第 !“ 卷! 第 # 期9/:?4,5 A/:B9/:CD 309E90F!“#$%“#0I 7/I KLN7H0I)7)8 9/,0+N 7P0HH7J9/O NHE0KJ9/ (0/O 9L7:0 B.7(9J ?0H/9S0 K0MM9K90/JO:引言根据 1%1 年 %国际半导体技术规划 TDUVCW“X$光刻机的曝光 波 长 已 经 由 1!2/L 减 少 至 *ZX/L *Y/L!并向极紫外T_ ?A 技术8cQC_Ua 测试技术采用专用的测试掩模板!是一种通过测量标记位置偏差的方法来检测畸变与各种套刻误差的技术$ 此技术首方向发展$ 更高的光刻分辨率必然要 求 更 高 的 套 刻 精 度 !1%1 年 DUVC 同时指出套刻精度将在 1%! 年和 1%Y 年分别达到 X1/L 和1X/L$投影物镜的像差是影响投影式光刻机光刻分辨率和套刻精度的一个重要因素$ 随着光刻特征尺寸的变小!尤其是离轴照明与相移掩模的使用!像差的影响变得越来表 : 目前国际上常用的几种光刻机投影物镜像差的高精度现场检测技术像差畸变场曲球差彗差像散三波方法8cQC_Ua!6de4b!UDC!64=DC!A4=DC!U4=DC!4VU_=DC!收稿日期B 1%XQ*1Q%2CC第 !“ 卷! 第 # 期$#!$!#!$?,!1 #:*$,!$!#! ?,! 可以分析得到各种对准误差以及畸变!AB% (LMN;4OL/ .KL/P I(LP/C0/O 5QKO0C!*%B% 利用公式 # Z?AB 技术的测量重复精度29! ?AB %AB ?K .(K6O(0 A(.C6/JK6/ B0KK6/LM误差较大! 测量其它 405/670 系数的精度为 $/C!重复精度89! ?AB 技术仅 能测量 405/670 系数中球差$彗差 $像散的相关项! 而无法测量其它波像差!因此人们开发了 ?GHAB 技术8?I055JK6/ G6/L 0MK HNOM0P JK .(K6O(0 A(.C6/JK6/B0KK6/LMHAB 技术理论上可以测量无限多项 405/670 系数! 但目前仅用于405/670 系数第 ; 项至第 $# 项的测量#?GHAB 在不同照明条件下将测试掩模曝光在硅片上!通过扫描电子显微镜2BHHAB 技术采用的掩模为移相掩模! 其测试.)第 !“ 卷! 第 # 期5所示“ 当投影物镜有像差时!该环形边界的半径与宽度会发生变化“图1=5中!环的内边界与外边界 都可以分解为傅里叶级数#=$+“ 5?#%=$5!A#% J+ P:/; 7:QQ0R:/R;L:/ ;H;503 S456 %)NM !“ J/0:L5 J S:W0J54L:( W:(.:54/ _;4/= T6:;0 Z0:;.0(0 ;5000R.W (0/; :D0R:/R;L:/ ;H;503 J6H) #$%H;503;) #$% 704a4/=A ,:54/:( 0J0/L0 V/.;5H T0;!$%O *! 杨建义!王明华) 光波导的弯曲的结构优化) 光电子“激光! *YYY!$#!$AO%M!O%Y%)