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1.6 太阳能光电转换原理 光生伏特效应,半导体材料的光吸收,若入射光能量为I0,则在距离入射表面x处,光的能量为,为物体的吸收系数,表示光在物体中传播I/时,能量因吸收而衰减到原来的1/e,半导体材料的吸收系数较大,一般在10-5cm-1以上。,半导体材料的光吸收,若吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度,就有可能使电子从价带跃迁到导带,从而产生电子空穴对,这种吸收为本征吸收。,半导体材料中光的吸收导致了非平衡载流子产生,总的载流子浓度增加,电导率增大,称为半导体材料的光电导现象。,半导体材料的光吸收,本征吸收,直接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量不变。 直接带隙半导体:砷化镓,间接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量发生变化。 间接带隙半导体:硅,锗,通常,间接带隙半导体的吸收系数要比间接带隙半导体的吸收系数低23个数量级。,半导体材料的光吸收,半导体吸收,光子能量小于禁带宽度时,依然有可能存在吸收。,
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