MOSFET&IGBT 在PDP上的应用MOSFET&IGBT概述MOSFET结构图在MOSFET中是多子移动，单极性器件开关时间短MOSFET等效图IGBT结构图IGBT等效电路寄生晶闸管引起锁定效应可能引起误导通NPT型IGBT特点MOSFET&IGBT输出特性MOSFET 输出特性IGBT 输出特性IGBT和MOSFET在硬开关 的时候典型特性导通过程的说明MOSFET与IGBT的发展方向MOSFET几个用法 单向导通 双向导通MOSFET几个用法MOSFET几个用法 电容隔离式使用MOSFET几个用法 变压器隔离式使用MOSFET几个用法DC-DC式光耦隔离使用MGD 2110的内部结构IR2110基本应用IR2110自举原理说明IR2110说明 IR2110优点： 价格便宜，一片IR2110可以驱动两路开 关。 耐压比较高，可以达到500伏。 电路形式简单，应用元件较少，电路板 面积较小。IR2110说明 IR2110驱动电路的缺点是： 浮动驱动电压由自举电容实现，要求电 路的输出要有足够为零电位的时间，以给 自举电容充电。 IR2110要求Vs端不能为负电压，因此该 电路不能用于输出可能为负电压的场合。 如果要求输出有较长时间为高，可能要 采用电荷泵电路，维持VB和VS间自举电 容长时间保持15V压差，使得开关管 M1在该时间段内导通。IR2110说明 采用IR2110的浮动通道来实现高压 MOS浮动栅极驱动电路的适用条件： 输出电压没有负电压。 驱动电压波形中零电位出现不能相隔 太久。 零电位维持时间要满足自举电容充电 的时间。IR2110的典型使用方法光耦驱动的典型结构光耦的使用方法自举电压实现Y驱动的结构图