半導體廠務工作吳世全國家奈米元件實驗室一、前言近年來，半導體晶圓廠已進展到8晶圓的量產規模，同時，也著手規劃12晶圓的建廠與生產，準備迎接另一世代的產業規模。於是各廠不斷地擴增其產能與擴充其廠區規模，似乎稍一停頓即會從此競爭中敗下陣來。所以，推促著製程技術不斷地往前邁進，從0.25m設計規格的64Mb（百萬位元）DRAM（動態隨機記憶元件）記憶體密度的此際技術起，又加速地往0.18m規格的256M發展；甚至0.13m的1Gb（十億位元）集積度的DRAM元件設計也屢見不鮮。亦即整個半導體產業正陷入尖端技術更迭的追逐戰，在競爭中，除了更新製程設備外，最重要的是維持廠區正常運作的廠務工作之配合，而這兩方面的支出乃佔資本財的最大宗。特別是多次的工安事故及環保意識抬頭之後，廠務工作更是倍顯其重要及殷切。事實上，半導體廠的廠務工作為多援屬性的任務，也是後勤配合與收攤（廢棄物）處理的工作；平時很難察覺其重要性，但狀況一出，即會令整廠雞飛狗跳，人仰馬翻，以致關廠停機的地步。所以，藉此針對廠務工作的內容做一概略性的描述，說明其重要性並供作參考與了解。文章分為三部份：首先為廠務工作的種類，其次是廠務工作的未來方向，最後是本文的結語。二、廠務工作的種類目前在本實驗室所代表的半導體製程的廠務工作，約可分為下列數項：1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控。2.超純水之供應。3.中央化學品的供應。4.潔淨室之溫度，濕度的維持。5.廢水及廢氣的處理系統。6.電力，照明及冷卻水的配合。7.潔淨隔間，及相關系統的營繕支援工作。8.監控，輔佐事故應變的機動工作等數項。下述將就各項工作內容予以概略性說明：1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控1一座半導體廠所可能使用的氣體約為30種上下，其氣體的規格會隨製程要求而有不同；但通常可分為用量較大的一般氣體(Bulk Gas)，及用量較小的特殊氣體(Special Gsa)二大類。在一般氣體方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊氣體上，可略分為下述三大類：(1) 惰性氣體(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。(2) 燃燒性氣體(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。(3) 腐蝕性氣體(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。實際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣後，立刻會產生燃燒的現象。而這些僅是一般晶圓廠的氣源而已，若是實驗型的氣源種類，則將更為多樣性。其在供氣的流程上，N2可採行的方式，有1. 由遠方的N2產生器配管輸送，2使用液氣槽填充供應，3利用N2的近廠產生器等三種。目前園區都採1式為主，但新建廠房的N2用量增鉅，有傾向以近廠N2產生器來更替；而本實驗室則以液槽供應。O2氣體亦多採用液槽方式，不過H2氣體在國內則以氣態高壓鋼瓶為主。圖一乃氣體供應之圖示。純化器方面，N2及O2一般均採用觸煤吸附雙塔式，Ar則以Getter（吸附抓取）式為主，H2則可有Getter，Pd薄膜擴散式和觸媒加超低溫吸附式等三項選擇。至於危險特殊氣體的供應氣源，大都置於具抽風裝置的氣瓶櫃內，且用2瓶或3瓶裝方式以利用罄時切換；切換時，須以N2氣體來沖淨數十次以確定安全，櫃上亦有ESO (Emergence Shut Off Valve)閥，即緊急遮斷閥，做為洩漏時的遮斷之用。目前對氣體的不純物要求已達1ppb（即109分之1）的程度，如表一所示。為達此潔淨度，除要求氣源的純度外，尚需考量配管的設計和施工。而施工的原則有下述八點：1.Particle Free（無塵粒）2.External Leak Free（無外漏）3.Dead Space Free（無死角）4.Out Gas Free（無逸氣）5.Effective Area Minimum（最小有效面積）6.Error Operation Free（無操作誤失） 7.Corrosion Free（無腐蝕）8.Catalytic Behavior Free（無觸化現象）因此，管件的規格就必須愈來愈嚴謹，如表二所列。其BA為Bright Anneal Treatment，即輝光燒鈍退火處理，EP則為Electro-Polish，屬電極拋光之等級。另項的重要工作是在氣體監控系統，主要的目的是做為操作時的管理，及安全上的管理。可由表三說明之。而氣體的毒性規範乃以啟始下限值(TLV/Threshold Limit Value)為界定，表四乃部份毒性氣體的TLV值。關於毒氣偵測的感測器原理，一般有下列六種：1. 電化學式(Electro-chemical)2. 半導體式(Semiconductor)3. 化學試紙式(Chemical Paper Tape)4. 火焰放射光譜式(Flame-emission Spectrometry)5. 傅力葉紅外線光譜式(Fourier-Transform Inferred Spectrometry-FTIR)6.質譜儀式(Mass Spectrometry)而常使用的感測為前三種。完整的毒氣監控系統尚須具備：1.24小時連續偵測2.警報系統3. 自動廣播系統4. 分區的閃光燈警報系統5. 圖控系統顯示現場位置6.各點讀值歷史記錄趨勢圖而當偵測到毒氣洩漏時，立即警報於電腦螢幕，同時啟動自動廣播系統及分區的閃光燈警報系統，此時相關區域全體人員應立即撤出，現場人員立即通知緊急應變小組做適當的處理。2.超純水之供應2純水水質之要求隨積體電路之集積度增加而提高，其標準如表五所示。超純水之製程隨原水水質而有不同的方式，國內幾以重力過濾方式；主要是去除水中的不純物，如微粒子，有機物，無機鹽類，重金屬及生菌等等。去除的技術上，有分離、吸附及紫外燈照射等。表五詳列的是新舊超純水製程的比較情形。其中新製程的步驟有：(1)多功能離子交換樹脂和裝置所使用之強鹼性離子交換樹脂除了可以去除離子以外，還具有吸著、去除微粒子的功能；而微粒子吸著的機制乃樹脂表面的正電吸引微粒子的負電，吸著力的大小，決定於樹脂表面線狀高分子之尾端狀態。(2)臭氧紫外線(UV)照射型分解有機物設備以往的技術中，採用的是過氧化氫UV照射型之有機分解方式，以氧化和分解有機物。原理乃利用UV照射過氧化氫此氧化劑，使其產生氫氧基(OH)來氧化有機物。被氧化的有機物在形成有機酸後，變成了二氧化碳和水。新技術中乃以臭氧代替過氧化氫，如此可提高有機物的氧化分解效率，連以往甚難去除的超微小粒子膠體物質都可以去除。(3)一塔二段式真空脫氣塔此乃去除水中溶存之氧氣，以降低氧分子在晶片表面自然氧化膜的形成。目前去除水中溶氧的方法及所面臨的問題：1.真空脫氣法無法使溶氧降至50g/l以下。2.膜脫氣法和1.一樣，且須使用大型機器，故不具經濟性。3.氮氣脫氣法使用大量氮氣，所以運轉費用較高。4.觸媒法必須添加氫和聯氨，運轉費亦高。而此改良式設備乃就一塔一段式真空脫氣法改變為多段式的抽氣，並加裝冷凝器，俾以縮小塔徑和真空幫浦的尺寸。如此，建設費減少1/3，運轉費減少2/3，並使溶氧降至10mg/l以下，若再配備加熱循環，則更能降低至10g/l以下。(4)高速通水式非再生純水器就總有機體碳(TOC)含量在10g/l以下的超純水而言，有機物的溶出是一項不可忽略的問題；而一般的離子交換樹脂會溶出微量的有機物，所以在副系統的非再生型樹脂塔中用超低溶出型的離子交換樹脂後，再大幅提增其通水流速，如此便能大幅降低TOC值，且降低成本。若以微粒子的動向來描繪各相關組件的去除效率，可如圖二看出。其組件有凝集水過濾塔，混床塔，RO（逆滲透膜），CP（套筒式純水器，非再生型離子交換樹脂塔）。而從圖二得知，混床塔之後的微粒子是由其後端的組件中溶出。至於去除TOC的有效組件有：離子樹脂塔，紫外線氧化槽，活性碳塔和TOC-UV燈等，其效率如圖三所示。3.中央化學品的供應3目前的化學品供應已由早期的人工倒入方式改為自動供酸系統，其系統可分為四大單元：化學品來源(Chemical Source)。充填單元(Charge Unit)、稀釋混合單元(Dilution/Mixing Unit)，儲存槽(Buffer Tank)及供應單元(Supply unit)。(1)來源方式有桶裝(Drum)，糟車(Lorry)，及混合方式(Mixing Source)。(2)充填單元供應單元二者為供應系統的動力部份，而將化學品經管路輸送到指定點。方法有幫浦(Pump)抽取，真空吸取(Vacuum Suction)及高壓輸送(Pressure Delivery)等三種。且為降低化學品被污染的機率須配備佐助組件，如純水，氮氣噴槍清洗接頭；濾網風扇 (HEPA Fan)保持正壓避免外界灰塵粒子進入；排氣(Exhaust)排除溢漏化學品及本身的氣味於室外。(3)稀釋混合單方面，乃指一般化學品或研磨液加純水的稀釋，及研磨液與化學品，或此二者與純水的混合而言。(4)管路設計方面需注意事項有：1.非水平管路：即從源頭到使用點由高而低，當管路漏酸時便會流到未端的閥箱(Valve Box)，可輕易清除。2.不同高層的管路排列：上下排列之管材最好能同一屬性，如同為不銹鋼或鐵弗龍，或透明塑膠管(CPVC)。否則安排的順序為鐵弗龍在上，往下為CPVC，最後不銹鋼管。3.研磨液管路設計：因其與空氣接觸時易乾涸結晶而阻塞管路，故須注意管路尺寸及避免死角。4.接點測漏裝置，以便隨時偵測管路洩漏與否。5.避免過多的管路接點。4.潔淨室之濕度，溫度的維持4事實上，一座半導體晶圓廠之潔淨室的組成須含括多項子系統方能滿足表六所列的標準：(1)與潔淨室特別搭配的建築結構以利潔淨空氣的流暢，防震及足夠的支撐結構，和寬敞的搬運動線。(2)不斷地新鮮，乾淨空氣之補充彌補機台之排氣及保持室內正壓以杜絕外氣的污染。(3)保持潔淨室的清潔度配備空氣循環的驅動風扇，透氣的地板及天花板，且地板高架化以利回風及配管，天花板則安裝過濾網與銜吊架。(4) 恆溫恆濕之控制除配置外氣空調箱外(Make-up Air unit)，室內仍需有不滴水的二次空調盤管來做溫度微控，另加裝精確的自動感溫控制系統，即可達成此恆溫，恆濕之控制。(5)考量靜電、噪音及磁場等防護的工程電力系統裝配。(6)不發塵及不堆塵的室內設計，即以專用epoxy塗覆之。(7) 另含蓋了內部隔間，人員洗塵室(Air Shower)、物料傳遞窗(Pass Window)等設施。在這些子系統中，對恆溫，恆濕之控制最為重要的，及直接的是空調箱和二次空調盤；而空調箱之效率乃取決於設備容量與其數量，這項的決定又與製程機台排氣量息息相關，因此必須一併考慮，通常Make-up Air容量是下述各項容量的總和：1.生產機台排氣量。2.維持室內正壓的空間量，此約為整個潔淨空間換氣量的1至5倍之間。3.容量裕度。另外尚需考慮循環過濾的風量，包括換氣的次數，過濾網的效率等級與總循環的壓降等因素。至於二次盤(dry coil)的型式考量有：1.熱交換式或混合式兩種供選擇。2.費用上，以熱交換式較高，