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静态存储器基本存储元(1)六管静态存储元A、 电路图:由两个反相器交叉耦合而成的双稳态触发器。B、存储元的工作原理:假设:0 管导通,1 管截止:存0;0 管截至,1 管导通:存1;说明:MOS管有三极,如果栅极为高电平,则源极和漏极导通。如果栅极为低电平,则源极和漏极截至。写操作。在字线上加一个正电压的字脉冲,使2 、3 管导通。若要写“”,无论该位存储元电路原存何种状态,只需使写“”的位线0 电压降为地电位(加负电压的位脉冲),经导通的2 管,迫使节点的电位等于地电位,就能使1 管截止而0 管导通。写入,只需使写的位线1 降为地电位,经导通的3 管传给节点,迫使0 管截止而1 管导通。写入过程是字线上的字脉冲和位线上的位脉冲相重合的操作过程。读操作。只需字线上加高电位的字脉冲,使2 、3 管导通,把节点、分别连到位线。若该位存储电路原存“”,节点是低电位,经一外加负载而接在位线0 上的外加电源,就会产生一个流入0 线的小电流(流向节点经 导通管入地)。“”位线上0 就从平时的高电位下降一个很小的电压,经差动放大器检测出“”信号。若该位原存“”,就会在“”位线1 中流入电流,在1 位线上产生电压降,经差动放大器检测出读“”信号。BAT2T5T4T0T1T3BS0VBS1读/写”0”读/写”1”位/读出线位/读出线字线6管MOS存储电路读出过程中,位线变成了读出线。读取信息不影响触发器原来状态,故读出是非破坏性的读出。若字线不加正脉冲,说明此存储元没有选中,2 ,3 管截止,、结点与位读出线隔离,存储元存储并保存原存信息。(2)管静态存储元A、 目的:地址的双重译码选择,字线分为选择线与选择线B、 实现:需要在管存储元的、节点与位线上再加一对地址选择控制管7 、8 ,形成了管存储元。T5T7T3T2T0T1T8T6BS0VBS1读/写”0”读/写”1”位/读出线位/读出线Y选择线X选择线8管MOS存储电路(3)6管双向选择存储元管存储元改进:在纵向一列上的管存储元共用一对选择控制管6 、7 ,这样存储体管子增加不多,但仍是双向地址译码选择,因为对选择线选中的一列只是一对控制管接通,只有选择线也被选中,该位才被重合选中。读/写”0”BAT2T5T4T0T1I/OI/OT7T6T3BS0VBS1读/写”1”位/读出线位/读出线Y选择线X选择线6管双向选择MOS存储电路结构与地址译码字结构或单译码方式地址写选通b7读出写入读选通A3A2A1A0字线W15W1W0BS1BS0字结构或单译码方式的RAM16选 1地址译码器FFFFFFFFFFFFFFFFFF读写电路读写电路读写电路:b1读出写入b0读出写入(1) 结构:(A)存储容量=行b列;(B)阵列的每一行对应一个字,有一根公用的字选择线;(C)每一列对应字线中的一位,有两根公用的位线0 与1 。(D)存储器的地址不分组,只用一组地址译码器。(2)示意图:的字结构单译码方式的存储器。(3)字结构是2度存储器:只需使用具有两个功能端的基本存储电路:字线和位线(4)优点:结构简单,速度快:适用于小容量M 缺点:外围电路多、成本昂贵,结构不合理结构。位结构或双译码方式(1) 结构:(A)容量:(字)b(位)的,把每个字的同一位组织在一个存储片上,每片是;再把b 片并列连接,组成一个b的存储体,就构成一个位结构的存储器。(B)在每一个存储片中,字数被当作基本存储电路的个数。若把n 个基本存储电路排列成x行与y列的存储阵列,把送来的n位选择地址按行和列两个方向划分成nx 和ny 两组,经行和列方向译码器,分别选择驱动行线与列线。Y1Y64X64X1A5A4A3A2A1A0位结构、双译码方式的RAMX地址译码64, 164, 64 1, 64 1, 1 I/O Y地址译码A6A7A8A9A10A11(C)采用双译码结构,可以减少选择线的数目。(2) 示意图:(3) 三度存储器:三个功能端(4) 优:驱动电路节省,结构合理,适用于大容量存储器。字段结构(1) 结构:(A)存储容量(字)b(位),b:分段p (=)*b(B)字线分为两维结构:Sb对位/读出线An-1An1An1-1A1A0字段结构RAM段译码器,从2 n 2 = S段中取1(共 n 2 位行译码器共n1 位 列 I / O 电路 存储阵列 WpSbb位 b位 段1 段2 段Sb 根数据线读 / 写控制线(C)位线有b对(D)双地址译码器(2)示意图:(3)三度结构(4)优:对字结构存储器的改进与提高,结构合理,适用于大容量存储器。
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