电子知识甲类(ClassA) 放大器的输出晶体管( 或电子管 )的工作点在其线性部分中点，不论信号电平如何变化，它从电源取出的电流总是恒定不变，它是低效率的，用作声频放大时由于信号幅度不断变化，其实际效率不可能超过 25，可由单管或推挽工作。甲类放大器的优点是无交越失真和开关失真，而且谐波分量中主要是偶次谐波，在听感上低音厚实、中音柔顺温暖、高音清晰利落、层次感好，十分讨人喜欢。但一直因为耗电多，效率低，容易发热和对散热要求高而未能在大功率的放大器中得到广泛应用。由于器件长期工作于大电流高温下，容易引起可靠性和寿命方面的问题，而且整机成本高，所以制造甲类功率放大器出名的厂家，现在已大多停止生产晶体管甲类功率放大器。乙类(ClassB)放大器的偏置使推挽工作的晶体管（或电子管）在无驱动信号时，处于低电流状态，当加上驱动信号时，一对管子中的一只在半周期内电流上升，而另一只管子则趋向截止，到另一个半周时，情况相反，由于两管轮流工作，必须采用推挽电路才能放大完整的信号波形。乙类放大器的优点是效率较高，理论上可达 78，缺点是失真较大。 甲乙类（ClassAB）放大器在低电平驱动时，放大器为甲类工作，当提高驱动电平时，转为乙类工作。甲乙类放大器的长处在于它比甲类提高了小信号输入时的效率，随着输出功率的增大，效率也增高，虽然失真比甲类大，然而至今仍是应用最广泛的晶体管功率放大器程式，趋向是越来越多的采用高偏流的甲乙类，以减少低电平信号的失真。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用 IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比 SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是 SPICE 模型和仿真器一个问题，而在 IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有 EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件 IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS 模型是一种基于 V/I 曲线对 I/O BUFFER 快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准 IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用 IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用 IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为 IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取 IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS 模型优点可以概括为：在 I/O 非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与 ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统