Array制程与检测介绍,上海天马微电子有限公司,TFT-LCD简介 1.何谓TFT-LCD： TFTThin Film Transistor 薄膜晶体管 LCDLiquid Crystal Display 液晶显示器 2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、全彩化等优点 ，故已广泛使用于各类显示器材上,數碼相機,數碼攝錄影機,汽車導航顯示器,數碼影音光碟機,筆記型電腦,桌上型顯示器,液晶電視,解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目,Cell工程,Module工程,TFT工程,Photo Process Resist Coating,Spin coating Slit (extrusion) coating,薄膜生长制程,PVD,利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应湿刻,将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形.,刻蚀,利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分干刻,Etching type,Substrate,Chemical Isotropic,Plasma Isotropic+Anisotropic,Wet etch,Dry etch,PR,PR,膜,膜,基板,基板,Isotropic,Anisotropic,Etchant等方向浸入造成Side Etch,Etching type selection,PEP 1 Mo/AlNd wet etch PEP 2 SiNx /-Si/ n+-Si dry etch PEP 3 Mo/Al/Mo;-Si/ n+-Si wet/dry etch PEP 4 SiNx dry etch PEP 5 ITO wet etch,干刻用气体,反应方程：Cl2+SF6+SiSiF4+SiS2+其他 Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。,a-Si的刻蚀,反应方程：SF6+HeSiN SiF4+SiS2 +其他 SF6：F元素的供给源。 He：使等离子体均一化,2.SiN的刻蚀,3.PR灰化（Ashing）,反应方程：PR+O2 O2：利用等离子体方法去除PR,O2：有利于形成Taper角,湿刻,M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 草酸（H2C2O4）,HNO3+CH3COOH +H3PO4,Etching mode,Spray喷淋,Spray+Dip,Dip 浸入,Good taper shape,Faster Etching rate,AOI,3GB44unit=132GB,G Size,The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be reviewed precisely,AOI Auto optical inspection,TEG prober and Tester,Array laser repair,After Striper,After laser repair,Inlayer repair(PEP1),Data from AOI,Example:,Metal,Al/ND:532nm,Defect type,Repair method,Metal residue,Metal residue,GC short,用Block laser 将残留metal打掉,用Block laser 将残留metal打掉,Metal residue,用Block laser 将残留metal打掉,波长选择532nm,新型显示技术,Thanks,