硅栅P阱CMOS反相器版图设计的典型示例-

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硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例5. 刻NMOS管S、D 6. 刻接触孔 7. 反刻Al (W/L)p=3(W/L)n1. 刻P阱 2. 刻有源区 3. 刻多晶硅栅 4. 刻PMOS管S、D1. 刻P阱2. 刻有源区3. 刻多晶硅栅4. 刻PMOS管S、D5. 刻NMOS管S、DVDDVoViVss7. 反刻Al6. 刻接触孔VDDViVssVo光刻1与光刻2套刻光刻2与光刻3套刻光刻3与光刻4套刻光刻胶保护光刻4与光刻5套刻光刻胶保护刻PMOS管S、D刻NMOS管S、DDDSS光刻5与光刻6套刻VDDViVssVo光刻6与光刻7套刻VDDViVDDVoViVssVDDViVssVoViVoT2 W/L=3/1T1 W/L=1/1PolyDiffAlconP阱ViVssVoVDD