驱动器芯片 TPS28225一 芯片特点及用途 1.特点： 23可以驱动2个N沟道MOSFET有14ns的自适应停滞控制 23MOSFET栅极控制电压范围：4.58.8V 最佳为78V 23输入脉宽调制信号幅度：2.013.2V 23每相电流可以=40A 23高频时有14ns的传播延迟和10ns上升下降时间允许Fsw-2MHz 23能够传播 30ns PWM脉冲输入 23低侧可以吸入电阻（0.4）上产生的电流防止MOSFET击穿 23提供三态脉宽调制（PWM） 23有热关断功能及UVLO保护 23含有内部自举二极管 23高性能替代了流行的三态脉宽调制 2.用途 23效率要求极高的DC/DC转换器 23电源稳压器模块 23笔记本调节器 23同步整流器的隔离式电源 二、主要参数 TPS28225VALUEUNIT输入供电电压范围, VDD(3)0.3 to 8.8VBoot电压范围, VBOOT0.3 to 33Phase 电压, VPHASEDC 2 to 32 or VBOOT + 0.3 VDD Pulse 400 ns, E = 20 mJ 7 to 33.1 or VBOOT + 0.3 VDD 输入电压范围, VPWM, VEN/PG0.3 to 13.2输出电压范围, VUGATEVPHASE 0.3 to VBOOT + 0.3, (VBOOT VPHASE 8.8)Pulse 100 ns, E = 2 mJVPHASE 2 to VBOOT + 0.3, (VBOOT VPHASE 8.8)输出电压范围, VLGATE0.3 to VDD + 0.3Pulse 100 ns, E = 2 mJ2 to VDD + 0.3ESD rating, HBM2 kESD rating, HBM ESD rating, CDM500工作虚拟结温度范围, TJ40 to 150C工作环境温度范围, TA40 to 125储存温度, Tstg65 to 150焊接温度 (soldering, 10 sec.)300 三、主要引脚功能 TERMINALI/ODESCRIPTIONSOIC-8DRB-8NAME11UGATEO上端栅极驱动. 连接到上端的N沟道MOSFET的栅极.22BOOTI/O动态的自举引脚。在PHASE与该引脚之间连接了一个自举电容，这个电容为上端的MOSFET充电 33PWMIPWM信号的控制输入端。PWM信号可以输入三种不同的状态 44GND略Exposed die padThermal pad直接连接到更好的热性能和EMI的接地55LGATEO下端栅极驱动. 连接到下端的N沟道MOSFET的栅极.66VDDI至少5V电压供电，与一个旁路电容接到GND77EN/PGI/O使能端/信号端 输入输出有1M的阻抗.，使能控制IC。 该引脚为低电平时驱动电流小于 350mA .如果VDD 低于UVLO门槛或温度过大时这个引脚内部会自动拉为低电平88PHASEI这个引脚连接了上端MOSFET的源极和下端MOSFET的漏极还为上端MOSFET的栅极提供了返回路径 真值表PINVDD RISING 160CVDD FALLING 3 V AND TJ 150CEN/PG RISING 1.0 VPWM 1.5 V AND TRISE/TFALL 40 kW FOR 250ns (3-State)(1)LGATE00100UGATE00010EN/PG0四、典型电路 1.单相POL调节器 2.互补驱动MOSFET同步整流驱动器 3.多相同步降压转换器五、注意事项