电阻阻值很 高，继电器关，灯亮； 光亮时，光敏电阻阻值降 低，继电器工作，灯关。例：照明灯自动开关控制典型的光电转换器件典型的光电转换器件 光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。 与普通二极管一样有一个PN结，属于单向导电性的非线形元件。结构不 同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现 光电转换。 为了获得尽可能大的光生电流，需要较大的工作面，即PN结面积比普通 二极管大得多，电极面积则尽量小。 为了提高光电转换能力，PN结的深度较普通二极管浅一般小于1微米。二、光电二极管光电二极管实物图典型的光电转换器件典型的光电转换器件光电二极管工作原理 光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照 时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。 当有光照时，光子进入PN结后，把能量传给共价键上 的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子- 空穴对，称为光生载流子。 光生载流子在反向电压作用下参加漂移运动，使反向 电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大，从而实 现电信号随着光的变化而相应变化。典型的光电转换器件典型的光电转换器件光电二极管的特点 大反偏压的施加，增加了耗尽层的宽度和结电场，电 子空穴在耗尽层复合机会少，提高了光敏二极管的灵 敏度。 大反偏压的施加，结电容减小，提高了器件的频响特 性。因此，光敏二极管具有体积小，灵敏度高，响应时间 短等优点，同时光谱响应覆盖可见到近红外区，被广 泛应用于光电检测。典型的光电转换器件典型的光电转换器件三、光电倍增管光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。 由光阴极、倍增极和阳极构成。 光电倍增管结构示意图光电倍增管实物图 K为光阴极，由光敏材料制成，如镓砷化物、铟砷化钾等； D1，D2，Dn为倍增级（打拿级），打拿极材料有锑化铯 、氧化的银镁合金和氧化的铜铍合金等 ； A为阳极；R为分压电阻；-VH为偏置负高压。 典型的光电转换器件典型的光电转换器件 待测光照射由光阴极K，光阴极以一定的概率（量子效率）释放电子。 光阴极释放的电子在负高压驱动下加速撞击第一倍增级D1（打拿级），溅射出数量更多的二次电子。 依此类推，前一个倍增级发出的次级电子在电压驱动下加速撞击下一个倍增级 ，产生更多的次级电子，实现信号的放大。 阳极A接收最后一个倍增级发出的电子，转换为电流或电压。通常情况下，电流或电压的大小与光信号的强弱成正比，从而实现弱光的探测。 光电倍增管的工作原理示意图典型的光电转换器件典型的光电转换器件对于不同强度的光信号，光电倍增管输出的电信号 的形式可分为以下两种情况： 一般光照下光电倍增管输 出信号示意图 弱光条件下光电倍增管输出信 号示意图 电平测量光子计数测量典型的光电转换器件典型的光电转换器件光电倍增管的特点 增益高，增益可达104108； 暗噪声低，小于20电脉冲/秒； 响应快，一般为120ns； 光谱覆盖范围广，200nm1200nm。光电倍增管的灵敏度比普通光电管要高得多，可实现微弱 光信号的检测，被广泛应用于冶金、电子、机械、化工、 地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。 典型的光电转换器件典型的光电转换器件四、电荷耦合器件（CCD） CCD一般作为图像传感器应用，可方便地将光学影像 转变为数字信号，实现图像的获取、存储、传输、处理 和复现。 CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它 大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、 传输和检测。典型的光电转换器件典型的光电转换器件CCD的基本结构CCD的受光面上整齐排列（一维或二维）着大量微小的光敏元件 ，元件之间彼此独立，每个光敏元件称为一个像素。对应于每一个光敏元件（像素），都存在一个独立的电荷存储、 转移和输出通道，其结构如下图：光敏元件典型的光电转换器件典型的光电转换器件CCD的工作原理CCD的工作包括电荷的产生、存储、转移和输出 四个部分。1、电荷的产生当光照射CCD时，通过光敏元件的光电效应，在栅极附近的半导体体内产生电子-空穴对，电荷产生。2、电荷的存储 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。 当UG Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体 内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。典型的光电转换器件典型的光电转换器件典型的光电转换器件典型的光电转换器件 第一个电极保持10V，第二个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很 紧(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个电极下的 电荷变为这两个电极下势阱所共有。 若此后第一个电极电压由10V变为2V，第二个电极电压仍为10V，则共有的电荷 转移到第二个电极下的势阱中。这样，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。电荷转移示意图3、电荷的转移典型的光电转换器件典型的光电转换器件在CCD转移栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值 的电压，则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱用 于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱内 信号电荷沿半导体表面传输，实现电荷的定向传输。3、电荷的转移4、电荷输出利用输出二极管和外接电路，将电荷转变为电流或电压 输出。典型的光电转换器件典型的光电转换器件 体积小，重量轻，功耗低，启动快，可靠性高，寿命长。 空间分辨率高，可以获得很高的定位精度和测量精度。 光电灵敏度高，动态响应范围宽，红外敏感性强，信噪比高。 高速扫描，基本上不保留残象(电子束摄象管有1520的残象) 集成度高 可用于非接触精密尺寸测量系统。 有抗过度曝光性能。 有数字扫描能力。象元的位置可由数字代码确定，便于与计算机结合接口。CCD的特点典型的光电转换器件典型的光电转换器件CCD的应用 线阵CCD面阵CCDCCD在工业、军事 和科学研究等领域 应用广泛，如在方 位测量、遥感遥测 、图像制导、图像 识别等方面更呈现 出其高分辨力、高 准确度、高可靠性 等突出优点。用于扫描仪用于数码相机光敏器件的基本特性参数光敏器件的基本特性参数v 响应特性v 噪声特性v 量子效率v 线性度v 工作温度光敏器件的基本特性参数光敏器件的基本特性参数一、响应特性1、响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出信号与输 入光功率之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电 转换效率。响应度分电压响应率和电流响应率电压响应率光电探测器件输出电压与入射光功率之比电流响应率光电探测器件输出电流与入射光功率之比光敏器件的基本特性参数光敏器件的基本特性参数一、响应特性2、光谱响应度：响应度是随入射光波长变化而变化的 。探测器在波长为的单色光照射下，输出电压或电流 与入射的单色光功率之比。3、响应时间：响应时间是描述光电探测器对入射光 响应快慢的一个参数。 上升时间：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上 升到稳定值所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所 需要的时间。光敏器件的基本特性参数光敏器件的基本特性参数一、响应特性4、频率响应：光电探测器的响应随入射光的调制频率而 变化的特性称为频率响应。光电探测器响应率与入射调制频率的关系其中，S(f)是调制频率为f 时的响应率； S0是调制频率为零时的响应率；t = RC是时间常数。当调制频率增大， S(f)下降到0.707 S0时，对应的频率为上限截止频率。由于光电探测器信号产生和消失存在着一个滞后过程，所以入射光 的调制频率对光电探测器的响应会有较大的影响。光敏器件的基本特性参数光敏器件的基本特性参数二、噪声特性1、光电探测器常见噪声(1) 热噪声：即载流子无规则的热运动造成的噪声。热 噪声是白噪声，存在于任何电阻中，与温度成正比， 与频率无关。(2) 散粒噪声：由随机入射到光探测器表面的光子，随 机逸出光阴极表面的光电子，随机通过PN结区的载流 子所引起。散粒噪声也具有白噪声特性，在大多数光 电探测器中具有支配地位。 光敏器件的基本特性参数