考试试卷（1 ）卷1、 按驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压型和 电流型两类。2、电子技术包括 信息电子技术 和电力电子技术两大分支，通常所说的模电和数电就属于前者。2、 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关 状态。当器件的工作频率较高时，开关 损耗会成为主要的损耗。3、 在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为载波比，当它为常数时的调制方式称为同步 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为分段同步调制。4、 面积等效原理指的是，冲量 相等而 形状 不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。5、 在GTR GTO IGBT与MOSFE中，开关速度最快的是 MOSFET，单管输出功率最大的是 GTO，应用最为 广泛的是IGBT。6、设三相电源的相电压为 U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即虫艮，其承受的最大正向电压为7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 有源逆变，如果接到负载，则称为 无源逆变。（用 V1,VD1,V2,VD2 表示）。8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路（1）0t1时间段内，电流的通路为 VD1 ； （2） t1t2时间段内，电流的通路为 V1 t2t3时间段内，电流的通路为 VD2 ； （4） t3t4时间段内，电流的通路为 V2； t4t5时间段内，电流的通路为 VD1 ；#考试试卷（1 ）卷#考试试卷（1 ）卷二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14 分）1、 单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、 对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（D）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为D、 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1t2时间段 内,有（C）晶闸管导通。180度A、1个B、2个C、3个D、4个4、 对于单相交交变频电路如下图，在t1t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（C）A、P组阻断，N组整流B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断，P组逆变5、 电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）A、30。150B、0120 C、15。125 D、0150 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（AA、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种（C）变换电路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（B）A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、 已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A）A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、 IGBT是一个复合型的器件，它是（B）A、GTR驱动的 MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C MOSFE驱动的晶闸管 D、MOSFE驱动的GTO三、简答题（共3小题，22分）1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能 使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎 住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值一维持电流IH以下。其方 法有二：（1 ）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。（2分）3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）（1） 外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud;（2分）（2） 内部条件：变流电路必须工作于3 10R=10此为大电感负载，负载端电流波形平直。Ud=2.34U2COS a =117VUdId=-=117AR；d =175.5A。3分）（3 分）（3 分）（3 分）（3 分）波形绘制#考试试卷（3 ）卷1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ;可关断晶闸管 GTO ;功率场效应晶体管 MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和 GTR 的复合管。2、 晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、 多个晶闸管相并联时必须考虑均流 的问题，解决的方法是 串专用均流电抗器。4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦 波，输出电流波形为 方 波。5、 三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为180导电型6、 当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会 下降；7、 常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、 控制快速移相使输出电压下降。二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（180a为（C）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形0度B、60度晶闸管触发电路中，若改变（同步电压B、控制电压A）度。A、2、A、3、A、B、60C、360 D、120 4、可实现有源逆变的电路为（A、三相半波可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路5、在一般可逆电路中，最小逆变角A、30o-35oB、10o-15o，处于连续和断续的临界状