江西余江县博纳硅电子有限公司年产 300MW8英寸太阳能硅片、电池片及组件生产线（一期太阳能硅片）项目环境保护竣工验收监测报告福建九五环境检测有限公司二一六年十月一十七日说明1、本报告无监测报告专用章无效。2、未经本实验室书面批准不得部分复制本报告。3、本报告对以下监测结果负责,如有异议,请于报告送出后30天内向本公司质询。4、本报告未经同意不得用于广告宣传。 5、本报告无授权签字人签发无效。地址：福建省福州市仓山区新建镇金山工业园电话：0591-83261095邮编：350002承担单位:福建九五环境检测有限公司地址：福建省福州市仓山区新建镇金山工业园电话：0591-83261095邮编：350002目录1前言12验收监测依据13建设项目工程概况13.1工程基本概况13.2生产工艺43.3主要污染物及污染治理设施84主要环评建议及环评批复要求114.1项目环评结论及建议114.2鹰潭市环保局主要环评批复205 验收监测评价标准215.1验收监测执行标准215.2标准限值226验收监测内容236.1生产工况调查和分析236.2污染物排放监测236.3污染物排放总量核算246.4验收监测质量保证257验收监测结果267.1 验收监测期间运行工况及分析267.2废水监测结果及评价277.3 废气监测结果及评价287.4 噪声监测结果及评价327.5 固体废弃物调查327.6 污染物排放总量核算348环境管理检查348.1 环评批复落实情况348.2 环境绿化情况358.3环境污染事故应急预案及处理措施369.公众意见调查369.1 调查范围及组织形式369.2 调查结果及分析3710验收监测结论和建议3910.1 验收监测结论3910.2 建议40附图：附图1：余江县博纳硅电子有限公司地理位置图附图2：余江县博纳硅电子有限公司厂区平面图附图3：环保设备现场照片附图4：监测布点图附件：附件1：江西余江县博纳硅电子有限公司验收监测委托书；附件2：关于江西余江县博纳硅电子有限公司的批复鹰潭市环境保护局 ，鹰环函字2011104号文 2011年8月28日；附件3：环保验收申请报告附件4：公众调查表附件5：危险废物处理协议证明附件6：环保设施一览表附件7：建设项目工程竣工环境保护“三同时”验收登记表1前言江西余江县博纳硅电子有限公司年产300MW8英寸太阳能硅片、电池片及组件生产线（一期太阳能硅片）项目，于2012年5月开工建设， 2016年6月投入试生产，试生产期间，生产及环保设施运行基本正常。根据国务院令第253号建设项目环境保护管理条例及国家环境保护总局令第13号建设项目竣工环境保护验收管理办法，福建九五环境检测有限公司承担了该工程的竣工环境保护验收监测工作，并于2016年9月46日对该公司进行了现场勘察，并查阅了有关文件和技术资料，查看了污染物治理及排放、环保措施的落实情况，根据监测情况，编写了验收监测报告。2验收监测依据2.1 建设项目环境保护管理条例 国务院令第253号；2.2 建设项目竣工环境保护验收管理办法 国家环境保护总局令第13号；2.3 关于建设项目环境保护设施竣工验收监测管理有关问题的通知国家环境保护总局环发（2000）38号；2.4 关于江西余江县博纳硅电子有限公司的批复鹰潭市环境保护局, 鹰环函字2011104号文 2011年8月19日；2.5年产300MW8英寸太阳能硅片、电池片及组件生产线（一期太阳能硅片）项目环境影响报告书江西余江县博纳硅电子有限公司；2.9江西余江县博纳硅电子有限公司验收监测委托书。3建设项目工程概况3.1 工程基本概况江西余江县博纳硅电子有限公司建于2012年，厂址位于余江县循环经济产业园内，该项目占地面积约为60亩，项目总投资115000万元，其中一期总投资额为 24000万元。一期总投资中环保投资259.2万元，环保投资占一期总投资的1.08%。该项目废气处理工程由浙江绿源环保工程有限公司设计、安装。公司职工人数88人，其中：生产人员为70人；后勤、管理及环保人员为18人。生产部门及相应辅助生产部门采用连续工作制，其中：生产部门年工作日300天，每天3班，每班8小时，其他辅助生产部门及管理部门可采用间断工作制，年工作天数300天，每天1班，每班8小时。员工就餐自行解决，公司不提供食堂。工程主要生产设备见表3-1，该工程主要环评批复要求与实际建设情况比对见表3-2。表3-1 工程主要生产设备一览表名称规格单位环评要求建设内容一期工程实际建设内容铸锭炉JSH600CL2800/1000台1010单晶炉台300截断机SK5720台25线切剖方机S1000台52数倒角机台12多线切割机TW-320 PV-800H台209超声波清洗机JHN-33-39600W台44全自动冲洗烘干机Dr40-08台32傅里叶红外硅片分析系统台11硅片电阻率测试仪JX2008台11少子寿命测试仪WT-2000D套11反渗透纯水制备装置20m3/H套11配套循环冷却水系统套11真空泵H70B台6012空压机VA80-B台603表3-2 环评要求环保设施与实际建设情况比对类别环评批复要求实际情况废水本项目生产废水中含氟废水和酸洗废气处理产生的喷淋废水采用化学沉淀法处理，废水汇入调节池；一般废水和车间冲洗废水进入废水调节池采用中和法处理；切割废水经沉淀后进入废水调节池进行调节处理；线切割废水和硅片清洗废水采用兼氧+接触氧化法处理；生活污水采用改良式化粪池处理装置。生产废水中含氟废水和酸洗废气处理产生的喷淋废水采用化学沉淀法处理，废水汇入调节池；一般废水和车间冲洗废水进入废水调节池采用中和法处理；切割废水经沉淀后进入废水调节池进行调节处理；线切割废水和硅片清洗废水采用兼氧+接触氧化法处理；目前厂区未设住宿，厂区少量生活污水进入污水处理站一并处理。废气酸洗废气通过集气罩搜集，由抽风机抽至填充式废气洗涤塔，采用稀碱液进行淋洗吸收处理达标后由15米排气筒排放；铸锭炉废气经重力沉降箱沉降处理；无组织排放废气采用加强通风处理。酸洗废气通过集气罩搜集，由抽风机抽至填充式废气洗涤塔，采用稀碱液进行淋洗吸收处理达标后由15米排气筒排放；铸锭炉废气经重力沉降箱沉降处理；无组织排放废气采用加强通风处理。固废固体废物须按“资源化、减量化和无害化”原则分类处置。处理含氟污泥、废切削液等危险废物，应建设符合国家标准的临时储存场所，交由具有危险废物处理资质单位进行处理；埚底料、头尾料、边皮料、次品全部回收利用；破裂干埚及石墨件、废绑定玻璃等具有一定再利用价值的废物，一并送建筑材料厂进行综合利用；纯水制备产生的废活性炭由活性炭供应商回收处理。生活垃圾送环卫部门处理。项目处理含氟污泥、废切削液等危险废物，建设了符合国家标准的临时储存场所，交由具有危险废物处理资质单位进行处理（见附件）；埚底料、头尾料、边皮料、次品全部回收利用；破裂干埚及石墨件、废绑定玻璃等具有一定再利用价值的废物，一并送建筑材料厂进行综合利用。项目实际运营无废活性炭产生。生活垃圾送环卫部门处理。噪声高噪声设备经减振、隔音、距离衰减。高噪声设备采取了减振、隔音、距离衰减等措施。环境风险必须重视环境风险防范措施的规划、设计、建设和运营管理，保证应急预案的实施。为防范突发性事故，建设项目应在化学品贮存区设置围堰和30m3备用储罐同时在贮存区外围设置200m3的事故池，以确保事故情况下危险物质得到处理，不对外环境造成污染。采取严格的风险管理防范措施，制定风险应急预案。在贮存区外围设置200m3的事故池。3.2生产工艺生产工艺流程见图3-1。图3-1工艺流程和产排污图3.2.1运营期1、工艺原理项目太阳能硅片主要有两种规格，70%为多晶硅片，30%为单晶硅片。本次验收只有铸造多晶硅片200MW。项目工艺是：通过将硅原料投入到铸锭炉生产成多晶硅铸锭，然后对多晶硅铸锭进行加工生产出成品太阳能硅片。多晶硅铸锭是通过将硅原料放在石英埚内用石墨制成的加热器通入低电压大电流而产生的高温将硅材料熔化后，进行铸锭，后将大块的多晶硅锭进行破锭处理，制成多晶硅铸锭。2、工艺流程 太阳能硅片生产工艺可分为三部分，循环料（埚底料、头尾料、边皮料及次品等）清洗、多晶硅铸锭生产、太阳能硅片加工生产。其主要生产工序说明如下：（1）清洗本项目使用的多晶硅料属于为外购免洗多晶硅和硅片生产过程中产生的循环料 （埚底料、头尾料、边皮料及次品等），外购免洗多晶硅料中硅含量99.9999%。根据建设单位提供资料，本项目外购的多晶硅为免洗多晶硅料，但太阳能硅片生产中产生的循环料，含有少量O、P、Fe、硼等元素，需采用酸液腐蚀法去除循环料表面氧化层、损伤层及微量杂质。酸液均由人工利用配酸桶配制而成。配酸时，先在桶中倒入适量清水，然后将酸液通过导板倒入酸桶内，经搅拌均匀后再倒入酸洗槽。接下来将多晶硅循环料浸入酸液中进行清洗。经化学腐蚀后硅原料采用软水三级逆流清洗法，去除硅原料表面少量残留酸液。软水由本厂软水装置提供。经清洗后需要烘干去除水洗后洁净多晶硅原料表面残留水分。烘干在电加热烘箱中进行。（2）多晶硅铸锭生产多晶硅铸锭生产以多晶硅为原料， 经铸锭炉先熔化后定向固化生成多晶硅铸锭。多晶硅锭生产主要分装炉、熔化、结晶、退火、冷却、破锭等工艺环节，均在熔铸炉中进行。装炉把铸锭炉室及石墨件清理干净，把方形陶瓷坩埚放置到石墨底板中间，将不同电阻率的洁净硅原料（包括外购硅原料和生产过程产生的循环料）按工艺要求投入方形石英陶瓷坩埚中，再把石墨炉板、陶瓷坩埚连同多晶硅料一并装入到铸锭炉中，关闭炉室，给炉室抽真空并通入氩气。加热融化硅料给炉室内的石墨加热器通电加热。在这一过程中，硅液中的大部分杂质发生反应生成新的化合物，铁、铝、钙、硼、铍等杂质上浮至硅液表面，从而达到提纯去杂的目的。铸锭硅生长通过缓慢提升隔热系统的方法，使下部的液态硅温度降低首先凝固的晶体，并从下往上非常缓慢地长晶。退火处理坩埚内的液固态后，把炉温控制在稍比熔点低一些，并让硅锭整体温度保持一致，退火处理34个小时，以消除硅锭内部的应力和裂纹，减少位错。冷却把加热功率降低并关闭，温度降至800时，停止抽真空并向炉内通入氩气，通过氩气在炉内的对流作用加快降温速度。当炉内压力升至0.5个大气压后，打开空气阀使之继续升压至常压，温度降至接近室温时，打开炉盖，取出多