j机场效应晶体管(OFET)WHYORGANICY“low-costelectronics“organicmaterialsaresolution-processable,andmoreflexibleLHeoibEtTig5FsiclogdReal-wWorldOrganic_、藿,_i、大、A3FFDORGANICFIELD-EFFECTTRANSI5IORS-fundamentalbuildingblockofvariousstate-ofthe-artelectronics*基本原理:*主要构思:实验1.器件类型:有机场效应晶体管COFET)2.器件结构:底栅顶接触CBottomGate、TopContact)衬底:1.5CMl1.5C1Siwafer50nmSi0,(Gatedielectric)硅片经丙酮、异丙醇超声清洗后用UV-ozone照射15min(激活硅片表面;硅片放入装有二氯申焘的容带中(浸没)滴上15消OTSCOctadecylttichlorosilate_十八焊基三氯硅俊,用饯渊乐密封避光,使其静置6小时(分子自组装修饰基底,使基底呈疏水态;将硅片取出后用丙酮清洗,之后盖上掩膜板(shadowmask)再次用UV-ozone照射15min(掩膜板途住的部分为OTS疏水区域,在掩膜板镁空的部分,OTS被UV-ozone打掉,即为亲水区域一一这一步为衬底OTS-patterned:将图案化后的硅片再次用丙酮、乙醇清洗;实验将清洗过后的硅片旋涂(spin-coating)HMDS(hexamethyldisilazane)两次一一这一步目的为修饰绝缘层和半导体活性层界面;配制溶波:我们所使用的溶波为浓度为0.2wt9Tips-PEN有机半导体溶质,全名:6,13-bis(Triisopropyl-silylethynyDPentacene)/Anisole(苯甲酸作为溶剂;半导体层溶液相制备工艺:我们在这里采用“气流辅助快速结晶“的方法,即通过单一向抽气加途滨液个液滴上空空测劲使得溶剂燕发速率加快,溶液流动状态为层流,而溶质以层状(片状)方式快速结晶。制备顶接触电极:将生长好晶体的硅片盖上掩膜板用真空热燕镀60nmAu的方法制备源漏电极。0.2wt%Tips-PENAnisole显微镜图片0.2wt%Tips-PENAnisole显微镜图片器件显微镜图片国门L|睿1sss儿明