三星闪存芯片命名规律K9XXXXXXXX 二 XXXXXXX123 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 181. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack45. Density12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE67. organization 00 : NONE08 : x8 16 : x168. VccA : 1.65V3.6VB : 2.7V (2.5V2.9V)C : 5.0V (4.5V5.5V)D : 2.65V (2.4V 2.9V)E : 2.3V3.6VR : 1.8V (1.65V1.95V)Q : 1.8V (1.7V 1.95V)T : 2.4V3.0VU : 2.7V3.6VV : 3.3V (3.0V3.6V)W : 2.7V5.5V, 3.0V5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. 12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2ExceptionExceptionU : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 15 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, handling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)1718. Customer Customer List Reference注:这里说的容量单位都是bit,要除以8才是我们常说的容量值.举例说明】K9GAG08U0MPCB0123456789101112131415161718K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal45. DensityAG : 16G (Note:这里单位是bit而不是byte,因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V3.6V9. Mode0 : Normal10. Generation M : 1st Generation12. PackageP : TSOP1 （Lead-Free）13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : NoneK9GAG08U0M 是，三星的 MLC Nand Flash,工作电压为 2.7V3 6V, x8 （即 I/O 是 8 位），大小是 2GB（16Gb）， TSOP1 封装。