第1 页共12 页第 5章 放大电路的频率响应习题5.1 在图P5.1所示电路中，已知晶体管的bbr、C、C，Rirbe。填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入增大、基本不变、减小。图 P5.1 （1）在空载情况下，下限频率的表达式 fL。当 Rs减小时，fL将；当带上负载电阻后，fL将。（2）在空载情况下， 若 b-e间等效电容为C，则上限频率的表达式fH；当Rs为零时，fH将；当 Rb减小时，gm将，C将，fH将。解:（1）1bebs)(21CrRR。；。（2）sbbbeb)(21CRRrr；，。5.2 已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出uA的表达式。第2 页共12 页图 P5.2 解: 设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。)10j1)(10j1(3.2j)10j1)(j101(3255fffAffAuu或图 P5.3 5.3 已知某共射放大电路的波特图如图 P5.3所示，试写出uA的表达式。解： 观察波特图可知， 中频电压增益为40dB， 即中频放大倍数为 100 ； 下限截止频率为1Hz和 10Hz ，上限截止频率为250kHz 。故电路uA的表达式为第3 页共12 页)105.2j1)(10j1)(j1(10)105 .2j1)(j101)(j11 (100525ffffAfffAuu或5.4 已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：（1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f 104Hz时，附加相移为多少？当f 105时，附加相移又约为多少？图 P5.4 解:（1）因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路；（2）因为在高频段幅频特性为60dB/ 十倍频，所以电路为三级放大电路；（3）当f 104Hz时，135o；当f 105Hz 时，270o。5.5 若某电路的幅频特性如图P5.4所示， 试写出uA的表达式， 并近似估算该电路的上限频率fH。解：uA的表达式和上限频率分别为kHz2.531.1)10j1(10HH343fffAu5.6 已知某电路电压放大倍数第4 页共12 页)10j1)(10j1(j105fffAu试求解：（1）muA？fL？fH? （2）画出波特图。解： （1）变换电压放大倍数的表达式，求出muA、fL、fH。Hz10Hz10100)10j1)(10j1(10j1005HLm5ffAfffAuu（2）波特图如解图P5.6所示。解图P5.6 5.7 已知两级共射放大电路的电压放大倍数第5 页共12 页105. 2j110j15j1j20054ffffAu（1）muA？fL？fH? （2）画出波特图。解： （1）变换电压放大倍数的表达式，求出muA、fL、fH。Hz10Hz510)105. 2j1)(10j1)(5j1(5j104HL3m543ffAffffAuu（2）波特图如解图P5.7所示。解图P5.7 5.8 电路如图P5.8所示。已知：晶体管的 、bbr、C均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流 IEQ均相等。定性分析各电路，将结论填入空内。第6 页共12 页图 P5.8 （1）低频特性最差即下限频率最高的电路是; （2）低频特性最好即下限频率最低的电路是; （3）高频特性最差即上限频率最低的电路是; 解： （1） （a）（2） （c）（3） （c）5.9在图 P5.8 （a）所示电路中，若100，rbe1k，C1C2Ce100F，则下限频率 fL? 解：由于所有电容容量相同，而Ce所在回路等效电阻最小，所以下限频率决定于 Ce所在回路的时间常数。Hz80212011eLsbebsbeeRCfRrRRrRR5.10 在图 P5.8 （b）所示电路中,若要求 C1与 C2所在回路的时间常数相等 ,且已知rbe=1k，第7 页共12 页则 C1:C2? 若C1与 C2所在回路的时间常数均为25ms ，则C1、C2各为多少？下限频率fL? 解： （1）求解C1:C2因为C1（RsRi）C2（RcRL）将电阻值代入上式，求出C1 : C25 : 1 。（2）求解C1、C2的容量和下限频率Hz1021 .1Hz4 .621F5.2F5 .12L1LL2L1Lc2is1ffffRRCRRC5.11 在图 P5.8 （a）所示电路中，若Ce突然开路，则中频电压放大倍数smuA、fH和fL各产生什么变化（是增大、减小、还是基本不变）？为什么？解：smuA将减小，因为在同样幅值的iU作用下，bI将减小，cI随之减小，oU必然减小。fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。fH增大。因为C会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然C所在回落的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故 fH增大。5.12 在图P5.8 （a）所示电路中， 若 C1Ce，C2Ce，100 ，rbe1k，欲使 fL60Hz ，则 Ce应选多少微法？解：下限频率决定于Ce所在回路的时间常数，eL21RCf。R为Ce所在回路的等效电阻。R和 Ce的值分别为：2011sbebsbeeRrRRrRR13321LeRfCF 第8 页共12 页5.13 在图P5.8 （d） 所示电路中， 已知晶体管的bbr100 ， rbe1k，静态电流IEQ2mA，C800pF ；Rs2k，Rb500 k ，RC3.3 k ，C=10F。试分别求出电路的fH、fL，并画出波特图。解： （1）求解fLHz3.5)(21)(21besisLrRRRf（2）求解fH和中频电压放大倍数dB6.37lg2076)()(V/mA77kHz316)(21)(21k9.0smLmbesebLmbeebisismTEQmsbbebsbbbebHbbbeebuuARgrRrRgrrRRRAUIgCRrrCRRrrfrrr其波特图参考解图P5.6 。5.14电路如图P5.14所示，已知CgsCgd5pF ，gm5mS ，C1C2CS10F。试求 fH、fL各约为多少，并写出suA的表达式。图 P5.14 解：fH、fL、suA的表达式分析如下：第9 页共12 页)101.1j1)(16j1()16j (4.12MHz1.121)(21pF72)1(Hz16214 .12)(6sgssgsgsHgdLmgsgsssLLmLmisismfffACRCRRfCRgCCCRfRgRgRRRAuu5.15在图 5.4.7 （a）所示电路中，已知Rg2M，RdRL10k，C 10F；场效应管的 CgsCgd4pF ，gm 4mS。试画出电路的波特图，并标出有关数据。解：Hz90421Hz796. 0)(21pF88)1(dB26lg20,20gsgHLdLgdLmgsgsmLmmCRfCRRfCRgCCARgAuu其波特图参考解图P5.6 。5.16 已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为52o25o1110j150j1j210j14j1j25fffUUAfffUUAiuiu（1）写出该放大电路的表达式；（2）求出该电路的fL和fH各约为多少；（3）画出该电路的波特图。解： （1）电压放大电路的表达式第10 页共12 页25221)10j1)(50j1)(4j1(50ffffAAAuuu（2）fL和 fH分别为：kHz3 .641021. 111Hz50H5HLfff，（3）根据电压放大倍数的表达式可知， 中频电压放大倍数为104，增益为80dB 。波特图如解解图 P5.16 5.17 电路如图P5.17所示。试定性分析下列问题，并简述理由。（1）哪一个电容决定电路的下限频率；（2）若T1和 T2静态时发射极电流相等，且bbr和C相等，则哪一级的上限频率低。第11 页共12 页图 P5.17 解： （1）决定电路下限频率的是Ce，因为它所在回路的等效电阻最小。（2）sCRRRRR21432，因为所在回路的时间常数大于1C所在回路的时间常数，所以第二级的上限频率低。5.18 若两级放大电路各级的波特图均如图 P5.2所示，试画出整个电路的波特图。解：dB60lg20muA。在折线化幅频特性中， 频率小于10Hz时斜率为40dB/ 十倍频，频率大于105Hz时斜率为40dB/ 十倍频。 在折线化相频特性中， f 10Hz时相移为90o， f 105Hz时相移为90o。波特图如解图P5.18所示。解图 P5.18 第12 页共12 页