东北大学21秋电气安全在线作业一答案参考1. 对于三相变压器组，零序阻抗_。 A B C对于三相变压器组，零序阻抗_。ABCB2. 已知一些电阻的伏安特性为 (a)u=i2 (b)u+10i=0 (c)i+3u=10 (d)u=(cos2t)i+3 (e)i=e-u (f)i=ln(u+2) (g已知一些电阻的伏安特性为(a)u=i2(b)u+10i=0(c)i+3u=10(d)u=(cos2t)i+3(e)i=e-u(f)i=ln(u+2)(g)i=u+(cos2t)u试指出它们是线性还是非线性的，时变还是定常的，双向还是单向的，压控还是流控的。(a)非线性、定常、单向、流控 (b)线性、定常、双向、单调 (c)非线性、定常、单向、单调 (d)非线性、时变、单向、cos2t0时单调(否则流控) (e)、(f)非线性、定常、单向、单调 (g)线性、时变、双向、cos2t-1时单调(否则压控) 3. 二叉树的先序遍历和中序遍历如下：先序遍历：EFHIGJK中序遍历：HFIEJKG。该二又树根的右子树的根是：(二叉树的先序遍历和中序遍历如下：先序遍历：EFHIGJK中序遍历：HFIEJKG。该二又树根的右子树的根是：( )。【北方交通大学2001一、21(2分)】AEBFCGDH正确答案：C4. 欲测量某回路中一标称值为101%电阻器的功率损耗P，可采用两种方法进行，一是只测电阻器两端的电压V，然后用欲测量某回路中一标称值为101%电阻器的功率损耗P，可采用两种方法进行，一是只测电阻器两端的电压V，然后用公式P=V2/R计算功率损耗；二是分别测量电阻器两端的电压V和流过电阻器的电流I，由公式P=VI计算电阻器上的功率损耗。估算这两种方案的电功率误差。设V和I的测量结果为V=1001%(V)，I=101%(A)。5. 一级负荷中特别重要的负荷，除由两个电源供电外，尚应增设应急电源，并不宜将其它负荷接人应急供电系统。( )A.正确B.错误参考答案：B6. 一台三相输入单相输出交-交变频装置，输入电压为380V(线电压)，主电路结构为两套三相桥式全控电路反并联，求输一台三相输入单相输出交-交变频装置，输入电压为380V(线电压)，主电路结构为两套三相桥式全控电路反并联，求输出电压及频率的调节范围。由于采用三相桥式全控电路，为保证输出的电压畸变率，输出上限频率通常为电源频率的1/31/2。因此输出频率范围大致为020Hz。 当三相桥式全控电路触发延迟角为0时，输出电压达到最大，其平均值为Ud=1.35U21=513V，即为输出正弦电压峰值，因此理想输出电压有效值的上限为Uo=513V/1.414=363V。输出电压范围为0363V，考虑到最小逆变角等原因，实际上输出电压低于理想数值。 7. 在电力拖动自动控制系统中最常用的校正方法是并联校正和反馈校正。( )在电力拖动自动控制系统中最常用的校正方法是并联校正和反馈校正。()错误8. 软件开发常使用的两种基本方法是结构化和原型化方法，在实际应用中，它们之间的关系常表现为( )。 A互相排软件开发常使用的两种基本方法是结构化和原型化方法，在实际应用中，它们之间的关系常表现为()。A互相排斥B互相补充C独立使用D交替使用B原型化和结构化都是进行软件需求分析的重要方法。结构化方法可以说是原型化方法的一种重要补充，也可以说是一种特殊的原型化方法，结构化方法是面向数据流进行需求分析的方法，结构化方法可以说是对数据处理类型软件原型化时采用的具体需求分析方法。原型化方法指的是完成需求定义的策略。原型化的过程就是用户的要求被提取、表示、并快速地构建一个最终系统的工作模型，并发展此模型。而在发展此模型的过程中，由于要对系统不断进行细化，而且还要面对出现的变更，为了对原模型不断进行修正，具体针对数据流进行需求分析的结构化方法可以为这种修正提供有力的参考依据。但是这种结构化方法的使用又是在原型化的基础上进行的。9. 下列哪一种气体是属于易燃气体?( )A.二氧化碳B.乙炔C.氧气D.氮气参考答案：B10. 一棵共有n个结点的树，其中所有分支结点的度均为k2则该树中叶子结点的个数为( )。【华南理工大学一棵共有n个结点的树，其中所有分支结点的度均为k2则该树中叶子结点的个数为( )。【华南理工大学2005一、1(2分)】An(k-1)kBnkC(n+1)kD(nk-n+1)k正确答案：D11. 他励直流电动机拖动的负载，只要转矩不超过额定转矩Te，不论采用哪一种调速方法，电动机都可以长期运行而不致他励直流电动机拖动的负载，只要转矩不超过额定转矩Te，不论采用哪一种调速方法，电动机都可以长期运行而不致过热损坏。()错误12. 异步电动机变极调速时，应改变每相绕组中( )；同时为保证电动机转向不变，应改变( )。异步电动机变极调速时，应改变每相绕组中()；同时为保证电动机转向不变，应改变()。绕组接线$电源相序13. 试比较双极型三极管和场效应管的特点。试比较双极型三极管和场效应管的特点。(1)场效应管是电压控制器件，而双极型晶体管是电流控制器件。(2)场效应管的直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。而双极性三极管的输入电阻较小。(3)场效应管具有较好的温度稳定性、抗辐射性和低噪声性能。在双极型晶体管中，少数载流子数量受温度和辐射的影响较大，造成管子工作的不稳定。(4)场效应管的源极和漏极结构对称，使用时两极可以互换。在双极型晶体管中，由于发射区和集电区不但掺杂浓度相差悬殊，而且发射结的结面积也远小于集电结，若将发射极和集电极互换使用，其特性将相差甚远。(5)场效应管制造工艺简单，且占用芯片的面积小。例如，MOS管所占芯片面积仅为双极型晶体管的15%。因此，场效应管适合于大规模集成。(6)MOS管的栅极是绝缘的，由外界静电感应所产生的电荷不易泄放，且SiO2层很薄，较小的感应电压将造成较高的电场强度，致使绝缘层击穿而损坏管子。因此在存放MOS管时，应将各电极短接在一起。焊接时电烙铁应有良好的接地线，或断电焊接，并注意对交流电场的屏蔽。(7)场效应管的跨导较小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍效比双极型三极管低。14. 灵敏度是指输出增量与输入增量的比值，又称放大倍数。灵敏度是指输出增量与输入增量的比值，又称放大倍数。错误15. 用输入归结策略是否可证明下列子句集的不可满足性? S=PQ，QR，RW，RP，WQ，QR)用输入归结策略是否可证明下列子句集的不可满足性? S=PQ，QR，RW，RP，WQ，QR)正确答案：解：利用输入归结策略不能证明子句集rn S=PQQRRWRPWQQRrn的不可满足性。因为按照输入归结策略的要求每次参加归结推理的两个子句中必须至少有一个子句是初始子句集中的子句。另外要特别注意的是在进行归结时不能同时消去两个互补文字对因为消去两个互补文字对所得到的结果不是两个亲本子句的逻辑推论。例如在本题中子句QR和QR不能进行归结因为它们归结时将消去两个文字对。所以根据这些要求将不能从该子句集中归结出空子句也就是说不能证明该子句集的不可满足性。解：利用输入归结策略不能证明子句集S=PQ,QR,RW,RP,WQ,QR的不可满足性。因为按照输入归结策略的要求,每次参加归结推理的两个子句中,必须至少有一个子句是初始子句集中的子句。另外,要特别注意的是,在进行归结时,不能同时消去两个互补文字对,因为消去两个互补文字对所得到的结果,不是两个亲本子句的逻辑推论。例如,在本题中,子句QR和QR不能进行归结,因为它们归结时将消去两个文字对。所以,根据这些要求,将不能从该子句集中归结出空子句,也就是说,不能证明该子句集的不可满足性。16. 能使继电器返回的最大电流称为继电器的返回电流。( )A.正确B.错误参考答案：A17. 某三相四线制三相电路，电源是对称的，相电压为220V，中性线阻抗为零，ZA=ZB=48.4，ZC=242。某三相四线制三相电路，电源是对称的，相电压为220V，中性线阻抗为零，ZA=ZB=48.4，ZC=242。有中性线。电路如图(a)所示。因为中性线阻抗为零，所以=0。以为参考相量，即，则 所以 $无中性线。电路如图(b)所示。以A相电压为参考相量，即=，则 图(b)的节点电压方程为 代入数值得 整理得 则 所以 18. 直流电机、同步电机都有电枢反应，它们之间的根本区别是什么?直流电机、同步电机都有电枢反应，它们之间的根本区别是什么?直流电机中的电枢反应磁动势，始终作用在交轴，并且和磁极相对静止。同步机中的电枢反应一样和磁极相对静止，但它们之间的相对位置随电枢电流的性质不同而不同的，且由此导致了同步电机分析的复杂性。19. 自动重合闸后加速是指当线路发生故障时，继电保护装置_切除故障，然后重合闸进行一次重合，若自动重合闸后加速是指当线路发生故障时，继电保护装置_切除故障，然后重合闸进行一次重合，若重合于永久性故障，则保护_切除故障。正确答案：延时有选择地；瞬时。延时有选择地；瞬时。20. 已知某厂生产的线性绕线电位器参数为：导线的电阻率=3.1410-3m，导线横截面积S=3.1410-6m2，绕线节距t=1mm已知某厂生产的线性绕线电位器参数为：导线的电阻率=3.1410-3m，导线横截面积S=3.1410-6m2，绕线节距t=1mm，电位器骨架的高h=50mm，宽b=30mm，试求：(1)该电位器的电阻灵敏度SR；(2)若通过导线的电流为I=3A，求其电压灵敏度Su。由线性绕电位器传感器电阻灵敏度和电压灵敏度的定义知： ， 将已知数据代入得： Su=1.61043=4.8104(V/m) 21. 试用一片74161、一片8选1数据选择器和少量“非”门设计一个可控序列码发生器。要求： 当X0时，Z1011010 当X1试用一片74161、一片8选1数据选择器和少量“非”门设计一个可控序列码发生器。要求：当X0时，Z1011010当X1时，Z10011略。22. 在图4-62所示CMOS集成运放内部电路中，已知各管的|VGS(th)|均为1V，均为0.041V-1，nCox=20A/V2，pCox=10A/在图4-62所示CMOS集成运放内部电路中，已知各管的|VGS(th)|均为1V，均为0.041V-1，nCox=20A/V2，pCox=10A/V2，各管的宽长比分别为：T1，T2120/8；T3，T440/8；T5，T6，T9，T101