Page 1基于ARM 内核的32位MCU,150DMIPs,高达 1MB Flash/128+4KB RAM, USB On-The-Go Full-speed/High-speed，以太网，17 TIMs, 3 ADCs, 15 个通信&摄像头接口主要特性：内核：使用ARM 32位CortexTM-M3 CPU，自适应实时加速器（ART加速器tm）可以让程序在 Flash中以最高120MHz频率执行时，能够实现零等待状态的运行性能，内置存储器保护单 元，能够实现高达 150DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性 能。存储器：高达1M字节的Flash存储器512字节的动态口令存储器高达128+4K字节的SRAM灵活的静态存储控制器，支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器并行LCD接口，兼容8080/6800模式时钟、复位和电源管理：1.653.6V用于供电和I/O管脚上电复位、掉电复位、可编程电压监测器和欠压复位426MHz晶体振荡器内嵌经出厂调校的16MHz RC振荡器（25 C下精度为1%）带校准功能的32kHz RTC振荡器内嵌带校准功能的32kHz的RC振荡器低功耗：睡眠、停机和待机模式VBAT为RTC, 20x32位后备寄存器，以及可选的4KB后备SRAM供电3x12位A/D转换器，0.5煦转换时间：多达24个输入通道在三倍间插模式下转换速率高达6MSPS2x12位D/A转换器通用DMA：16组带集中式FIFO和支持分页的DMA控制器多达17个定时器：多达12个16位和2个32位的定时器，频率可达120MHz,每个定时器有多达4个用 于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入 调试模式：串行单线调试（SWD）和JTAG接口Cortex-M3内嵌跟踪模块（ETM）多达140个具有中断功能的I/O端口：多达136个快速I/O端口，其频率可达60MHz多达138个耐5V的I/O端口多达15个通信接口：多达3个I2C接口 （支持SMBus/PMBus）多达4个USART接口和2个UART接口（传输速率7.5 Mbit/s,支持ISO7816, LIN,IrDA接口和调制解调控制）多达3个SPI接口（传输速度可达30 Mbit/s）,其中2个可复用为I2S接口，通过音频PLL或外部PLL来实现音频类精度2 个 CAN 接D（2.0B 版本）SDIO 接口高级互连功能：带有片上物理层的USB 2.0全速设备/主机/On-The-Go控制器带有专用DMA，片上全速PHY和ULPI的USB 2.0高速/全速设备/主机/On-The-Go 控制器带有专用DMA的10/100以太网MAC.，支持硬件IEEE 1588v2（MII/RMII）8到14bit并行摄像头接口，最高达48Mbyte/sCRC计算单元96位唯一 ID模拟真正的随机数发生器Page 2目录略Page 3目录略Page 4目录略Page 5表格目录略Page 6表格目录略插图目录略Page 8插图目录略Page 9插图目录略Page 101简介这个数据手册给出了 STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器的说明书。欲知意 法半导体STM32整个系列的更多细节，请参阅2.1节：完全兼容整个系列。STM32F205xx和 STM32F207xx数据手册必须结合 STM32F20x/STM32F21x参考手册一 起阅读。在整个文档中，他们被称为STM32F20x设备。有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息，请参考STM32F20x/STM32F21x闪 存编程参考手册。参考手册和闪存编程参考手册均可在ST网站下载：www.st.com有关Cortex-M3内核的相关信息，请参考Cortex-M3技术参考手册，可以在ARM 公司的网站下载：http:/infocenter.arm.com/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/Page 112概述STM32F20x系列是基于工作频率高达120MHz的高性能ARMCortex-M3 32位RISC 内核。该系列整合了高速嵌入式存储器，Flash存储器和系统SRAM的容量分别高达1M字 节和128K字节，高达4K字节的后备SRAM，以及大量连至2条APB总线、2条AHB总 线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。该系列产品还带有自适应实时存储器加速器（ART加速器tm），在高达120MHz的CPU 频率下，程序在Flash存储器中运行时，可以实现相当于零等待状态的运行性能。已经利 用CoreMark基准测试对该性能进行了验证。所有产品均带有3个12位ADC模块、2个DAC模块、1个低功耗RTC、12个通用16 位定时器（包括2个用于电机控制的PWM定时器）、2个通用32位定时器。1个真随机数 发生器（RNG）。所有产品都带有标准与高级通信接口。新增的高级外设包括1个SDIO、1 个增强型灵活静态存储器控制（FSMC）接口（100脚或100脚以上的产品），和1个连接CMOS 传感器的照相机接口。这个系列产品还配置有标准外设。多达3个I2C接口3个SPI接口，2个I2S接口。为了获得音频级精度，I2S外设可以通过一个专门的内 部音频锁相环或一个外部锁相环锁相来达到同步。4个USART接口和2个UART接口带高速性能（带ULPI）的OTG全速USB接口另有一个USB OTG (全速)2个CAN接口1个SDIO接口以太网接口和摄像头接口是STM32F207xx设备特有的。注意：STM32F205xx和STM32F207xx设备工作于-40 C至+105 C的温度范围，供电电 压1.8V至3.6V。当设备工作于0 C至70 C的温度范围内，并且IRROFF与VDD相连 时，供电电压可降至1.7V。一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。STM32F205xx和STM32F207xx系列产品提供包括从64脚至176脚的4种不同封装 形式。根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。这些丰富的外设配置，使得 STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器适合于多种应用场合：电机驱动和应用控制医疗设备工业应用：可编程控制器(PLC)、变频器、断路器打印机和扫描仪警报系统、视频对讲和暖气通风空调系统家庭音频设备图5给出了该产品系列的框图略。Page 12表2 STM32F205xx特性和外设数目略Page 131. 对于LQFP100封装，只有FSMC Bank1或Bank2是可用的。Bank1只能用NE1片选 来支持一个复合的NOR/PSRAM存储器。Bank2只能用NE2片选来支持一个16位或8位 的NAND Flash存储器。由于这种封装G端口是不可用的，所以不能使用中断线。2. SPI2和SPI3接口以一种专用的方式灵活地工作于SPI模式或I2S音频模式。3. 当设备工作于0 C至70 C的温度范围内，并且旧ROFF与VDD相连时，供电电压 最小值为1.7V。表3 STM32F207xx特性和外设数目略Page 14表3 STM32F207xx特性和外设数目(continued)略1. 对于LQFP100封装，只有FSMC Bank1或Bank2是可用的。Bank1只能用NE1片选 来支持一个复合的NOR/PSRAM存储器。Bank2只能用NE2片选来支持一个16位或8位 的NAND Flash存储器。由于这种封装G端口是不可用的，所以不能使用中断线。2. SPI2和SPI3接口以一种专用的方式灵活地工作于SPI模式或I2S音频模式。3.当设备工作于0 C至70 C的温度范围内，并且旧ROFF与VDD相连时，供电电压 最小值为1.7V。Page 152.1系列之间的全兼容性STM32F205xx和STM32F207xx组成了 STM32F20X系列，其成员之间是完全地脚对 脚兼容，软件和功能上也兼容，在开发期间允许用户有更大的自由度来尝试不同的存储器密 度和外设。STM32F205xx和STM32F207xx系列产品与整个STM32F10xxx系列保持了很高的兼 容性。所有的功能管脚是脚对脚兼容的。然而，STM32F205xx和STM32F207xx不能随意 的替代STM32F10xxx产品。两个系列没有一样的电源模式，所以他们的电源管脚是不同的。 尽管如此，从STM32F10xxx向STM32F20x系列过渡仍然是很简单的，只有几个管脚受到 了影响。图3、图4和图1给出了 STM32F20x和STM32F10xxx系列的兼容板的设计。 图1 LQFP64封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。略。Page 16图1 LQFP100封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。略。图1 LQFP144封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。略。Page 17图1 LQFP176封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。略。Page 182.2器件概述图 5. STM32F20x 框图。略。1. 连接到APB2的定时器从TIMxCLK测得的速率可达120 MHz，而连接到APB1的定时 器从TIMxCLK测得的速率可达60 MHz。2. 只有STM32F207xx系列有USB OTG FS，摄像头接口和以太网接口。Page 192.2.1内嵌闪存和SRAM的ARMCortex-M3内核。ARM Cortex-M3处理器是最新一代的嵌入式ARM处理器。它为实现MCU的需要提 供了低成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗，同时提供卓越的计算性能和先进的 中断系统响应。ARM的Cortex-M3是32位的RISC处理器，提供额外的代码效率，在通常8和16 位系统的存储空间上发挥了 ARM内核的高性能。STM32F20X系列拥有内置的ARM核心，因此它与所有的ARM工具和软件兼容。图5是STM32F20X系列产品的功能框图。2.2.2自适应实时存储加速器（ART加速器）ART加速器是一种存储器加速器，它优化了 STM32工业标准的ARM Cortex-M3 处理器。它平衡了 ARM Cortex-M3在闪存存储器技术上的固有性能优势，这通常需要处理 器在更高操作频率上等待闪存存储器。为了缓解处理器在150 DMIPS全速频率下的性能，处理器执行一个指令预取队列，以 及分支缓存，从而提高从128位的闪存中的程序执行速度。基于CoreMark标准，由于ART 加速器，该性能得以实现，就相当于在CPU频率高达120MHz时，从闪存0等待的执行程 序。2.2.3存储器保护单元存储器保护单元用来管理CPU访问存储器，以防止一个任务突然被另一个活动任务破 坏寄存器和资源。这个存储区域被组织成8个受保护的区域，进而可划分为8个分区。这 个保护区域的大小在32个字节和整个4G可寻址寄存器之间。存储器保护单元特别有助于这些应用场合：一些重要的或有待验证的代码码必须被保 护，防止其他任务的不良行为。它通常是由一个RTOS管理（实时操作系统）。如果一个程 序访问了一个存储器的地址，而这个地址是被存储器保护单元禁止访问的，那么实时操作系 统能够