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模电100个知识点模电100个知识点总结1、在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电 流下的正向压降约为0.7V ;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流 下的正向压降约为 _0.2_V。2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性PN结外加正向电压时, 扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时, 稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研 究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟 电子技术。6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。PN具有具有单向导 电特性。7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典 型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为 0.5伏。8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动 形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导 体的载流子为电子空穴对。10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P )半导体和 电子(N)半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反 映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电 流下的正向压降约为 0.7 V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变 化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分 为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和 旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它 参数不变,三极管的P增加,则IBQ增大,1CQ增大,UCEQ减小。19、三极管的三个工作区域是截止,饱和,放大。集成运算放大 器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V, Vb= 0.5V,Vc= 3.6V, 试问该三极管是硅管管(材料), NPN 型的三极管,该 管的集电极是a、b、c中的Co21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB,则该放大电路总的对数增益为80 dB,总的电压放大倍数为 10000o22、三极管实现放大作用的外部条件是:发射结正偏、集电结反 偏。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va = -1V,Vb=-3.2V, Vc= -3.9V,这是硅管(硅、锗),NPN型,集电极管脚是a o23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容( RC )耦合、直 接耦合和_变压器耦合_,其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载,而前级 的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比 其中每一级的通频带要窄。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kQ的负 载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4 kQo26、为了保证三极管工作在放大区,要求: 发射结正向偏置,集电结反向偏置。对于NPN型三极管,应使vBCF A。85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、 稳幅环节四部分组成。86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有:V A = 3、V F =31、033二二RC 1。87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是1二F A、n?n f a 2=+ n 为88、正弦波振荡电路起振的条件是1F A和n n F A 2 士二+n为整数。89、有用信号频率高于 1000Hz, 可选用 高通 滤波器。文氏电桥 振荡器中的放大电路电压放大倍数A f 3,才能满足起振条件。90、为了稳定电路的输出信号,电路应采用交流负反馈。为了产 生一个正弦波信号,电路应采用正反馈。91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换 电路。92、三端集成稳压器7805输出电压 +5 V ,7915输出电压 -15 V。93、直流电源一般由下列四部
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