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光刻技术简介,纳米压印光刻技术,光刻技术,光刻技术发展历程,光刻技术原理,157nm干式光刻技术,中国光刻技术,什?ffa?是光刻技术,我国芯片光刻技术,光刻技术英文资料 光刻的原理概述光刻胶-光致抗蚀章光刻的T般流程光刻技术应讲解内容光刻技术简介 举例 交刻;原理; 光刻的原理简介利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。多用于半导体器件与集成电路的制作。利用区致抗蚀剂 (或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。名同 = 光刻胶:也称为光致抗蚀剂,它是由感光树脂、增感剂和溶剂三部分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶主要用来将光刻掩模板上的图形转移到元件上。 根据光刻胶的化学反应机理和显分为正性胶和负性胶。 负胶在光肇工艺上应用最早,其工艺成本低,产量高,但由于它吸 。” 千收显影液后会膨胀,导致其分辩率不如正胶,因此对于亚微米甚至更小扩寸加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。人 多 光刻的一般流程1 底膜处理 5 显影2 涂胶 6 坚模3 前供 7-刻蚀4 曝光 8 去胶 TOPaAADGITPREDLSSERCITEYGGIDAXOOIDDOO 时四 底膜处理 本) 底膜处理是光刻工艺的第一步,其主要目的是对底膜表面进行处理,以增强其与光刻胶之间的粘附性。国步邓; 漳必天引 了工清让 上2 人烘二3 增粘处理 底肛处理 DOCaOATGIPREDGSEGIDEOGIDMOIIDOOO本 时-了 进行底模处理后,便可进行涂胶,即在底模上涂一层粘附良好厚度适当,均匀的光肇胶。一般采用旋转法进行涂胶,其原理是利用底模转动时产生的离心力,将滴于模上的胶液思开。在光刻胶表面张力和旋转离心力的共同作用下,最终形成光刻胶膜。国“直四 “已 前烘,又称软烘,就是在一定的温度下,使光刻胶膜里面的溶剂妥慑的、充分的逸出来,使光刻胶膜干燥。toUiconm 光刻胶的基片进行选择性的光化学反应,使校受到光照的光刻腔的光学特性发生
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