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中国电子科技集团公司第 24 研究所博士后工作站招聘简章一、单位简介中国电子科技集团公司第 24 研究所是国 家 I 类研究所;是中国电子科技集团直属事业单位,位于重庆市主城区,是我国最早成立的半导体集成电路专业研究所,1993 年获准设立模拟集成电路国家重点实验室,2006 年获国家人事部批准设立博士后科研工作站;现在的科研方向是以模拟、数模混合信号集成电路为主,同时致力于车辆用和通信用电子器件、模块(组件)的开发和生产。24所已连续 7 年保持了经济快速发展。2002 年被中共重庆市委、市府命名为“文明单位”。2004 年被重庆市政府授予“重庆市百佳文明单位”光荣称号。2008年被中共重庆市委、市府命名为“重庆市文明单位标兵”。24 所自建所至今 40 年来,在高性能模拟 IC 主要领域创造了我国集成电路技术各个发展阶段具有代表性的先进水平,累计取得科研成果 1063 项,其中195 项获国家或部级科技进步奖。每年承担国家及省部级重点科研项目 200 多项,在 A/D 和 D/A 转换器、高性能放大器、功率集成及功率变换器、RF 等主要专业技术领域一直保持国内领先水平。24 所拥有先进的 CAD/CAT 系统、掩膜版制造系统,在单片模拟集成电路、MCM 二个领域的设计硬件和软件配置已经与国际接轨。在模拟 IC 设计领域已具备建模建库、电路仿真、版图编辑、验证和 IC 光掩膜版制备等一整套经验,可从事 A/D、D/A 转换器、放大器和电源电路以及其它专用集成电路的 Top-Down设计,可针对用户的特殊需要,专门为客户定制产品。24 所现拥有一条 4 英寸 0.8 微米工艺线,一条薄膜二次集成微组装工艺线,具备 CBC2012-2(互补双极工艺)、CBC2012(互补双极 CMOS 工艺)、BP2008(等平面高速双极工艺)、BP2020(多晶硅发射极工艺)、MC3010 和M8030(硅栅自对准和非自对准 CMOS 工艺)等多种单片集成电路工艺技术,能进行模拟、数字和混合信号电路的研制生产。目前正在筹建一条 6 英寸 0.5 微米的工艺生产线。“十一五”国家进一步加大了对 24 所的投资,24 所将建设成为集设计、工艺、测试于一体,拥有国家模拟集成电路重点实验实的中国模拟集成电路国家级研发生产基地。二、招聘条件电路与系统,微电子,电子工程,通信工程等电子类相关专业、品学兼优、身体健康,年龄一般在 45 周岁以下,具有良好的团队工作精神及沟通能力,有能力从事本所的科研课题并获得博士学位者或即将在三个月内获博士学位者,均可向本站申请做博士后研究人员。三、申请材料1、 国家统一印制的博士后申请表一式四份(可在中国博士后网站下载)2、身份证复印件、个人简历等;3、博士学位证书或通过博士学位论文答辩的有关证明材料;4、本学科领域的两位博士生导师或相当水平专家的推荐信;5、博士论文以及相关学术研究代表作;6、选择的研究课题及研究计划(可以在 24 所网站上下载选择,也可自拟课题);7、有关婚姻、子女证明复印件 2 份。四、申请程序1、申请人将申请材料递交 24 所人力资源部后,24 所将进行初审;2、初审合格者将在 24 所参加笔试、面试;3、24 所在确定人选后,报相关管理部门审核备案;4、24 所根据相关管理部门的批复,向获准进站的申请人发出进站通知书。五、进站博士后的待遇基本年薪按所内博士执行,奖金等按所在课题组分配,不封顶。对夫妻两地分居的博士后,将按国家规定的博士后研究人员配偶生活补贴的双倍给予补贴。其配偶和未成年子女可办暂住户口。免费提供小区住房,套内建筑面积96m2(二室二厅,精装修、全套家电、家具)。六、截止日期: 2009 年 12 月 1 日七、联系方式 联系方式:邮编:400060 电话:(023)62839674地址:重庆市南坪花园路 14 号中国电子科技集团公司 24 所人力资源部联系人: 程女士 E-mail:rlsisc.com.cn http:/www.sisc.com.cn 八、研究方向1新型高速高精度 A/D 转换器技术研究2高速 D/A 转换器电路结构技术研究3亚微米 SiGe 器件平面集成技术研究4谐振软开关 DC/DC 变换器建模与仿真研究5单片集成化加速度处理电路设计技术研究6RF 功率放大器设计技术研究7超高频采样/保持电路结构研究8高速时钟稳定技术研究9应变 Si 技术研究10大功率电路热设计及热分析方法研究11模拟集成电路 ESD 失效机理研究及结构设计12金属薄膜电阻长期稳定性机理研究13F+对超浅结扩散的抑制机理与应用研究
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