PHOTO流程？答：上光阻f曝光f顯影f顯影後檢查fCD量測一Overlay量測何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？答：Photoresist (光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻？答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质 会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。何为负光阻？答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是 这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被 留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理， 以将图形清晰的显现出来的过程。何谓Pho to?答：Pho to二Pho toli thgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Pho to主要流程为何？答：Photo的流程分为前处理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。何谓PHOTO区之前处理？答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以 使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS 等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS 工作，以 使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻？答：上光阻是为了在 Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴 (Nozzle)被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布 在Wafer的表面。何谓 Soft Bake?答：上完光阻之后，要进行Soft Bake,其主要目的是通过Soft Bake将光阻中 的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力 释放。何谓曝光？答:曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到 Wafer上的过程。何谓 PEB(Post Exposure Bake)?答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被 曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。何谓显影？答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程， 成象在光阻上的图形被显现出来。何谓 Hard Bake?答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer 上的显影液蒸发，并且固 化显影完成之后的光阻的图形的过程。何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？答：BARC=BottomAnti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻 上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻 的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何谓Iline ？答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波 长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。何谓DUV ？答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图 形分辨率较好，用于较为重要的制程中。I-line与DUV主要不同处为何？答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的 制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。 DUV则用在先进制程的Critical layer上。何为 Exposure Field?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓Stepper?其功能为何？答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式，一次曝整個exposure field, 一個一個曝過去何谓Scanner?其功能为何？答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式，在一個exposure field 曝光時，先Scan完整個field. Scan完後再移到下一個field.何为象差？答：代表透镜成象的能力，越小越好.Scanner比Stepper优点为何？答：Exposure Field大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy（曝光量），Focus（焦距）。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到 要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因 此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有 不同。何为 Reticle?答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的 载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。何为 Pellicle?答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在 光罩的图形面上的一层保护膜。何为OPC光罩？答：OPC （Optical Proximity Correction）为了增加曝光图案的真实性，做了一 些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。 何为PSM光罩？答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前大 都应用在 contact layer 以及较小 CD 的 Critical layer （如 AA, POLY，METAL1） 以增加图形的分辨率。何為 CR Mask？答：傳統的鉻膜光罩，只是利用光訊0與1干涉成像，主要應用在較不Critical 的 layer光罩编号各位代码都代表什幺？答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表产品号，00 代表 Special code,156 代 表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV（如 果是J,则代表I-line）,A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台） 光罩室同时不能超过多少人在其中？答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。存取光罩的基本原则是什幺？答：（1）光罩盒打开的情况下，不准进出MaskRoom，最多只准保持2个人（2）戴 上手套（3）轻拿轻放如何避免静电破坏Mask?答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩 Pod而损坏光罩。何谓Track?答：Pho to制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coa ting（上 光阻），和Develop（显影）等过程。In-line Track 机台有几个 Coater 槽，几个 Developer 槽？答：均为4个机台上亮红灯的处理流程？答:机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此 应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。 何谓WEE?其功能为何？答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此 一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分 的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便 可以消除影响。何为PEB ?其功能为何？答: Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject?答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少 掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。何谓Overlay?其功能为何？答:迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一 层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成 整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的 对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓ADI CD?答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复 制在Wafer 上,通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图 形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。 何谓CD-SEM?其功能为何？答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图 案。PRS的制程目的为何？答：PRS （Process Release Standard）通过选择不同的条件（能量和焦距）对 Wafer曝光，以选择最佳的process condition。何为ADI？ ADI需检查的项目有哪些？答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生 的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,LockingCorner,Vernier,Photo Macro Defect何为 0OC, 00S, OCAP？答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减 少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。 PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？答：5点，Wafer中间一点，周围四点。PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？答：20PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？答：#1，#6，#15，#24;统计随机的考量何谓RTMS，其主要功能是什幺？答：RTMS (Reticle Management System)光罩管理系统用于 trace光罩的 His to ry,S tatu s,Loca tio n,and Informa tion 以便于光罩管理PHOTO区的主机台进行PM的周期？答：一周一次PHOTO区的控片主要有几种类型答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片，使用前測前需小於10顆 (2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片，其平坦度要 求非常高(3) Focus :作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer(4) CD :做為 pho to 區 daily moni tor CD穩定度的 wafer(5) PR t hickness :做為光阻厚度測 量的 wafer(6) PDM :做為 pho to defect moni tor 的 wafer 当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？答：有少量