一种具有过温和短路保护的低压LDO设计o引言随着电子技术的发展，尤其是目前便携式产品的迅速发展，电源IC发挥的作用越来越大， 同时电子市场对电源管理IC的需求也越来越高。电源电路的性能良好与否直接影响着整个 电子产品的精度、稳定性和可靠性。低压LDO需要有低压误差放大器和低压带隙，其中低 压带隙同样需要低压运放。在本文中采用特殊结构的低压运放，以免在增加电荷泵的同时， 也增加了功耗和电荷泵波动对输出电压的影响。但是采用低压运放也有缺点，这种结构的运 放一般较为复杂，需要进行多级级联，并且需要增加复杂的补偿电路来确保整个电路的稳定 性。本文所设计的电路从总体上可划分为电压基准源(BANDGAP),误差放大器(ERR-AMP), 过温保护电路(OTP),短路保护电路(SHD),使能控制和驱动模块(调整管、反馈网络、补偿 元件)等几个模块组成，其中输出电容是外置元件，用于频率补偿及改善瞬态特性。1电路的设计与分析1. 1带隙基准电路在数字和模拟电路中，对基准电压源的要求越来越严格，他们必须对温度以及供电电压 是不灵敏的，例如锁相环、存储系统以及模/数转换电路中的比较器等。目前，这些电路都 是通过CMOS技术来实现；相应的，带隙基准电路不仅要工作在低电压下，同时也要通过 典型的数字CMOS技术来实现。目前有两个主要的因数限制了低压基准源的实现，第一个是传统的带隙基准源的输出电 压大约为1. 25 V,因而其供给电压不可能低于这个值；第二个是基准电路中所使用的放大 器的供给电压的大小以及共模电压输入范围都不能提低。文献中的基准源采用了电流模型的 方式，然而这个电路虽然有可能解决供电电压限制的难题却需要额外增加一个启动信号，并 且它的器件必须是耗尽型的，这种工艺是无法用典型的BICMOS工艺来实现的；文献中分 别采用衬底驱动及调节阈值电压的方法来降低供给电压，以实现低压基准源，但这些电路很 容易受到噪声信号的影响，这些噪声是由于反馈信号通过衬底来传输而产生的。所以，本文 提出了一种低压基准电路来解决上述所提到的问题，此电路最低可工作于1 V。1. 1. 1低压带隙基准电路如图1所示，为了降低电源电压，该电路对传统带隙进行了 VP和VN两点到地的折叠。 负反馈回路包括运放和一对匹配电流源，保证VP= VN。因此，电流I1A和I2A与Q1的基 极-射极电压(VBE1)成正比，通过R3的电流与电压VBE成正比。那么，电流IMp2是通 过电阻R2和R3电流的总和，与VBE1+KAVBE成正比。通过设置电阻R1=R2,则HA=l2A。 Q2的发射极面积为Q1发射极面积的N倍假设所有的PMOS晶体管都工作在饱 和区，Mp1和Mp2两个晶体管完全相同，相同的宽长比使得这两路电流相等，Mp3晶体管 的宽长比是Mp1和Mp2宽长比的m倍。所有PMOS晶体管的栅极连在同一个节点(VC), 那么PMOS晶体管的漏电流可以表示为： IgB7 一 肌E 一旳4矗冲 咖圧瓦一T_ VflEl 丄 Vyln 71必_瓦 R由上面几个公式可以得到卩岭的表达式：Vbg = 底-賦譽+笼芒)乩该电压也是不随温度变化的。以上分析可知，上面电路得到的电压和电流都是与温度无关的。这有助于整体电路的稳定。图1低压霍謙塔札1. 1. 2带隙结构中的低压运放图2所示的是由NMOS差分对组成的一个二级运放，偏置电压VB由VBE1提供。为了 获得足够的相位裕度，NMOS阵列的运放增加了 RC补偿网络。在电路中，输入晶体管的 栅电压被偏置在带隙中双极性晶体管的电压差(o. 65 V)。电路中M4和M5的偏置电流大 于尾电流，以防止折叠电流镜中的电流降至0。当差分输入一端为o时，另一端达到最大。 差分级的电压增益可以表示为：人说仝卧6)式中山兰沧+沧卍1+卧沧儿输出级的电压增益为:Af M gMl L (畑加 s )(7)电路的总增益为，Ar = AA (厂rrt)(广妣於珀】1) (8)P型扩散层用于所有的电阻，在带隙结构中，设置M=1，则晶体管Mpi, Mp2i和Mp3i 中的电流相同，漏源电压也相等，与电源电压的大小无关。因此，需要一个温度系数比较低 的VBG可以由温度系数较低的电阻R4上的压降获得。團2 低压带晾中使用的凶何0澤詞的HA1. 1. 3启动电路针对上述的低压带隙结构提出了一种启动电路，如图3所示。低压带隙电路上电时，可 能进入两个状态，一是正常工作状态，另一个状态是VP和VN为低电平，误差放大器的输 入管关断，VC为高电平，Mpi, Mp2, Mp3关断，整体电路停止工作。Ma；MitGND1 tjjfja 3适用于低压帑憋的幵启电路启动电路的作用是要确保电路上电后正常工作，整个电路停止工作时，VP的电压低于 NMOS的阈值电压，启动电路开始工作，VP是低电平，这会使M23关断，从而使M17 M22开启，将VP电压的拉升上去，使带隙进入工作状态。此时VP为高电平，M23开启， M17M22关断，此时，启动电路对正常工作的带隙基准电路不产生影响。1. 2误差放大器的设计反馈电压和带隙的基准电压作为误差放大器的输入。误差放大器第一级是折叠式共源共 栅结构，目的是获得较高的增益，而且输入共模电平可以设置的很低。第二级电路采用了源 跟随器，目的是调节输出共模电平。198和MC作为密勒补偿，1119和1120用于消除共轭 极点，用于保证良好的稳定性。如图4所示。1. 3过温保护电路和短路保护电路1 3. 1过温保护电路过温保护电路如图5所示。VP信号的电压值是二极管的导通电压，具有1. 8 mV/C左 右的负温度系数，因此，随着温度上升它会不断降低。而VN信号几乎不随温度变化。比较器的作用是比较两个模拟输入信号而产生一个二进制的输出。当正负输入差值为正 时，输出为高电平；当正负输入差值为负时，输出为低电平。比较器的两个重要参数是精度 和速度。精度决定了实现输出状态改变所需要的最小输入变化量，它主要由比较器的开环增 益决定；速度反应的是输入激励到输出响应之间的时延。比较器的具体电路如图6所示。1. 3- 2 LDO的稳定性和补偿LDO是一个负反馈的系统，往往存在稳定性的问题。在LDO应用过程中，为了得到稳 定可靠的输出，LDO的环路必须要被仔细的设计，避免输出产生振荡。在环路中加入几个 被精心设计的极点以及零点，使LDO在环路在不同的使用条件下都能满足足够的相位裕度。图7(a)中节点1, 2, 3处都存在一个极点。如果误差放大器由多极构成，其内部也存在 极点，但一般可以通过放大器内部的miller补偿解决。为了提供足够的电流，导通部件的 面积一般较大，相应地，节点1处的寄生电容也较大，所以节点1处的极点wp1在低频。 节点3处的寄生电容较小，节点3处的极点wp3在高频，可以不考虑。nMlPMOS何 50的ESR补恺电蹄问E瓯补趙吃箝前舟弭变谎小借专團曽屯臻闻迪S 7 ESR补桂电路及算幵坯交汛小馆号场本文采用的是ESR补偿，通过外接的电容Cout和电容上等效串联电阻RESR产生的零 点进行补偿，如图7(b)所示。只要将零点放置在合适的位置，系统即可稳定，如图8所示。A1ififJ *.lw”*UGFfHz團8 采用ESR#卜偿的1JX)的零弑嵐位厦示盘图% ara普坏pf1. 3- 3短路保护电路短路保护电路的作用是当LDO发生意外短路时，能够及时提高导通管的栅压，限制输出 电流急剧变化，防止造成器件过热而损坏，使LDO能够在各种环境下都能安全可靠地工作。 也正因为如此，本文设计了短路保护电路，如图9所示。M2, M4的栅压由误差放大器的偏置电压提高。所有管子都工作在饱和区。当LDO正常 工作时，输出电压Vout的采样信号VN的电压值大于VP信号的电压值，比较器输出低电 平信号控制M8管关断，此时，电阻R上有较大的压降,VSP信号的电压比较低，约为o. 2V， 当电路出现输出端短路或过度超载情况时，输出电压会突然降低导致VN小于VP,此时， 比较器输出由低电平转向高电平,M8导通。由于电阻被大管子M8短路,VSP将升高至1. 4 V左右。2 LDO的整体设计与仿真2. 1 LDO整体架构的电路设计该电路从总体上可划分为电压基准源(BANDGAP),误差放大器(ERR-AMP),过温保护 电路(OTP),短路保护电路(SHD),使能控制和驱动模块(调整管、反馈网络，补偿元件)等 几个模块组成，其中输出电容是外置元件，用于频率补偿及改善瞬态特性。其整体框图如图 10所示。其中使能信号EN通过反相器得到两个反相的信号以控制不同的电路。2. 2 LDO整体架构的版图设计本文所设计的LDO电路基于UMC MIXED MODE CMOS 0. 18pm工艺，所用到的器 件主要有：NMOS，PMOS，P+POLY 电阻，Metali-Metal2 电容以及 PNP 管。其中 PNP 管是 CMOS 工艺中寄生的纵向PNP，LDO整体电路的版图可分为带隙基准、运放、比较器等几个主要 模块，其中大电阻位于两侧，MOS电容位于右下方。整体版图如图11所示。11鳖停戏路的阪囹2. 3 LDO整体架构的仿真根据各个模块的设计指标和整体的功能要求，利用HSPICE CMOS 0. 18pm工艺库对整 体电路的各种主要性能进行了详细的仿真，为了获得较好的整体性能，各个设计指标之间进 行了优化和折中，下面依次给出各种性能相关的仿真结果。(i)LDO频率响应仿真。本文采用的补偿方法是通过输出电容产生的ESR电阻产生的零 点来实现频率补偿的。从图12的仿真结果中可以看出，电路的低频增益为88 dB，电路相 位裕度为65，具有良好的稳定性。k 10k100k lx-LOCm-300m5Q 100 T5Q 2W12 刃 3W 350t/Vi300m400m300m5G t0015& 30& 25fl 300 3501 “.L-! LF jrr fL1fLr T3JdJlr u rn fanit1 Juli J：-iJ!1I i JI I -erKJt1J!IIr1J -II1riai ,r :1 ij i1*ii.-|J!JL.Ji.1nr;i.ii !-1J4|1!1411.土 J-IUM88Hr=ru. mi uaii &一100m（2）负载瞬态响应仿真。图13所示仿真结果表明，负载电流在0300 mA变化时，其输 出电压的变化范围小于20 mV,具有良好的负载瞬态特性，完全符合设计指标的要求。5fl(b时冋的受化洲畑汨仁佛列冋旳哎佻比 H R1JSL BiM.cdrwt（3）线性瞬态响应仿真。