(19 )中华人民共和国国彖知识产权局(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN103151299A(43)申请公布日2013. 06. 12(21)申请号 CN201110404077.1(22 )申请日 2011.12.07(71)申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层(72)发明人张国伟;陈建国(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司代理人郭润湘(51) Inta权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品(57 )摘要本发明公开了 -种多层布线铝互连的工艺方法、铝线互连的通孔及半导体产品，其中方法 包括：对已在接触孔中形成钩塞的晶片进行鸨回 刻，去除接触孔之外的金属钩：所述鸨塞连通下 层金属铝：在经过鸨回刻的晶片农而溅射导通材 料层；在该导通材料层的农而进行上层铝布线。 铝线互连通孔的结构包括：下层金属铝、钩塞、 金属钛层和上层金属铝。本发明在钩回刻步骤之 后增加溅射金属钛层的步骤，由于作为导通材料