单晶制绒 （各向异性腐蚀 ） 硅的各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具用不同的腐蚀速率.各向异性腐蚀剂一般分为两类 :一类是有机腐蚀剂 ,包括 EPW和联胺等 ,另一类无机腐蚀剂 ,包括无 机碱性腐蚀剂 ,如 KOH NaOH LiOH 等,我们单晶制绒腐蚀剂用的是无机碱性腐 蚀剂.在腐蚀液浓度一致的前提下 , 改变腐蚀液的温度 , 各晶面的腐蚀速率随温度的 变化示于图 5单晶制绒溶液通常用低浓度（ 0.5. 1.5wt%）的氢氧化钠混合（ 5-10vol% ） 的异丙醇（或乙醇）配制成，在 75-80温度范围内对（ 100）晶向的硅片表面 进行各向异性腐蚀，便可以得到由（ 111）面包围形成的角锥体分布在表面上构 成的绒面。我们将 晶向上腐蚀速率与 晶向上腐蚀速率比值定义为各向异性 因子 AF.当 AF=1 时,腐蚀硅片可以得到平坦的表面 .当制绒液在 方向上具有 相对高的腐蚀速率 （0.6um/min）和 AF=10 的各向异性系数时在硅片表面上得到最 高的角锥体密度 ,能够腐蚀出高质量绒面 .腐蚀碱溶液的浓度 ,温度对 AF 有显著影 响.一般来说 ,低浓度的碱溶液和较低的温度具有较高的 AF 值;反之,高浓度的碱溶 液和较高溶液温度则对应低的 AF 数值 .因此 ,前者用于制绒工艺 ,后者用于抛光工 艺,在实验和生产实践中发现 ,制绒溶液配制好后 ,初次使用时 AF 不高,并且锥体的 覆盖率也不高 .使用若干次以后 ,AF 值和绒面覆盖率逐渐提高并趋进最大值 .再继 续使用若干次后 ,AF 值和绒面覆盖率逐渐降低 ,直到溶液失效不能使用 ,这时候就 要重新配制溶液了 .硅在碱溶液中的腐蚀现象，可以用电化学腐蚀的微电池理论进行解释 .阳极处-2Si+6OH SiO3-2+3H2O +4e阴极处2H + +2e H2总的反应式Si +2NaOH +H 2O Na 2SiO3 + 2H 2 NaOH 的作用Si在 NaOH腐蚀液中反应过程，首先由水分子分解出氢氧根离子 , 氢氧根离子与 表面原子未配对的电子结合形成 Si O键, 然后打断表面原子与其它硅原子连接的共价键,最后生成Si(OH )4. 我们以(100) 面的原子为例 , 其反应过程可表示 为:在第二步反应中 , 由于硅表面存在成键的 OH 基团, 使硅表面原子的背键强度降 低,Si(OH )2 团中的 Si Si 背键被打开 , 形成了带正电荷的氢氧化硅复合物 :氢氧化硅复合物进一步与两个 OH- 反应产生原硅酸 :从以上反应过程可以看出 , 在硅表面的原子被“移去”的过程中 . 除去硅原子未受腐蚀的起始态和被腐蚀反应为原硅酸的最终态之外 , 还有若干 个中间状态 , 从微观角度来说 , 各中间状态反映出腐蚀的微观过程 , 可用来说 明腐蚀的机制 . 我们认为 , 处在不同晶面的硅原子的腐蚀速率之所以不同 , 一 方面是与被反应原子所处的初始状态有关 , 另一方面也与反应过程中存在的各 个中间状态有关 .硅(100) 晶面原子在 NaOH腐 蚀过程中出现的状态示意图 ( 图1)首先, 我们根据反应的过程看图 1 中八种微观状态之间的转换 .相应于图1 中八 种不同的状态 , 就反应中各个状态之间可能的转换示于图 2 中. 其中 , 有的状 态在反应条件不确定的情况下 , 受各种因素的影响 , 有可能有多种形式状态的 转化.硅(100) 晶面原子在腐蚀过程中各微观状态之间转化关系 ( 图2)IPA的作用IPA 1） 增加硅片表面的可湿润性2） 碱溶液对硅片的腐蚀速率随着 IPA 浓度的增加而降低3）适当浓度发 IPA 在溶液中起到消泡的作用我可以从碱腐蚀硅的化学原理可知 , 伴随腐蚀的进行 ,硅表面有气泡产生 ,气 泡的尺寸与溶液的粘度 , 溶液的表面张力有关 , 气泡的大小和在硅片表面的附着 时间, 的表面反应的进行乃至腐蚀形成的表面形貌有直接音响 .谈到气泡的大小我们就必须谈到接触角 （润湿角 ） 接触角定义为液固气界面相交点 , 液气界面的切线与液固界面切线的夹 角.Cos ? =（ g-s l-s ）/ g-l图. 液体与固体表面的接触角 定温定压平衡时液体在固体表面的接触角决定于固气相、 固液相和液气相 三个界面张力的大小关系。 90时， 液体润湿固体表面不好， =180时， 完全不润湿。 纯净的硅表面是不能与水润 湿的（疏水的）。实验中观察到，对于氢氧化钠水溶液，它和硅表面的润湿角 90并与溶液浓度有关。溶液中加入异丙醇（或乙醇）可以改善润湿程度， 在这里，起到表面活性剂的作用。液体在固体表面上铺展的趋势大小决定于三个相的界面张力值。 铺展系数定义 为：l/s=g-s g-l l-s定温定压下，液体在固体表面铺展(润湿)并达到平衡时，铺展系数越大，润湿 程度越高。腐蚀过程中气泡在硅片表面的演变方式决定了绒面角锥体的形成， 变化和最终形 貌。在润湿良好的表面上，一种腐蚀形成绒面的气泡模型如图所示。图 3. 液体表面张力对腐蚀气泡和角锥体尺寸的影响 , 表面张力 (a) ( b)对于表面张力较小的情形( a)，腐蚀产生的气泡在角锥体成核的地方很容易从 角锥体尖端逃逸，气泡尺寸较小。因此，腐蚀形成绒面的角锥体尺寸也较小。对 于表面张力较大的情形 (b) ，气泡不容易离开硅片表面，在角锥体成核的地方形 成气泡隔离，气泡要长大到浮力大于表面附着力时，才从硅片表面离开。因此， 这种条件下形成的绒面角锥体尺寸较大。 当表面张力达到一定程度后， 气泡会形 成覆盖面积较大的扁平状， 这时如果溶液的粘度又较大的话， 气泡就不容易离开 硅片表面，这样腐蚀出来的表面平整度和均匀性都很差。实验观察发现，绒面的形成可以分为( a)成核、 ( b)扩展、 ( c)绒面 3个阶段， 如图 4 所示。成核阶段对绒面覆盖率至关重要，实际上，成核密度高，覆盖率就 高；成核密度低，则很难采取补救措施。图. 角锥体形成核到绒面形成的过程图. 不同表面张力情况下液体中的固体表面气泡形式， （ a）液体表面张力小，（b） 液体表面张力大。腐蚀液中的硅酸钠作用表面能量可以使用表面活性添加剂混合在溶液中来降低。 实际上，腐蚀过程中 产生的硅酸钠溶解在溶液中， 形成溶胶， 产生大量的极性和非极性功能团。 它可 以显著地降低着腐蚀液的表面张力。 可以设想分子微粒的非极性边对硅表面强烈 的附着性以及大量 -OH 功能团移向电解液， 产生了水分子和激活的硅表面之间的 H-键。在含有适量硅酸钠的制绒液中，腐蚀成核密度很高，只需短时间的腐蚀， 硅片表面就几乎布满了角锥体，接近 100%的覆盖率。这就提供了一个解决初配 液各向异性因子低的解决途径。腐蚀液中的硅酸钠， 对溶液的 OH离子浓度起着缓冲剂的作用。 因为硅酸钠 -2 溶解于水中，当水充分时，极易发生水解。硅酸根 SiO3-2 与水反应生成硅酸及多 硅酸溶胶，钠离子 Na+则与水反应生成氢氧化钠以水溶液的形式存在，使溶液呈 碱性。这种产物常称为水玻璃。 这种溶解反应过程是一种动态平衡， 反应平衡点 的移动与溶液浓度、溶液中 OH离子的浓度、溶液温度等因素有关。Na2SiO3 + 2H 2O H2SiO3 + 2NaOH经过反复多次的使用，溶液中硅酸钠浓度增加，溶液的粘度会随着增加。溶 液表面张力， 界面能量也随之改变。 溶液中 -OH 功能团移向腐蚀反应界面的传输 效率逐渐降低，各向异性因子也随着降低。气泡从反应界面的释放也变得缓慢， 虽然可以用异丙醇消泡，但是硅的腐蚀速率已大受影响，绒面覆盖率大大降低。 导致溶液失效。 因此，已经熟化并正常使用的氢氧化钠制绒溶液， 需要进行合理 的调节维护。调节控制溶液中硅酸钠的含量，可以防止溶液失效。多晶制绒 ( 各向同性腐蚀 )硅各向同性腐蚀是指酸腐蚀液对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关。酸与硅的反 应可以看作局部电化学过程， 在反应发生的地方形成了阳极和阴极， 反应的过程 中有电流在它们之间流过。阳极是硅的溶解反应，阴极是HNO3 的消耗反应，阳极：Si + 2H2O + nh+ SiO2 + 4H+ + (4-n)e-SiO2 + 6HFH2SiF6 + 2H2O阴极：HNO3 + 3H+NO + 2H2O + 3h+总反应式： 3Si + 4HNO3 + 18HF3H2SiF6 + 4NO + 8H2O + 3(4-n)h+ +3(4-n)e-影响各向同性腐蚀的因素1. 温度的影响 在高 HNO3区的配比下， 腐蚀速率与温度的关系， 由于在高 HNO3区，化学是自催 化的，所以有外部催化与无外部催化的曲线重合。 从图中看出， 腐蚀速率随温度 的升高而增大，并呈线性关系，由于在高 HNO3区，化学反应受 HF的浓度影响， 因此， HF浓度越高，腐蚀速率越大。在高 HF区的腐蚀速率与温度的关系。对于高 HF区，腐蚀速率与衬底取向无关， 有外部催化较之无外部催化的腐蚀速率大，在该区，化学反应受HNO3浓度的影响， HNO3浓度越高，腐蚀速率越大，腐蚀速率随温度的变化分为两线性段，低 温区腐蚀速率随温度的变化较高温区的变化快。有外部催化且用 H2O稀释的高 HNO3区和高 HF区的腐蚀速率与温度的关系， 由图 可见，对高 HNO3区。腐蚀速率随温度的变化分为两线性段，低温区腐蚀速率谁 温度的变化较高区的变化快。而在高 HF区腐蚀速率随温度的变化呈单一线性关 系；温度越高，腐蚀速率越大。腐蚀液成分的影响腐蚀液的成分对腐蚀速率影响最大。 硅在 HON3+H溶F 液中的腐蚀速率大， 而在纯 HNO3或纯 HF溶液中的腐蚀速率很小。从电化学角度看，其原因是在后两种情况 下电极反应不能充分顺利进行的缘故。但是，若在纯 HNO3溶液中加入一滴 HF 就可以明显地增加腐蚀速率， 这是因为 SiO2与HF形成六氟硅酸水溶络合物， ， 使阳极反应得以顺利进行。在纯 HF中加入一滴 HNO3也可以大大提高腐蚀速率， 因为加入的 HNO3可作为一种阴极易被还原的材料， 使电极顺利进行。 可以看出， 缺少电极反应中两个电极反应中任意一个， 电化学腐蚀反应都不能顺利进行， 腐 蚀速率必定是缓慢的。硅在 HF+HNO溶3 液中的腐蚀速率与成分的关系曲线 （如图） 可以看出腐蚀液成分相当于电化学反应的化学当量摩尔比时， 腐蚀速率最快； 即 在相当于含 68%和 32%时出现最大值，为 28um/s。这就证明硅在电解质溶液中腐 蚀是一种电化学腐蚀。 但其反应是防热反应， 在缺陷密度高时， 反应速率亦加快。图：硅在 70%（重量） HNO3+49（%重量） HF混合液中的腐蚀速率与成分的关系H2O和 CH3COO作H为稀释剂的作用相似，两个系统的共同特点1）在底 HNO3及高 HF浓度区（图顶角区） 等腐蚀曲线平行于等 HNO3浓度线， 由 于该区有过量的 HF可溶解反应产物 SiO2，所以腐蚀速率受 HNO3的浓度所控 制，这中配方的腐蚀剂由于孕育期变化不定，腐蚀反应难以触发，并导致不 稳定的硅表面，要过一段时间才会在表面上慢慢地生长一层SiO2。最后，腐蚀受氧化 - 还原反应速率的控制， 因此有一定的取向性， 但由于腐蚀进行得比 较快，并伴随有热量释放。因而取向效应并不严重。2）在低 HF高HNO3浓度区（图右下角区） 等腐蚀线平行于 HF浓度线。这个区域 里的 HNO3