项目一 半导体器件的认识,一、项目分析, 项目实例内容 项目分析 知识点 能力点,二、相关知识,（一）半导体的基本知识 1半导体 2半导体的物理特性 （1）半导体独特的物理特性 热敏特性 光敏特性 掺杂特性,（2）半导体的晶体结构,3半导体的导电原理,（1）N型半导体,（2）P型半导体,（3）半导体PN结, PN结的形成。, PN结的特性。,（二）二极管,1二极管的结构和符号,2二极管的单向导电性,3二极管的伏安特性曲线,（1）伏安特性曲线,（2）伏安特性曲线特征分析, 正向特性曲线。 反向特性曲线。,4二极管的主要参数,（1）最大整流电流IFM （2）最高反向工作电压URM （3）反向击穿电压 （4）最高工作频率fM,5二极管的应用及电路分析方法, 具体的分析步骤如下。 先确定相应的参考点。 假设所有二极管全部断开，判断二极管原来位置两端的电位差。 确定了二极管的工作状态后，用基尔霍夫定律分析求解电路。, 下面以整流电路、限幅电路和钳位电路为例说明二极管常用的应用电路。 二极管整流电路。, 限幅电路。, 钳位电路。,6半导体器件型号命名方法,（三）三极管,1三极管的基本知识 （1）三极管的结构和符号,（2）三极管的3种连接方式,（3）三极管电流放大原理, 为了定量了解三极管的电流分配关系和放大原理，以图1-18所示电路进行实验。, 三极管放大电路的偏置电压。 三极管放大电路的电流分配。 三极管放大电路的直流电流放大原理。,2三极管的伏安特性曲线,（1）三极管的伏安特性曲线 （2）输入伏安特性曲线 （3）输出特性曲线,3主要参数,（1）共射极电流放大倍数 （2）穿透电流ICEO （3）集电极最大允许电流ICM （4）集电极-发射极反向击穿电压UCEO （5）集电极最大允许耗散功率PCM,三、项目实施,任务一、二极管的测量 （一）实施要求 （二）实施步骤 1二极管的图形符号,2二极管的种类与外形,3二极管的主要参数,（1）最大整流电流 （2）最大反向工作电压,4二极管的极性识别,（1）从外观上识别 （2）使用万用表判断,5二极管的检测,任务二、晶体管的简易测试,（一）实施要求 1用万用表判断二极管的极性。 2用万用表检测三极管的电极和参数。,（二）实施步骤,1万用表正端（+）的表笔（红笔）对应于表内电池的负极，而负端（）的表笔（黑笔）对应于电池的正极。 2用万用表判断二极管的极性。,3用万用表检测三极管的电极和参数,（1）判断基极b和晶体管类型。 （2）判断集电极c和发射极e。,（3）检测穿透电流ICEO的大小。 （4）检测电流放大系数的大小。 （5）判别三极管的制造材料。,4三极管的特性曲线实验测试 5在路检测二极管、三极管、稳压管的好坏 6测稳压二极管 7测三极管,四、拓展知识,（一）特殊用途的二极管 1稳压二极管,（1）二极管的稳压功能,（2）稳压二极管的应用,2发光二极管 3光电二极管,（二）场效应管,1绝缘栅型场效应管 （1）基本结构,（2）工作原理,2结型场效应管 3场效应管的主要参数及使用注意事项 （1）主要参数 直流参数。 交流参数。 极限参数。 （2）场效应管的使用注意事项,小结,1半导体材料中有两种载流子，即带负电荷的电子和带正电荷的空穴。 空穴是半导体不同于金属的重要特点。 在纯净的半导体中掺入不同种类的杂质元素，可以分别得到P型半导体和N型半导体。,2采用一定的工艺措施，使P型半导体和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。 PN结的基本特点是具有单向导电性。, PN结两端的电压与流过PN结的电流之间的关系可以用PN结的伏安特性来描述。 如果PN结外加的反向电压大到一定程度，将会反向击穿PN结。,3半导体二极管是由PN结构成的。, 二极管的伏安特性与PN结大体相似但又不尽相同。, 二极管的特性和性能可以用其伏安特性与系列参数来描述。 在研究二极管构成的电路时，可以根据不同情况使用不同的二极管模型进行电路分析。,4BJT是由两个PN结构成的三端器件。, 工作时，有两种载流子参与导电，称为双极性晶体管。 BJT是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。 在一定条件下，集电极电流与基极电流满足线性放大的关系，这是BJT放大电路的物理基础。,5BJT的特性主要用输入特性曲线和输出特性曲线来描述，其性能可以用一系列参数来表征。 在输出特性曲线上可以看出，BJT有3个工作区：饱和区、放大区和截止区。,6FET分为JFET和MOSFET两种。, 工作时，只有一种载流子参与导电。 FET是一种电压控制电流型器件。 改变其栅源电压就可以改变其漏极电流，在一定条件下，它们之间是一种线性放大关系。,7表征FET特性的曲线主要有转移特性曲线和输出特性曲线，其中最重要的是输出特性曲线。 FET的特性和性能可以用一系列参数来加以描述。,