深 圳 大 学 本 科 毕 业 论 文（设计） 题目: 低功耗CMOS电压参考电路的设计研究 姓名: 高晓杰 专业: 集成电路设计与集成系统 学院: 信息工程学院 学号: 2011130344 指导教师: 姜梅 职称： 讲师 2015年 4 月19 日深圳大学本科毕业论文（设计）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业论文（设计），题目 低功耗CMOS电压参考电路的设计研究 是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式注明。除此之外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。本人完全意识到本声明的法律结果。 毕业论文（设计）作者签名： 日期： 年 月 日 目录摘要.11. 前言.11.1 选题背景.11.2 基准源发展史.11.3 国内外发展现状及趋势.3 1.3.1 低温漂系数基准源.3 1.3.2 低电压基准源.3 1.3.3 高电源抑制比基准源.3 1.3.4 低功耗基准源.4 1.4 本文主要工作和论文结构.42. 基准源的理论分析.62.1 基准源的分类.6 2.1.1 掩埋型齐纳二极管基准源.6 2.1.2 XFET基准源.6 2.1.3带隙基准源.72.2 经典带隙基准源的结构和原理.7 2.2.1 负温度系数电压的实现.8 2.2.2 正温度系数电压的实现.9 2.2.3 带隙基准电压源基本结构.102.3 基准源的几个重要参数.11 2.3.1 温漂系数.12 2.3.2 电源抑制比.12 2.3.3 噪声.12 2.3.4 功耗.12 2.3.5 灵敏度.13 2.3.6 精度.13 2.3.7 启动时间.13 2.3.8负载调整率.13 2.3.9 长期稳定性.133. 工作在亚阈值区的传统MOSFET模型.14 3.1 MOSFET的物理结构.143.2 MOSFET的阈值电压.153.3 亚阈值区MOSFET的IV特性.163.4 亚阈值区MOSFET栅源电压的温度特性.163.5 传统亚阈值MOSFET基准源电路模型.174. 工作在亚阈值区的新型基准电压源.184.1 电路基本介绍.184.2 电路设计原理.184.3 电路具体设计.20 4.3.1 电路原理图.20 4.3.2 器件参数的确定.