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.1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为,则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为()和()。2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带(负)电荷,N区一侧带(正)电荷。内建电场的方向是从(N)区指向(P)区。发生漂移运动,空穴向P区,电子向N区3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为()。由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越(大)。4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(小),内建电场的最大值就越(大),内建电势Vbi就越(大),反向饱和电流I0就越(小)P20,势垒电容CT就越( 大 ),雪崩击穿电压就越(小)。5、硅突变结内建电势Vbi可表为()P9,在室温下的典型值为(0.8)伏特。6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(减小),势垒区的势垒高度会(降低)。7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(增大),势垒区的势垒高度会(提高)。8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为()P18。若P型区的掺杂浓度,外加电压V = 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为()。9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度(大);当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度(小)。10、PN结的正向电流由(空穴扩散)电流、(电子扩散)电流和(势垒区复合)电流三部分所组成。11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是(多子);PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是(少子)。12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边(复合)。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的(e分之一)。13、PN结扩散电流的表达式为()。这个表达式在正向电压下可简化为(),在反向电压下可简化为()。14、在PN结的正向电流中,当电压较低时,以(势垒区复合)电流为主;当电压较高时,以(扩散)电流为主。15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于(该区的少子扩散长度)。在薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为(线性分布)。16、小注入条件是指注入某区边界附近的(非平衡少子)浓度远小于该区的(平衡多子)浓度,因此该区总的多子浓度中的(非平衡)多子浓度可以忽略。17、大注入条件是指注入某区边界附近的(非平衡少子)浓度远大于该区的(平衡多子)浓度,因此该区总的多子浓度中的(平衡)多子浓度可以忽略。18、势垒电容反映的是PN结的(微分)电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越( 大 );外加反向电压越高,则势垒电容就越( 小 )。P4419、扩散电容反映的是PN结的(非平衡载流子)电荷随外加电压的变化率。正向电流越大,则扩散电容就越(大);少子寿命越长,则扩散电容就越(大)。P5120、在PN结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在(N)区中的(非平衡载流子)电荷。这个电荷的消失途径有两条,即(反向电流的抽取)和(少子自身的复合)。21、从器件本身的角度,提高开关管的开关速度的主要措施是(降低少子寿命)和(加快反向复合)。(减薄轻掺杂区的厚度)22、PN结的击穿有三种机理,它们分别是(雪崩击穿)、(齐纳击穿)和(热击穿)。23、PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压就越(小);结深越浅,雪崩击穿电压就越(小)。24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是()和()。P4125、晶体管的基区输运系数是指(基区中到达集电结的少子)电流与(从发射结刚注入基区的少子)电流之比。P67由于少子在渡越基区的过程中会发生(复合),从而使基区输运系数(小于1)。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度(远小于)基区少子扩散长度。26、晶体管中的少子在渡越(基区)的过程中会发生(复合),从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子(小)。27、晶体管的注入效率是指(从发射区注入基区的少子)电流与(总的发射极)电流之比。P69为了提高注入效率,应当使(发射)区掺杂浓度远大于(基)区掺杂浓度。28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数是指发射结(正)偏、集电结(零)偏时的(集电极)电流与(发射极)电流之比。29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指(发射)结正偏、(集电)结零偏时的(集电极)电流与(基极)电流之比。30、在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当(减小)基区宽度,(降低)基区掺杂浓度。31、某长方形薄层材料的方块电阻为100,长度和宽度分别为和,则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为()和()。若要获得1K的电阻,则该材料的长度应改变为()。32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(内建电场),它对少子在基区中的运动起到(加速)的作用,使少子的基区渡越时间(减小)。33、小电流时会(减小)。这是由于小电流时,发射极电流中(势垒区复合电流)的比例增大,使注入效率下降。34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(注入效率),反而会使其(下降)。造成发射区重掺杂效应的原因是(发射区禁带变窄)和(俄歇复合增强)。P7635、在异质结双极晶体管中,发射区的禁带宽度(大)于基区的禁带宽度,从而使异质结双极晶体管的(注入效率)大于同质结双极晶体管的。P7936、当晶体管处于放大区时,理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而(不变)。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而(增加),这称为(基区宽度调变)效应。P8337、当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(变宽),使基区宽度(变窄),从而使集电极电流(增大),这就是基区宽度调变效应(即厄尔利效应)。P8338、IES是指(集电结)短路、(发射)结反偏时的(发射)极电流。39、ICS是指(发射结)短路、(集电结)反偏时的(集电)极电流。41、ICBO是指(发射)极开路、(集电)结反偏时的(集电)极电流。41、ICEO是指(基)极开路、(集电)结反偏时的(集电)极电流。42、IEBO是指(集电极)极开路、(发射)结反偏时的(发射)极电流。43、BVCBO是指(发射)极开路、(集电)结反偏,当()时的VCB。44、BVCEO是指(基)极开路、(集电)结反偏,当()时的VCE。45、BVEBO是指(集电)极开路、(发射)结反偏,当()时的VEB。46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将(基区)全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是(增加)基区宽度、(提高)基区掺杂浓度。P9047、比较各击穿电压的大小时可知,BVCBO(大于)BVCEO,BVCBO(远大于)BVEBO。48、要降低基极电阻,应当(提高)基区掺杂浓度,(提高)基区宽度。49、无源基区重掺杂的目的是(为了降低体电阻)。50、发射极增量电阻re的表达式是()。室温下当发射极电流为1mA时,re =()。51、随着信号频率的提高,晶体管的、的幅度会(下降),相角会(滞后)。52、在高频下,基区渡越时间对晶体管有三个作用,它们是:(复合损失使小于 10* 小于 1)、(时间延迟使相位滞后)和(渡越时间的分散使|*|减小)。53、基区渡越时间是指(从发射结渡越到集电结所需要的平均时间)。当基区宽度加倍时,基区渡越时间增大到原来的(2)倍。54、晶体管的共基极电流放大系数随频率的(增加)而下降。当晶体管的下降到()时的频率,称为的截止频率,记为()。55、晶体管的共发射极电流放大系数随频率的(增加)而下降。当晶体管的下降到时的频率,称为的(截止频率),记为()。56、当时,频率每加倍,晶体管的降到原来的(一半);最大功率增益降到原来的(四分之一)。57、当(电流放大系数)降到1时的频率称为特征频率。当(晶体管最大功率)降到1时的频率称为最高振荡频率。58、当降到(1)时的频率称为特征频率。当降到(1)时的频率称为最高振荡频率。59、晶体管的高频优值M是(功率增益)与(带宽)的乘积。60、晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比,增加了三个元件,它们是(集电结势垒电容)、(发射结势垒电容)和(发射结扩散电容)。61、对于频率不是特别高的一般高频管,中以()为主,这时提高特征频率的主要措施是(减小基区宽度)。62、为了提高晶体管的最高振荡频率,应当使特征频率(增大),基极电阻(降低),集电结势垒电容(降低)。63、对高频晶体管结构上的基本要求是:(尺寸小)、(结深浅)、(线条细)和(非工作基区重掺杂)。64、N沟道MOSFET的衬底是(P)型半导体,源区和漏区是(N)型半导体,沟道中的载流子是(电子)。65、P沟道MOSFET的衬底是(N)型半导体,源区和漏区是(P)型半导体,沟道中的载流子是(空穴)。66、当时,栅下的硅表面发生(强反型),形成连通(源)区和(漏)区的导电沟道,在的作用下产生漏极电流。67、N沟道MOSFET中,越大,则沟道中的电子就越(多),沟道电阻就越(小),漏极电流就越(大)。68、在N沟道MOSFET中,的称为增强型,当时MOSFET处于(截止)状态;的称为耗尽型,当时MOSFET处于(导通)状态。69、由于栅氧化层中通常带(正)电荷,所以(P)型区比(N)型区更容易发生反型。70、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ,应使衬底掺杂浓度NA(增大),使栅氧化层厚度Tox(减薄)。71、N沟道MOSFET饱和漏源电压的表达式是()。当时,MOSFET进入( 饱和)区,漏极电流随的增加而(不变)。72、由于电子的迁移率比空穴的迁移率(大),所以在其它条件相同时,(N)沟道MOSFET的比(P)沟道MOSFET的大。为了使两种MOSFET的相同,应当使N沟道MOSFET的沟道宽度(小于)P沟道MOSFET的。73、当N沟道MOSFET的时,MOSFET(不)导电,这称为(增强型)导电。74、对于MOSFET,当沟道长度加倍,而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时,其下列参数发生什么变化:(减小)、(减小)、(增大)、(减小)。75、由于源、漏区的掺杂浓度(大)于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向(衬底)区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题(严重)。76、MOSFET的跨导gm的定义是(转移特性曲线的斜率),反映了(栅源电压)对(漏极电流)的控制能力。77、为提高跨导gm的截止角频率,应当(增大),( 减小)L ,(增大)VGS。78、阈电压的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,变(减小)。79、在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(沟道夹断),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于(载流子漂移速度的饱和)。80、为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(增大),栅氧化层厚度应(减小),源、漏区结深应(增大),衬底掺杂浓度应( 增大)。二、问答题1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区2、什么叫耗尽近似.什么叫中性近似.空间电荷区的自由载流子已完全扩散掉,即完全耗尽,电离杂质构成空间电荷区内电荷的唯一来源;耗尽区以外区域中的多子浓度仍等于电离杂质浓度,因此这部分区域保持了完全的电中性。3、什么叫突变结.什么叫单边突变结.什么叫线性缓变结.分别画出上述各种PN结的杂质浓度分布图、内建电场分布图和外
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