中芯国际集成电路制造有限公司SMIC市场分析公司概况中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981)，是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业。中芯国际的主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际是纯商业性集成电路代工厂，向全球客户提供0.35微米到40纳米晶圆代工与技术服务。公司的总部位于上海，在上海建有一座300mm晶圆厂和三座200mm晶圆厂。在北京建有两座300mm晶圆厂，在天津建有一座200mm晶圆厂，在深圳有一座200mm晶圆厂在兴建中。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯国际代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm晶圆厂。发展历程2000年4月 中芯国际成立2002年1月一厂量产2002年8月中芯获ISO9001认证2002年9月二厂及三B厂量产，中芯设立日本子公司2002年12月二厂及三B厂获ISO4001认证及中芯北京厂开始建设2003年1月0.13微米后段铜制程晶圆试产，2003年3月二厂及三B厂获ISO9001认证2003年5月一厂被半导体国际杂质授予“年度最佳半导体厂”奖项2003年9月中芯获OHSAS18001认证2004年1月中芯成功收购在天津的七厂2004年2月中芯获ISO/TS16949认证2004年3月中芯在美国纽约证券交易所和香港联合交易所同时挂牌上市2005年3月四厂量产2006年1月九厂量产，中芯获索尼绿色伙伴认证2006年3月中芯获绿色产品管理体系认证，成都封装测试厂量产2007年10月中芯获美国政府认证为“经验证最终用”（VEU）2007年12月中芯与IBM签订45纳米技术许可协议，上海300mm厂开始投产2008年2月张汝京博士被半导体国际评为2007年度人物2008年3月中芯获得SEMI China社会贡献奖2008年4月武汉新芯（由中芯国际管理经营）开始投产2009年11月4日美国法院判决台积电起诉中芯国际“窃取商业机密案”胜诉2009年11月10日中芯国际CEO张汝京因个人原因宣布辞职2009年11月王宁国出任新总裁兼CEO2010年8月65纳米制程成功量产企业合作伙伴2001年12月20日中芯国际获得日本东芝SRAM制程技术转让2001年12月21日中芯国际与特许半导体策略联盟2002年02月01日中芯国际和富士通完成代工协定2002年02月05日ChipPAC公司与中芯国际宣布建立联盟2002年04月22日IMEC微电子研发中心和中芯国际集成电路有限公司宣布在先进半导体加工工艺研发领域建立伙伴关系2002年12月09日英飞凌与中芯国际签订芯片代工协议2003年01月06日中芯国际与尔必达建立芯片代工合作关系2003年04月24日中芯国际二厂、三厂通过ISO9001：2000认证 2003年01月09日东芝向中芯国际转让SRAM制程技术2003年03月27日英飞凌与中芯国际扩展代工协议2003年07月25日VIRAGE LOGIC与中芯国际签订IP授权协议，目标瞄准中国市场2003年10月24日摩托罗拉和中芯国际集成电路制造有限公司宣布策略代工关系以充分利用半导体制造厂2003年10月31日中芯国际选择VIRAGE LOGIC 作为它的IP 平台提供商2003年12月18日Brillian在LCOS HDTV产品中使用中芯国际的底板优化新的芯片完成工艺以达成一流的图象质量2004年06月28日凸版印刷公司与中芯国际达成初步协议合资建立中国第一家制造及销售专供影像传感器使用的芯载滤色镜的公司2004年07月08日明导公司向中芯国际提供用于0.18 微米混合信号制程的技术设计工具(TDK)和设计流程2004年07月21日凸版印刷与中芯国际正式签署成立合资公司的协议2004年12月09日上海方泰与中芯国际签订战略合作协议2005年03月17日中芯国际与苏州国芯签署合作协议2005年04月08日中芯国际和芯成（上海）联合开发出面向汽车电子市场的高可靠性EEPROM技术2005年04月26日中芯国际与Dolphin联手提供0.35微米EEPROM微处理器内核2005年05月03日中芯国际与联合科技在中国合资建立芯片封装及测试服务公司2005年06月28日中芯国际与Magma建立设计服务合作关系，为纳米设计提供完整的RTL到GDSII解决方案和服务2005年07月20日中芯国际和新思科技有限公司 发布设计参考流程 2.0 2005年10月06日中芯国际与朗明科技签订协议联合开发65纳米及以下制程技术2005年10月12日中芯国际与重庆重邮信科成功制造0.13微米3G手机专用芯片2005年11月15日中芯国际和Magma公司联合发布0.13微米参考流程2006年01月04日中芯国际与SAIFUN拓展NROM技术转让协议2006年01月06日英飞凌与中芯国际将合作协议扩展至90纳米生产领域2006年01月09日中芯国际与ARC联合将可调式微处理器引入中国2006年03月14日中芯国际与TTSILICON合作拓展其对英国和北欧洲半导体设计公司的支持2006年03月21日中芯国际与杭州士康联合推出对讲机射频收发器芯片2006年05月08日中芯国际与Aurora Systems成功量产数字硅基液晶面板芯片2006年05月18日智多微电子与中芯国际联合推出阳光二号C626手机应用芯片2007年03月14日中芯国际与安捷伦科技合作建立RFIC测试联合实验室2007年03月15日中芯国际与 Cascade Microtech 在上海合伙建立新的混合信号 RFIC 设计服务实验室2007年08月21日奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议2007年08月29日Synopsys携手中芯国际挺进中国移动电视市场2007年10月24日Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议，生产300mm、65nm MirrorBit产品2007年12月26日中芯国际与 IBM 签订技术许可协议2008年02月26日新思科技与中芯国际携手推出增强型90纳米参考流程以降低集成电路的设计和测试成本2008年04月21日中芯国际和香港应用科技研究院合作，开发出全球首款符合WLP/WiNET网络标准和中国闪联IGRS网络标准的双模UWB MAC ASIC 芯片2008年08月04日Telepath (泰合志恒) 携手英飞凌和中芯国际合作使得多种移动电视接收设备于奥运成功推出2008年09月22日Spansion与中芯国际的合作协议新添43nm制程MirrorBit ORNAND2技术2009年03月16日FlipChip International 宣布与中芯国际达成300mm战略合作关系2009年04月17日中芯国际和DOLPHIN 公司宣布合作推出便携式媒体播放器2009年06月24日中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow 4.02009年09月24日中芯国际采用Virage Logic公司AEON嵌入式MTP NVM于RFID应用2009年10月29日中芯国际(SMIC)和Cadence共同推出用于65纳米的低功耗解决方案Reference Flow 4.02010年05月14日新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米LL工艺技术的、获得USB标志认证的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY2010年05月24日中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至65纳米低漏电工艺2010年07月22日中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至40纳米低漏电工艺2010年10月11日ARM与中芯国际将合作关系拓展到65以及40纳米工艺2010年11月15日中芯国际和灿芯半导体携手合作提供集成电路整合性生产服务2010年11月15日Synopsys和中芯国际合作推出65-nm到40-nm的SoC设计解决方案2010年11月29日瑞芯微电子与中芯国际成功合作推动65纳米工艺多媒体高端芯片进入量产2010年12月04日中芯国际采用Cadence公司 DFM 和低功耗Silicon Realization技术构建其65纳米参考流程2011年02月16日Fingerprint Cards与中芯国际将携手合作将世界上最小最节能的滑动传感器带入中国市场2011年03月09日锐迪科微电子与中芯国际达成高端55nm量产里程碑 - 锐迪科微电子、中芯国际以及寅通科技 55nm 调频接收器合作项目正式进入量产2011年05月12日中芯国际与湖北省科技投资集团公司签订合资合同2011年05月16日Spansion 与中芯国际扩展代工协议2011年11月30日ChipEstimate.com和中芯国际推出SMIC专属兼容内核IP门户网站 产品业务领域及特点中芯国际向全球客户提供0.35微米到45/40纳米芯片代工与技术服务。此外，中芯国际还为客户提供全方位的晶圆代工解决方案，以一站式服务满足客户的不同需求：从光罩制造、IP研发及后段辅助设计服务到外包服务(包含凸块服务、晶圆片探测，以及最终的封装、终测等)。全面一体的晶圆代工解决方案务求能最有效缩短产品上市时间，同时最大降低成本。晶圆代工l 先进逻辑技术40nm、65/55nm（1）、40nm中芯国际是中国大陆能够提供40纳米技术的第一家晶圆厂。40纳米标准逻辑制程提供低功耗器件(LL)平台，LL涵盖三种阈值电压以满足不同的设计要求，即核心电压，输入/输出 1.8V和2.5V电压。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及超低介电常数介质以获得器件的最大功耗和最优化性能。特点:核心组件电压：1.1V (LL)具三种不同阈值电压的核心组件易于设计优化输入/输出组件电压：1.8V，2.5V以及能在高低驱动力下工作单埠及双端口SRAM存储单元,并提供内存编译器关键层的193纳米浸润式微影技术提高迁移率的应力技术形成超浅接的毫秒级退火1P10M，采用Low-k超低电介质材料(2.7)的铜互连工艺焊线及覆晶选项（2）、65nm/55nm中芯65和55纳米逻辑技术具有高性能，节能的优势,并实现先进技术成本的优化及设计成功的可能性。 此65和55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和高性能通用器件的平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入 / 输出电压为1.8V 或 2.5V的元件，而型成一個彈性的製程設計平台。此技术的设计规则,规格及SPICE模型已完备。65纳米重要的单元库已完备，55纳米低漏电技术的标准单元库正在开发中。特点:1. 核心元件电压：1.0V 到 1.2V2. 输入/输出电压：1.8V 或 2.5V3. 低 k介质(3.0)和 Cu的后端互连集成技术镍化硅制程l 先进逻辑技术90nm、0.13/0.11m、0.18m、0.35m（1）90nm中芯90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保成本的优化，为客户未来技术的提升提供